一流的制药企业需要一流的计量管理哈药集团制药总厂的计量保障体系

哈药集团制药总厂(以下简称“哈药”)是一家现代化大型制药企业，2002年全厂实现工业总产值53．6亿元，实现利税3．68亿元．创造利润1．78亿元。哈药计控中心负责全厂的计量管理和监督工作，并设有专、兼职计量管理人员103人。全厂在用计量器具。7520台(件)，其中强检计量器具4320台(件)．分布和应用于全厂各个生产和经营管理     

涂料底漆除锈功能研究

将涂料底漆除锈功能归类和比较,对原料除锈原理进行分析及性能对比,阐述不同添加量对漆膜及除锈功能的影响,通过性能比对结果阐述除锈机理。     

基于疲劳破坏的吊梁寿命评估分析

基于疲劳破坏实效的分析,对某型号的寿命进行评估分析,重点对吊具的焊缝疲劳寿命和钢板母材疲劳寿命2个方面进行计算研究。研究结果表明:在额定载荷范围内,吊具母材可无限次使用,而吊具焊缝的寿命有限;在进行吊梁设计时,为使吊梁既不造成疲劳寿命过剩也不导致疲劳寿命不足,故需要较为精确地计算出吊梁的疲劳寿命和通过改变吊梁结构来控制疲劳寿命,这样既满足了使用要求,也可减轻自重、提升性能、降低成本,为后续同类产品的设计提供一定意义上的指导。     

警惕4种瘦身后遗症

为了穿上漂亮的农服，不少美眉拼命减肥，却不知道减肥方法不当，让你瘦身不成，反变丑女!瘦身丑女急诊室为仿对巴脉，还你美丽。     

吃了让你变“小腰精”的蔬菜

一般人都会想当然地认为吃蔬菜不会发胖，因此对蔬菜的食用也不加选择和控制。其实，过多地食用碳水化合物含量高的蔬菜，其中过剩的碳水化合物也会转化为脂肪在体内储存起来。     

基于DSP的无刷直流电机控制系统设计

分析了永磁无刷直流电动杌的运行原理及教学控制模型,同时讨论了基于双控制单元的控制器的硬件结构、软件流程以及相关的调试过程.     

着手打造服务链条——就网上办事代理与海淀区相关负责人的对话

在整个电子政务建设过程,实现网上审批被认为是一个重要的过程,其意味着政府的服务意识开始不断加强,也是打造服务型政府的标志之一。此次海淀区在北京市率先实现“网上全程办事代理”,将为市民带来怎样的服务保障,将对以后的政府职能转变带来怎样的推动作用,记者就此采访了海淀区副区长于军和海淀区政府办公室副主任张泽根。CWEEK:目前,我国各级政府已经形成了实施电子政务建设的潮流,海淀区作为经济条件较好的地区,此次建设是否也是为了迎合这种发展潮流?于军:开展电子政务建设,并不是为了迎合潮流,而是政府和社会的迫切要求。在海淀区…     

聚唾液酸的摇瓶工艺

研究了突变株JYL－11（Escherichia coli）的摇瓶发酵工艺条件：在山梨醇40g/L,K2HPO4 20g/L，NH4Cl4g/L,MgSO40.9g/L，蛋白胨1.5g/L，起始pH值7.8，装液量35mL(250mL的三角瓶中），转速250r/min，培养温度37℃，接种量为4％（体积分数）的条件下，聚唾液酸产量达到3.5mg/mL，比优化前提高了1.0mg/mL，提高幅度为40％。     

神奇的基因芯片

基因芯片运用微电子加工技术以及基因分子的自组装技术在微小芯片上组装成千上万个不同的DNA微阵列 ,实现以基因为主的生命信息的大规模检测。其显著优点在于 :高速、高效、耗费低、便于系统集成和大规模信息的适时处理。基因芯片技术的出现将会给生命科学、医学、化学、新药开发、生物武器战争、司法鉴定、食品和环境卫生监测等领域带来一场革命。本文简要介绍了基因芯片及其应用和近期研究的进展。     

Memory characteristics of Au/PZT/BIT/p-Si ferroelectric diode

A ferroelectric memory diode consisting of Au/PZT/BIT/p-Si multilayer configuration has been fabricated by pulsed laser deposition (PLD) technique. The ferroelectric properties and the memory characteristics are investigated. The P-E curve of the PZT/BIT/p-Si films system had an asymmetry saturated hysteresis loop with P, = 15 μC/cm2 and Ec = 48 kV/cm, and the decay in remanent polarization was only 10% after 109 switching cycles, meanwhile the increase in coercive field was 12% . The C-V hysteresis loop and the I-V curve showed a memory effect derived from the ferroelectric polarization of PZT/BIT films, and the current density was 6.7 × 10-8 A/cm2 at a voltage of + 4V. Our diode had nonvolatile and nondestructive memory readout operation. There was a read current disparity of 0.05 μA for logic "1" and logic "0" at a read voltage of + 2V, and the stored logical value ("1" or "0") could be read out in 30 min.