基于SPCA751A的MP3播放器的研究与实现

主要介绍了一种基于台湾凌阳科技公司生产的SPCA751A解码芯片的MP3播放器的制作过程。     

铁电电容的特理模型研究

用一种物理方法解释了非理想铁电电容器的电路行为。在该方法中反分立的铁电电容假设为堆积状的介电层结构,包括铁电层和非开关介电层。通过这种方法改进了Sawyer-Tower电路并测量了其电特性。用该模型较准确地测量了由于输入信号频率变化而引起的电滞回线的畸变,并且输入信号幅度的影响与实验结果比较吻合。     

铁电薄膜和铁电场效应存储器研究

简述了铁电场效应管ＦＦＥＴ工作原理；说明了器件对薄膜和结构的要求；指出了铁电薄膜的电滞回线及金属铁电半导体结构的Ｃ－Ｖ特性。     

Reliability of Au/PZT/BIT/p-Si ferroelectric diode

A ferroelectric memory diode that consisted of Au/PZT/BIT/p-Si multilayer configuration was fabricated by pulsed laser deposition (PLD) technique. The reliability issues (I-V characteristics, capacitance retention, fatigue and imprint) were investigated. The I-V curve showed the conventional Schottky diode characteristics with a small current density of - 5.3×10 -10 A/cm2 at a voltage of - 4 V and 6.7×10-8 A/cm2 at a voltage of + 4V, and this characteristic can be maintained below 50℃. The capacitance variety of the ferroelectric diode was only 5 % in 10 hours after withdrawing the applied bias of + 5 V or - 5 V, indicating the diode had good capacitance retention. By applying 100 kHz bipolar pulses of 5 V amplitude, the decay in remanent polarization was only 10% after 109 switching cycles, and meanwhile the increase in coercive field was 12%. After being irradiated for 20 min with a 200 W ultraviolet ray lamp, the remanent polarization and coercive field had both varied, and a voltage shift was obse     

铜的摄取转运与其相关基因疾病的讨论

铜是人体必需微量元素,机体既可通过精确的调节使它在生物学反应中发挥有益的作用,又可防止这种元素对毒性自由基形成的促进效应。文章主要探讨铜的摄取代谢转运过程并讨论这种元素所导致的与铜代谢有关的人类遗传性疾病,包括Menkes综合征和Wilson病。这两个疾病的相关蛋白被认为是铜转运磷酸化ATP酶,以下介绍两种疾病的病因及一些临床症状和治疗手段。     

铁磁性多层膜的巨磁电阻效应和自旋晶体管

简述了铁磁性多层膜的巨磁电阻效应和自旋阀巨磁电阻效应产生的物理机制。介绍了新型微电子器件自旋晶体管和自旋阀晶体管的工作原理。由于自旋晶体管优良的性能,在计算机和通讯领域有广泛的应用前景。     

Au／PZT／p-Si结构铁电存储二极管的制备及其性能

采用准分子脉冲激光沉积(PLD)工艺,制备了Au／PZT／p-Si结构铁电存储二极管.在氧气氛350℃低温沉积、原位530℃快速退火工艺条件下,获得了多晶纯钙钛矿结构的Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）铁电薄膜.PZT薄膜的铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线,其剩余极化和矫顽场分别为13μC／cm2和48kV／cm.从C-V和I-V特性曲线观察到源于铁电极化的回滞现象,记忆窗口约1.1V,＋4V偏压下电流密度为3.9×10－6A／cm2.     

铁电场效应晶体管

介绍了铁电场效应晶体管 (FFET)的基本结构、存储机制、制作方法 ,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在 FFET中应用的进展情况 ,探讨围绕铁电薄膜材料、过渡层、结构设计、不同成膜方法及工艺对 FFET存储特性的影响 ,对 FFET的研究现状和存在的一些问题进行评述     

基于SoPC的行波介电电泳芯片控制与采集平台设计

介绍了一种利用SoPC技术控制与采集行波介电电泳芯片的方案.以嵌入在FPGA(CyelonⅡ EP2C35)中的RISC结构的CPU软核NiosⅡ为基础,通过FPGA的DSP开发工具DSP Builder对直接数字频率合成器(DDS)进行建模,在QuartusⅡ软件中生成DDS IP核,控制输出4路相位严格相差90°的正弦波,建立行波电场驱动不带电生物粒子定向移动,实现不同生物粒子的分离;采用自定制I2C模块,实现300万像素CMOS图像传感器MT9T001的配置,完成不带电生物粒子的非接触检测.文中重点介绍了基于DSP Builder的DDS IP核设计,自定制I2C模块以及系统软、硬件设计,并通过仿真分析证明了这种设计方法的正确性和实用性.     

热分解气氛对溶胶-凝胶法制备BLT铁电薄膜性能的影响

研究了热分解气氛对溶胶-凝胶法制备在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的Bi3.25La0.75Ti3O12 (BLT)薄膜铁电性能的影响.在400℃时空气或氧气气氛下热分解20min,接着在700℃时氧气气氛下退火30min.氧气气氛下的热分解能充分分解掉薄膜中的有机成分,而空气气氛下的热分解使炭、氢有机成分部分残留在薄膜中.有机成分的不完全分解影响了退火过程中BLT薄膜晶化时晶粒的生长.表现出生长取向和晶粒尺寸对BLT薄膜铁电性能的影响.氧气和空气气氛下热分解的薄膜的剩余极化(Pr)和矫顽电场(Ec)分别为18.85μC/cm2,119.7kV/cm和12.56μC/cm2、112.5kV/cm.氧气气氛下热分解的薄膜的剩余极化值显著提高.所以热分解是控制铁电性能的重要步骤.