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研究了采用硅片粘接和先用金刚石研磨、然后用非接触抛光的腐蚀方法(BE-SOI)制作薄膜SOI的制造工艺和这种膜的缺陷特性。制作了一些MOS器件,并测试了它们在辐射前后的电特性。采用TEM进行的分析表明。、这种BESOI膜无缺陷。CMOS器件具有很高的迁移率和很低的漏电流(小于1.0pA/微米)。这些器件的上表面和边缘的氧化层的辐射响应与体硅器件相近。在10兆拉德(SiO_2)剂量的辐射下,正电荷俘获和界面陷阱产生分别为-0.8和0.8V。 相似文献
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一、前言目前,水利工程从大坝、堤堰的溢流部分开始,使用各种混凝土材料的数量,呈逐渐增多的趋势.但是,具有良好施工性与经济性的混凝土制品的缺点是抗磨耐久性一般较低.在挟沙量大的湍急河流,水工建筑物寿命的缩短,往往超出人们的预料,不得不采取补救措施.如果能事先预测混凝土的磨损量,就可根据预测值的大小,在相应部 相似文献