我国新型农村社会养老保险可持续发展问题研究

实施新农保制度,从试点、完善到制度成熟,都还面临着不少困难和挑战。在当前,要贯彻保基本、广覆盖、保急需、促公平等基本要领,也要注重强化政府主导、完善体制、完善个人账户制度、加强政策配套、妥善解决新农保与其他社保政策的接续转移问题等战略重点。     

60GHz单级功率放大器的设计

该文探讨了60 GHz 功率放大器的设计方法,设计并测试了基于0．07μm GaAs 工艺的60 GHz毫米波单片功率放大器,该放大器采用共源结构,单级放大,工作电压为1．2 V,工作电流为27 mA,在62．2 GHz 时有最大小信号增益4．9 dB,60 GHz 时仿真的输出1 dB 压缩点功率为12 dBm。     

InP衬底上电容和电阻的建模

在射频集成电路中，Inp衬底的高电阻率导致了低衬底损耗以及器件和电路性能的提高。该文提出了Inp衬底上MIM电容和电阻的简单而精确的等效电路模型。测量结果与等效电路的仿真结果拟合得非常好，从而证明该文提出的模型足以准确地描述Inp衬底上MIM电容和电阻的电磁场特性。另外，Inp和GaAs同属于Ⅲ-Ⅳ族化合物。它们具有相似的性质，因此，该文提出的模型同样适用于GaAs衬底上的电容和电阻。     

用于CDMA2000的射频功率放大器仿真实现

该文给出了一个适用于CMDA2000系统的射频功率放大器单片集成电路的实现。放大器采用了具有高线性度、高增益和高效率的砷化镓异质结双极型晶体管，包括驱动级和功率级两级。为了同时实现CDMA2000系统所要求的最大输出功率时的良好线性度和改善中等输出功率时的效率，使功率放大器工作在近乙类，并采用了自适应性无源基极电阻偏置技术来抑制由于近乙类工作造成的增益失真。考虑了寄生效应的后仿真结果表明。该功率放大器在1850MHz。码片速率为1．2288Mcps的混合移相键控调制信号的激励下，在CDMA2000系统要求的最大输出功率28dBm处PAE达到44．8％，增益为27．4dB，偏离中心频率1．25MHz处的ACPR为-47．9dBc。     

集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.     

一种有效的微波集成电路设计优化方法

给出一种基于正交设计的微波集成电路设计优化的方法，该方法采用多轮正交设计，通过模拟设计参数空间中有限组电路的频率响应，可在整个参数空间中对多个目标快速寻优。与传统方法相比，该方法不依赖初始值，能够较快地收敛到全局最优解。用微波宽带四级分布放大器设计算例表明该方法可用于电路设计优化，具有实用价值。     

人葡萄糖调节蛋白78shRNA真核表达质粒的构建及其稳定转染A549细胞系的建立

目的构建人葡萄糖调节蛋白78(glucose regulated protein 78 k D,GRP78)shRNA真核表达质粒,并建立其稳定转染A549细胞系。方法根据Gen Bank中登录的人GRP78基因序列(3309)设计3对互补寡聚单链DNA干扰序列(GRP78-mi R-1、GRP78-mi R-2、GRP78-mi R-3)及1对阴性对照,分别插入至载体pc DNA6.2TM-GW/Em GFP,构建shRNA真核表达质粒。在Lipofectamine 3000介导下将各shRNA真核表达质粒分别转染A549细胞,并经Blasticidin S HCl加压筛选稳定的转染细胞系。实时荧光定量PCR和Western blot法检测A549细胞中GRP78基因m RNA转录和蛋白表达水平。结果各shRNA真核表达质粒经测序鉴定证明均构建正确。稳定转染shRNA真核表达质粒的A549细胞,在荧光显微镜下可见均一表达绿色荧光。与空白对照组比较,A549细胞中GRP78基因m RNA转录和蛋白表达水平明显降低(P0.05),阴性对照组无统计学意义(P0.05)。结论成功构建了人GRP78的shRNA真核表达质粒,并建立了其稳定转染的A549细胞模型,为进一步研究GRP78在肺癌细胞的侵袭和转移中的作用机制奠定了基础。     

轮边支撑轴密封结构的优化设计

针对目前轮边支撑轴密封结构存在的通用性差、制造成本高、加工难度大、拆装不便、维护困难等问题,本文提出一种新型轮边支撑轴密封结构,通过对结构特征和装配工艺性上的优化设计,使其易拆装,有效提高其产品通用性,并降低制造和维护成本,以及加工难度。     

CMOS多层金属螺旋电感宽带等效电路模型

基于CMOS工艺，提出了一种多层金属螺旋电感宽频带等效电路模型。对于多层金属螺旋电感，传统基于频变参量的等效电路模型已不再适用，而该模型引入RL枝节和互感来表征层间金属趋肤效应和邻近效应，用并联RC枝节来表征同层金属和不同层间金属在衬底的耦合效应。此模型以0．35um2P4M硅工艺制造的电感验证，测量结果与模型仿真结果在宽频带均具有良好的一致性。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型参数提取

对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci)的解析提取.运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAs HBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz.