分数槽在低速直线电机设计上的应用

本文根据分数槽基本原理,从新的角度对分数槽进行了介绍,采用电机向量星形图对分数槽绕组进行分析,分析中引入分数槽电机元的概念,实现了分数槽电机的简化向量分析。同时采取简单方法快速确定了分数槽电机的循环数,完成了槽绕组的分配,实现绕线过程。将分数槽应用到低速直线电机上,利用Ansys软件对其电磁场进行了仿真。     

造价工程师的知识结构与继续教育

章探讨了在日益国际化的市场环境下造价工程师应具备的合理知识结构,分析了当前我国工程造价从业人员知识结构的现状及欠缺,提出通过采取两方面的措施——一是改革当前的执业资格考试方式,二是调整充实继续教育的内容,使工程造价从业人员的知识结构趋手合理。     

平流式沉淀池吸泥桁车改造

杭州余杭供水集团公司塘栖自来水厂于2000年5月建成投产,该厂一期设计规模为6万m^3／d,水处理工艺采用折板反应平流式沉淀池(两组)、V型滤池。该水厂水源取自太湖流域东笤溪獐山段,常年原水水质属Ⅱ-Ⅲ类水体。     

ECU的多任务、多数据结构标定系统的研究开发

设计了一套集成了在线标定和嵌入式数据采集功能的在线标定系统.标定系统基于Windows平台,采用独特的数据流格式、数据属性文件和通信协议.在对在线标定系统与柴油机的MC68376单片机电控单元进行离线联机调试后,对JS125汽油机进行了标定实验.实验表明:该标定系统具有较好的扩展性、稳定性和可靠性,能够适应多种单片机和控制系统编程语言,简化了ECU通讯程序.     

电子级HF吸附法回收的节能降耗潜力分析

电子级氟化氢（HF）气体的回收具有良好的经济、环境、社会效益,吸附法是最有希望实现回收的方式之一。然而能耗问题限制其进一步发展,如何对其展开节能降耗尚未见专题研究。本文通过对吸附循环能耗等指标的计算,对吸附循环的性能展开了探索性研究。采用分子模拟技术,计算获得HF的吸附平衡等温线数据;建立变温吸附循环数值模型,明确评价循环效能的指标参数;改变吸附温度、压力等运行参数,分析能耗、能效等循环指标的变化趋势,探索降低能耗提升效率的方向。计算结果表明：吸附温度由298K降低到288K,回收单位质量HF能耗由14.0912MJ/kg降低为3.1173MJ/kg,能量利用效率由0.02升高到0.0953;解吸温度由340K升高到350K,能耗降低为12.0037MJ/kg,能量利用效率升高到0.0247。可以看出,降低吸附温度对降低能耗、提升能效的作用更加明显。此外,还得到以下结论：提高进气浓度对各指标均有积极影响;提高吸附压力仅对回收率有较大影响;冷热源与操作温度的差值仅影响产率大小。     

机械化生产玻镁复合板及通风管道的应用

重点论述了采用机械化生产的玻镁复合板材特点以及独特的采用真正无法兰连接风管的连接方式、风管制作方法。     

双极场引晶体管:VI.CMOS电压倒相电路(双MOS栅纯基)

本文报告了硅互补金属氧化层硅（CMOS）电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散. 这电路用一只实际的﹑纳米尺度的双极场引晶体管(BiFET)实现. 通过数字求解五个偏微分方程,可获得这些电学特性. 方程是基于这种器件结构：在薄纯硅基层的两表面上各有一个MOS栅,在这薄基的两端都有电子和空穴接触. 内部条件和CMOS边界条件用于三种势（静电势和电子及空穴电化学势）. 用一台装有Windows XP-PRO下的64位FORTRAN语言的双核个人计算机,快速地计算出一系列曲线.     

场引晶体管理论:XI.双极电化电流（薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极）

场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场．自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避免忽略空穴电流．多余条件,诸如电中性和常空穴电化电势,导致仅用电子电流算内部和终端电学特性的错误解．当忽略的空穴电流与电子电流可比,可在亚阈值区和强反型区,错误解有巨大误差．本文描述普适理论,含有电子和空穴沟道和电流．用z轴宽度方向均匀的直角平行六面体（x,y,z）晶体管,薄或厚、纯或杂基体,一或二块MOS栅极,描述两维效应及电势、电子空穴电化电势的正确内部和边界条件．没用多余条件,导出四种常用MOS晶体管,直流电流电压特性完备解析方程：半无限厚不纯基上一块栅极（传统的Bulk MOSFET）,与体硅以氧化物绝缘的不纯硅薄层上一块栅极（SOI）,在沉积到绝缘玻璃的不纯硅薄层上一块栅极（SOI TFT）,和薄纯基上两块栅极（FinFETs）．     

场引晶体管双极理论:Ⅹ.基本物理和理论(所有器件结构)

本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流电压特性:电势边界给出很高、流进内禀晶体管、飘移限制抛物型电流,电化学势边界仿真电子和空穴接触,给出很低、越过势垒注入、扩散限制电流,具有理想、每量级60mV、指数型亚阈值区倾斜.双MOS栅薄纯基硅场引晶体管为典型结构.     

基于MPPT技术的太阳能发电的路灯控制系统案例分析

将MPPT技术引入到太阳能路灯控制系统中,以降低其成本,提高太阳能路灯的可靠性。采用单片机C8051F330控制太阳能路灯工作过程,并采用Buck电路引入最大功率跟踪技术,增强了太阳能光伏电池的转换效率。着重对太阳能路灯控制系统的硬件电路设计进行论述,并设置MPPT技术电路的主要器件的参数,对整个路灯控制系统的设计流程进行了分析。