基于炮掘法的硬岩快速掘进设备配置研究

针对f8硬岩工程地质条件,提出了基于炮掘法的设备选型和配置的经验理论。该理论建立了循环进尺与岩性、炮眼深度之间的数学模型,构建了破、装、运等设备的选型和配置方面的数学模型。鲁班山北矿运输大巷的生产实践表明,该理论创造了硬岩巷道最高月进尺433 m、平均月进尺400 m、平均工效4.17 m/(月·人)的技术水平。     

基于LabVIEW的虚拟实验室建设

针对目前许多高校的实验教学中普遍存在的实验设备陈旧、实验室规模过小、实验室建设经费短缺等一系列问题,提出一种基于LabVIEW构建虚拟实验室的方案,通过实例分析,验证该方案的可行性,并在实际运行中取得了良好的教学效果。该方案目前在国内高校具有较高的推广价值。     

整数阶Jerk混沌吸引子及其实现

以整数阶Jerk系统为例,提出了一种基于DSP Builder和FPGA的数字离散混沌系统解决方法.同时设计了相应的模拟硬件电路,并分别给出了硬件实验结果.实验结果表明,利用产生的实验结果与模拟电路产生的结果基本一致,证实了该方法的可行性,这为混沌系统的数字实现提供了新的思路.     

分数阶混沌系统的DSP Builder设计方法

为了克服模拟电路分数阶混沌系统设计易受外界条件影响,提出了一种基于DSP Builder设计分数阶混沌系统的方法.以分数阶Jerk系统为例,采用一种数字差分算法设计混沌系统,分析了分数阶混沌系统的动力学特性.仿真结果表明,分数阶混沌系统的DSP Builder设计方法是一种有效的分析方法,这为分数阶混沌系统的数字设计提供了新的思路.     

生物胺前处理技术及分析方法研究进展

生物胺(biogenic amine,BA)作为一种具有生物活性、含氨基的低分子量化合物,主要由氨基酸进行脱氨基作用而产生。该类物质广泛存在于天然及加工后的食品中,适量摄入生物胺能够对机体的生理功能产生积极作用,但一旦摄入过量会导致不适,严重时甚至会危及生命。因此,建立灵敏、快速、高通量的生物胺前处理和检测方法与人体健康息息相关。目前,常用于样品中生物胺检测的前处理技术包括液液萃取、固相萃取和基质辅助固相分散萃取等,常用的检测方法有液相色谱-质谱法、液相色谱法、气相色谱法、薄层色谱法、毛细管电泳法和生物传感器法等。本文对生物胺的种类与生理作用、前处理方法与检测方法的最新进展进行了综述,以期能够为食品及生物制品中生物胺含量的检测提供参考。     

(NH4)2S2O8氧化载金黄铁矿规律及E-pH研究

采用基于硫酸根自由基(SO4-·)的高级氧化技术,将(NH₄)₂S₂O₈作为氧化剂氧化预处理黄铁矿。考察了(NH₄)₂S₂O₈和FeSO₄浓度、浸出温度、浸出时间对氧化浸出黄铁矿效果的影响。结果表明,采用热活化(NH₄)₂S₂O₈产生SO₄-·预处理黄铁矿,在(NH₄)₂S₂O₈浓度0.395 mol/L、浸出温度70 ℃、浸出时间8 h条件下,黄铁矿浸出率可达73.71%。通过动力学方程拟合,确定该体系浸出黄铁矿可采用收缩核动力学模型描述,浸出黄铁矿过程中反应速率的决定步骤为内扩散速率,其表观活化能为50.57 kJ/mol。通过绘制FeS₂-(NH₄)₂S₂O₈-H₂O体系E-pH图分析可知,常温下过硫酸盐溶液具有较高的氧化还原电位,理论上采用过硫酸盐氧化分解产生SO₄-·浸出黄铁矿具有可行性。     

不同形状催化剂的F—T合成宏观动力学

采用绝热固定床积分反应器，在工业条件下，对条形及片形Ｆｅ－Ｃｕ－Ｋ工业催化剂进行了Ｆ－Ｔ合成反应性及宏观动力学考查。在稳态下，用集总的方法，保持一定的轴向温度分布，求出不同形状催化剂的宏观动力学方程，与实验数据符合较好。     

堤防工程的植被防护措施

通过试验工程，阐述了在江河堤防工程中，除采用传统工程防护措施外，还可结合植被防护措施，诸如营造固滩防浪林，采取三维网垫植草护坡及水力喷播等植被防护措施，既能提高堤坝的行洪安全性，又能改善生态环境。     

高能Si~+注入Sl-GaAs形成n型埋层

本文报导0.6～5MeV高能Si~+离子注入LEC半绝缘GaAs的快速退火效果,在950℃温度下退火5秒得到最佳电特性.采用多能量叠加注入已制备出平均深度在1.2μm,厚约1.7μm的n~+深埋层,载流子浓度为3～5×10~(17)cm~(-3).在近表面单晶层上作成了性能良好的肖特基接触,其势垒高度约为0.7V.     

Si,S,Be,Mg离子注入GaAs白光快速退火特性研究

利用灯光瞬态退火处理Si,S离子注入SI-GaAs样品,在950℃5秒的条件下得到了最佳的电特性,Be,Mg离子注入SI-GaAs样品在800℃ 5秒退火得到了最佳的电特性.Si,S,Be注入GaAs样品在适当的条件下得到了陡峭的载流子剖面分布,而Mg注入的样品有Mg的外扩散和较大的尾部扩散.透射电镜测量表明,Si低剂量和Be大剂量注入退火后单晶恢复良好,而Si和Mg大剂量注入退火后产生了大量的二次缺陷.应用Si和Mg注入GaAs分别制作了性能良好的MESFET和β=1000的GaAIAs/GaA,双极型晶体管(HBT).