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This paper describes the results of structural, electronic and elastic properties of silicon nitride(in its high-pressure P61 and P62 phases) through the first-principles calculation combined with an ultra-soft pseudopotential. The computed equilibrium lattice constants agree well with the experimental data and the theoretical results. The strongest chemical bond(N–Si bond) shows a covalent nature with a little weaker ionic character. P61-Si3N4 is more stable than P62-Si3N4 due mainly to the fact that the shorter N–Si bond in the P61 phase allows stronger electron hybridizations. We have also predicted the phase stability of Si3N4 using the quasi-harmonic approximation, in which the lattice vibration and phonon effect are both considered. The results show that the β→P61 phase transition is very likely to occur at 42.9 GPa and 300 K. The reason why the β→P61→δ phase transitions had never been observed is also discussed. 相似文献
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本文主要采用密度泛函理论框架下的赝势平面波方法结合超软赝势计算研究氮化硅半导体材料(新发现的结构: P61和P62相)的晶胞结构、电子结构和弹性性质。计算得到的点阵常数与实验值和前人的理论值符合的相当好。该半导体材料中最强的化学键是N-Si键,N-Si键主要以共价键形式出现,同时含有微弱的离子键特征。研究还发现P61相比P62相更稳定,这是由于P61相中的N-Si键的键长较短,因此共价键更强。接着,本文通过准谐近似方法计算研究了氮化硅半导体的相变规律。在计算过程中考虑了晶格振动、声子效应和非谐效应对体系性质的影响。本文研究发现 β→P61 相变很可能在42.9GPa压强和300K温度下被观测到。另外,以前的实验研究没有观测到 β→P61→δ相变的原因在本文中也进行了讨论。 相似文献
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针对光寻址电位传感器(LAPS,light addressable potentiometric sensor)测量精度易受温度 影响的问题,提出一种基于支持向量机(SVM)的LAPS温度补偿方法。根据在多温度条件下LAP S传感 器对缓冲液pH的实测数据,利用SVM建立LAPS温度补偿模型,通 过核函数把LAPS输出饱和光电流与温度间的非线性关系映射到高维特征空间,在高维空间中 用线性回归实 现该映射的非线性处理,对LAPS的温度特性进行非线性逼近,补偿温度对LAPS输出的影响。 实验结果表 明,在(20±1)、(20±2)和(20±5) ℃温度变化情况下,经过温度补偿后LAPS系统输出 pH的标准偏差 分别为补偿前的1/3、1/4和1/6,均小于0.05pH,LAPS 温度补偿算法可以明显补偿温度影响,提高LAPS的测量精度。 相似文献
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室外给排水的设计是建筑工程的重点之一,其设计要依据室外给排水设计规范、消防规范、小区给排水规范和给排水设计手册等相关的规范来进行。本文通过对室外给排水设计经验的总结,提出了一些给排水设计的注意要点。 相似文献
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