纪念声表面波器件的奠基人——英国物理学家瑞利发现瑞利波100周年声表面波器件的最新进展(二)

四、带通滤波器由本文第二部分可知,SAW带通滤波器设计的主要问题是推导合适的脉冲函数h(t),h(t)通过傅里叶变换与滤波器频率响应H(f)联系起来.通常,h(t)为无限值,所以必须对它截断,带通滤波器的实现.有限脉冲响应函数(其傅里叶变换给所需的“理想”频率响应以最佳近似值)的推导过程曾经是七十年代的主要研究课题.根据研究,几种非常有用的计算机辅助设计程序在目前已普遍采     

梦的研究--WebQuest学习活动方案设计与评价

引言每个人都要做梦,梦之于人犹如灵魂之于人,与之俱来,随之而去,伴随人之一生。只要人的大脑思维能力还在,梦就会长久不衰。做梦不分贵贱、不分长幼、不分尊卑、不分男女、不分中外,只是梦的内容有所不同而已。梦如同人的身影一般,既司空见惯,又神秘莫测;既虚无飘渺,又真实可见。若说梦是幻觉,然梦中之人物事件,醒后皆历历在目;若说梦是真实之表现,然醒后难找与梦中人物事件完全一致者。有时日有所思,夜即梦之;有时梦中所见,日即遇之。梦之神秘引起了古往今来、古今中外多少人的迷惑和兴趣,如果你也对“梦”感兴趣,那就和我们一起进行“梦…     

在磁性铁燧岩精矿二氧化硅阳离子浮选中磁场的应用

在磁性铁燧岩精矿二氧化硅阳离子浮选半工业试验中，磁场的应用可有效地控制铁的损失。报导了容积为1．42m^3维姆科浮选机的磁场分配器的设计和分批试验结果。泡沫产品中铁主要损失于-25μm粒级中，磁场的应用可抑制细粒磁铁矿的浮选，提高浮选的选择性。样品A已受到了较强的磁化，该样品预磁没有进一步提高分选的选择性。样品脱磁稍稍影响浮选的选择性，但是由于有磁格棚磁场的存在，其影响程度很小。这种磁场分配装置结构简单．造价低。很容易安装在已有的浮选机中。     

测量、分析、图示摩擦力的新途径

引言亚琛纺织技术研究所专门研制了一种测试装置,用来研究纱线与导纱体之间的摩擦力。这种装置可对所测数据立即进行处理、分析,并用直观的图表显示出来。由于取消了所有的机械机构,因此能记录下极短周期     

设计作为一种探寻约束的过程

我们想了解作为建筑师是如何思考设计问题的,我们有一两个想法。我们建议将设计过程编成计算机程序,如果计算机能模仿建筑师,哪怕只有一点,这一实验也就成功了。我们的理论就成活了,这一程序也就值得作进一步深入完善的推敲。设计程序是一种理论同时也是一种实验。作为实验,它有清晰明了、便于控制的优点;作为理论,又有不够简洁的缺点。优缺点兼而有之。设计是一个解决问题的过程,解决途径往往不止一个。简略地说,建筑这类设计的结果即使错一般也不会全错。多数是可以满足要求的,部分等而次之,少数绝妙高明,但     

中等直径炮孔中炸药的爆炸特性

南非各采石场普遍采用直径为64毫米和80毫米的两种炮孔,使用的炸药为散装铵油炸药和包装代拿买特和浆状炸药。目前的法规要求是,露天矿超过3米的炮孔,要敷设导爆索。因此,中等直径的药包大多数都是侧面起爆。借助64毫米和80毫米两种直径的双钢管,试验研究了炸药在钢管中的爆炸特性。上部管为壁厚约3毫米的低碳钢蒸汽管。选     

石油科技研究的未来发展方向

最近20年来，由于油价波动引发的公司重组、兼并和裁员，使得许多研究机构关闭，油公司对科研项目的支持也有所降低．长期研究项目的减少造成创新思维的不足，很多研究工作仅仪为了满足降低成本的需要而进行技术改进。在新的形     

Java游戏开发Step by Step系列之三——Java游戏开发起步

前面已经介绍了Java游戏开发所要掌握的基础知识,分析了当今游戏开发的常规知识。想必大家已经有点儿迫不急待地想亲自动手打造一个属于自己的Java游戏了。好吧好吧,先让我们从Java游戏开发的各个技术环节简单处理,来全面体验一下Java开发游戏的乐趣吧! 在开始之前还得确认你已经看完了系列的“Java游戏开发基础”,“游戏开发常规”,并已经安装了Java JDK、浏览器软件(如IE)。本章是以Internet为开发对象,一步一步教大家认识Java的Thread、Applets以及游戏编程中的动画技术、图像处理技术、声音技术以及事件处理。在每一小部分     

防止掘进机电缆机械损坏的保护装置

东方科学研究设计院研制了一种采矿机械照明电缆的新的机械保护装置。这种装置是用金属网铠装的高压橡胶软管制成的,被保护的电缆就置于其中。电缆套管按全苏标准16.5.189.0021—75的要求加工并有螺纹管接头,可将其拧接在金属网铠装的软管上。一台掘进机的照明和信号电缆平均需要10米高压铠装软管,而一台装载机需要11米。     

用于VLSI的注入氮化物特性

本文描述了在VLSI研制中通过氮注入形成氮化硅层。在形成各种氮化物层的过程中,注入分子氮能量范围为5到60keV,随后在1000℃的氮中退火。描述在炉中退火前后所形成的氮化物层特性,在不同的IR、SIMS和椭圆对称测量情况中找出局部氧化掩模的有效注入条件。相对于整个注入能量范围,注入氮的最初IR峰值为815cm~(-1)。对于退火后的高能量注入来说该位置会漂移到一个较高的波长数,低能量注入峰值接近于830cm~(-1),上述均与LPCVD为氧化物峰值相比而言。此研究结果认为,低能氧化物的化学成分几乎是可用定量计算的。退火过程中浓度分布向着表面漂移,并将增高峰值区氧的浓度。从氮化物分布剖面看最大值是在表面,而在<10keV时消失。在1000℃的蒸汽中生长5300(?)氧化层进行测试这些氮化物掩模特性。剂量为5×10~(16)N_2~+/cm~(-2)离子的氮化物在注入能量低于40keV会形成有效的氧化掩模。在此实验条件下,在10keV下所形成的氮化层可认为是一个有效的氧化掩模,足以适应选择性地腐蚀SiO_2,减小“鸟嘴”尺寸为常规LOCOS的四分之一。