Comparison of prototype and rote instruction of English names for Chinese visual characters

This study compared prototype and rote instruction of English names for Chinese visual characters. In the prototype condition, participants were taught the meaning of the prototype that served as the distinctive feature of multicomponent characters. In the rote condition, participants traced the character and wrote its translation. Participants learned more rapidly and maintained more words in the prototype condition.     

光学活性物质的工业生产方法

本文介绍了光学８活性牺牲垢几种工业规模的生产方法及最新的进展，分析了各种方法的特点及存在的问题。     

一种新型卷绕方式CPW介绍及应用

主要介绍了德国ＮＥＵＭＡＧ公司开发的新型高速卷统方式ＣＰＷ（致密精密卷绕）的工艺技术特点，并对引进和应用该设备技术的生产情况及其产品质量做了对比分析．     

双目传感器结构优化设计

综合分析了摄象机摆放姿态与双目传器有效视场的关系，同以往简单分析方法不同，文中全面分析了各种情况不同结构参数对传感器精度的影响，介绍了摄象机标定及传感器结构参数获取的方法，实验数据表明，上述分析正确，测量结果令人满意。     

坐便器与水箱配件在标准中的配套性要求

详细介绍了坐便器与水箱配件在新标准中的配套性技术要求,分析了2种产品配套性指标和相关的检测方法。     

Topological current structure of dislocations in the 4-dimensional gauge field theory of disclocation and disclination continuum

The topological current structure of dislocations is studied by means of decomposition of gauge potential in the 4-dimensional gauge field theory of dislocation and disclination continuum. The dislocations in defect continuum are globally classified in terms of winding numbers and locally characterized by Brouwer degrees and Hopf indices. It is shown that the topological dislocation current corresponds to the motion current of a set of strings, in which the strings are just the dislocation lines. And the topological dislocation current can be expressed as the cross product of the topological disclocation density and the velocity of the strings.     

20keV～17MeV中子能谱测量

基于质子反冲方法，建立了一套宽能区，高效率的中子谱仪系统，分别用三支充不同气压氢和甲烷的球形正经计数管和一个有机闪烁探没器分段测量２０ｋｅＶ～１７ＭｅＶ的中子能谱，为了去除γ射线本底，对两种探测器分别采用了两种不同的脉冲形状别技术，谱仪直接测量的是中子在探测器中产生的反冲质脉冲幅度谱，通过解决矩阵方程的方法得到中子谱，解谱中所用的各个探测器的中子响应矩阵均蒙特－卡洛方法计算得到，谱仪在全能区的中子     

宽带钢冷轧机颤振控制的数值模拟

本文以较为准确的轧机振动状态下的轧制压力模型为基础，对宽带钢冷轧机干摩擦阻尼减振进行了数值模拟的研究。研究结果与实际观测值相等。     

轻/重水堆中子辐照氢区熔硅退火特性的比较

用电阻率测量、金相观察以及红外光谱等方法分别研究了氢区熔硅单晶在轻水反应堆和重水反应堆进行中子辐照后的退火特性。电阻率退火曲线表明，两种中子辐照样品都存在氢致施主。随着退火温度由低到高，轻水堆辐照样品存在一个导电类型由ｐ型到ｎ型的转型过程，而且在这种转型过程中，有一个明显的“周边滞后”现象。在重水堆辐照样品中，热处理缺陷表现为氢致Φ型缺陷（大麻坑），而在轻水堆辐照样品中，热处理缺陷表现为尺寸小得多的氢沉淀。红外光谱测量结果表明，重水堆中子辐照的样品经短时退火后观察不到氧沉淀，而在轻水堆辐照样品中存在吸收峰在１２３０ｃｍ－１附近的氧沉淀。