盐家油田油水井结垢原因探讨

对地层温度65～75℃的盐家油田油水井近井地带、井底、井筒发生严重结垢的原因进行了分析探讨。7口油井采出的地层水均为NaCO3型水．矿化度6．4～10g／L，HCO3浓度高（1．6～3．7g／L），Ca^2＋＋Mg^2＋浓度较低；1口水源井水及1口水井注入水为CaCl2型水，矿化度32～33g／L，Ca^2＋＋Mg^2＋浓度高（3．1～3．8g／L）而HCO3浓度低；采用CaCO3饱和指数法和CaSO4热力学溶解度法预测，在70℃下所有水样均有CaCO3结垢趋势，除3口油井采出的地层水外，均有CaSO4结垢趋势。3口油井采出的地层水与水源水在25℃按不同比例混合后，悬浮物含量大幅度上升。在70℃放置7天后再次大幅度上升，烘干的悬浮物易溶于稀盐酸．其主要成分为碳酸盐．说明注入水、地层水不配伍。1口电泵采油井和1口注水井油管垢样含盐酸可溶物（碳酸盐）超过90％。讨论了碳酸盐、硫酸盐垢的生成条件：温度、压力及pH值。图1表4参3。     

准最佳二进阵列偶

本文在最佳二进阵列、准最佳二进阵列和最佳二进阵列偶的基础上,定义了一种新的最佳信号,即准最佳二进阵列偶.讨论了准最佳二进阵列偶的体积、变换性质,并对其进行了Fourier频谱分析,得到了部分有益的结果.还用计算机穷举搜索出了体积从2~24的准最佳二进阵列偶.     

高压电动机定子线圈匝间绝缘问题的探讨

在实践经验的基础上，分析了我国匝间绝缘短路的主要原因，提出在匝间绝缘的设计，制造工艺及耐压试验等工序采取合理措施，以提高匝间绝缘的可靠性。     

定数截尾场合下Weibull分布的形状参数置信下限

为了求得双参数Weibull分布的形状参数m的单侧置信下限,通过构造统计量T1(m)=V/S1 V,推导出其分布与参数m、η无关,且其分位点计算简便.由此可得参数m的置信下限,且证明其为无偏.并通过大量的Monte-Carlo数值模拟试验证实了所给方法的可行性.     

新型高温永磁体的研制

通过分析影响磁体高温性能的因素,设计了新磁体的成分为:Cu含量高,Fe含量低,Zr适量,Sm含量高;采用粉末冶金工艺制备了高温Sm_2(CoFeCuZr)_(17)永磁体。制得的磁体室温磁性能为:B_r1.075 T,H_(ei)2 098.2 kA/m,H_(eb) 776.1 kA/m,H_k843.8 kA/m,(BH)_(max)210.0 kj/m~3;在200℃时的磁性能为:B_r0.991 T,H_(ci)1 175.7 kA/m,H_(cb)531.7 kA/m,H_k577.9 kA/m,(BH)_(max)172.5 kJ/m~3;矫顽力温度系数β(20～200℃)为-0.24％/℃。经理论分析和实验验证,磁体的使用温度均超过400℃,为高温环境(高于400℃)提供了一种实用性永磁材料。     

水利工程建设中的伦理问题初探

阐述了当前水利建设取得的成就，并着重分析了其中存在的若干伦理问题，以期引起社会的广泛关注，以求得理想的改善途径。     

混凝土外加剂在防渗工程中的应用

根据江东灌区的工程实际，总结了在渠道防渗工程中混凝土外加剂应用情况，提出了应用中的注意事项。     

Comparative study of self-assembling of multilayers using reactive sputter deposition and mass selective ion beam deposition

While experimenting with the growth of metal-containing amorphous carbon (a-c:Me) thin films using two different growth processes, self-assembled multilayered structures were observed. One of the processes is a reactive magnetron sputter deposition process. The other process is a mass selective ion beam deposition process. Despite of the differences in the growth method and the growth condition, self-assembled multilayered thin films, consisting of alternating dark layer and bright layer, were obtained in both processes. Based on the consideration of energy for atomic diffusion in the thin films, the growth mechanism is discussed.