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A.L. Pan H.G. ZhengZ.P. Yang F.X. Liu Z.J. Ding Y.T. Qian 《Materials Research Bulletin》2003,38(5):789-796
Small Ag particles or clusters dispersed mesoporous SiO2 composite films were prepared by a new method: First the matrix SiO2 films were prepared by sol-gel process combined with the dip-coating technique, then they were soaked in AgNO3 solutions followed by irradiation of γ-ray at room temperature and in ambient pressure. The structures of these films were examined by X-ray diffraction (XRD), high-resolution transmission electron microscope (HRTEM), and optical absorption spectroscopy. It has been shown that the Ag particles grown within the porous SiO2 films are very small, and they are isolated and dispersed from each other with very narrow size distributions. With increasing the soaking concentration and an additional annealing, an opposite peakshift effect of the surface plasmon resonance (SPR) was observed in the optical absorption measurements. 相似文献
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光通信技术发展的新亮点 总被引:1,自引:0,他引:1
自光通信问世以来,经历了研究探索、实用化、推广应用、快速发展等时期,直至2001年,达到急剧发展的高潮。随着世界经济的滑坡,通信行业的不景气,使光通信也进入了寒冷的冬天。实际上,即使在经济低速的时期,光通信的技术依然没有停止发展,而且出现了不少继续将光通信推向前进的新亮点。从技术和应用的角度,简要介绍一些光通信的新技术。 相似文献
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In this paper, we propose a new reduced-complexity decoding algorithm of Low-Density Parity-Check (LDPC) codes, called Belief-Propagation-Approximated (BPA) algorithm, which utilizes the idea of normalization and translates approximately the intricate nonlinear operation in the check nodes of the original BP algorithm to only one operation of looking up the table. The normalization factors can be obtained by simulation, or theoretically. Simulation results demonstrate that BPA algorithm exhibits fairly satisfactory bit error performance on the Additive White Gaussian Noise (AWGN) channel. 相似文献
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文章提出了几种改进译码器引爆能力的方案,详细介绍了这几种方案的优缺点及实施的方法,为多井组合激发勘探提供了技术保证。 相似文献
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提出了基于OpenGL技术的一种由面模型构造三维盒体的方法,以多边形组成一个面、以面为基本单元构造纸盒,并将其应用于三维包装纸盒设计系统的开发中,该系统不仅实现了纸盒结构的二维平面设计,而且能够仿真三维盒型,并采用贴图技术看到装潢设计的立体效果。 相似文献
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本文报道采用液相外延(LPE)生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层(三层或三层以上)中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的InGaAs(P)/InP雪崩光电二极管(简称InGaAs(P)/InPSAGMAPD),其技术指标为:击穿电压VB=40~90V;0.9VB时的暗电流Id最小可小于10nA;1.3μm时光响应度Re=0.6~0.8A/W,倍增因子M≥20(Mmax>40),过剩噪声因子F≌5和较宽频带响应特性。 相似文献