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101.
PZT铁电薄膜的制备及电学性能研究 总被引:6,自引:1,他引:5
使用硝酸锆作锆源的溶胶-凝胶方法制备PZT铁电薄膜。他们的电学性能被测试包括电滞回线,电流I(t)特性,漏电流,矫顽场疲劳和老化。测到的PZT薄膜剩余极化8.2μC/cm~2,矫顽场68kV/cm.簿膜的寿命可超过10~(11)周期。 相似文献
103.
根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术,即:大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入,通过介质掩膜注入,注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入(PIII)和反冲离子注入等。 相似文献
104.
光盘用光学头物镜性能的综合评估 总被引:1,自引:0,他引:1
论述了采用波象差均方根、点扩展函数、光学传递函数对高次旋转对称非球面光学头物镜性能进行综合评估的方法。作者在正则坐标理论基础〔1〕上编制了光学头物镜性能综合评估软件。给出了评估实例。 相似文献
105.
106.
107.
将信道传输容量动态分配技术应用于数字用户环路复用设备中,可用效地解决复用设备线路复用率和话音传输质量之间的矛盾,从而使复用设备具有最佳的传输效果。本文介绍了一种性能优良的统计复用信道的数字用户环路复用设备。 相似文献
108.
SynthesisofaPolyaminopolycarboxylicAcidandFluorescenceofTb3+ComplexesinAqueousSolutionGongMenglian(龚孟濂),WuWeining(吴炜宁),ShiHu... 相似文献
109.
110.
将等离子体刻蚀应用于非晶硅的刻蚀中,得到边缘整齐、分辩率高、重复性好、图形清晰的满意效果。通过调整工艺条件,可严格控制刻蚀速率。其特点优于湿式化学腐蚀,是一种非晶硅特性研究和器件制造中值得推广和使用的方法。 相似文献