磐石镍矿冶炼厂的生产简介

磐镍冶炼厂一九七九年八月建成,所选工艺流程为:精矿经回转窑干燥后,送轮碾机碾压,再送压团机压团,团矿在竖式干燥炉干燥,然后送矿热电炉,熔炼得镍冰铜送转炉吹炼,产品为高冰镍。此工艺流程国内並无先例,由于设计部门     

赴日参观点滴

1981年5月中下旬,我们乘参加日本工业火药协会春季年会之便,在日本参观了一些炸药工厂和一些研究所。简单介绍如下: 1.日本的民用炸药日本的炸药工业生产不是单独成为一个工厂,而仅作为大公司中的一部分(车间)。由于日本是战败国,     

炼镍转炉采用水套炉口

水套炉口在炼铜转炉上已应用多年,并取得较好的效果,给生产带来直接好处。磐石镍矿冶炼厂投产三年来,生产正常,但因转炉使用钢板炉口,在吹炼过程中粘结严重,操作条件恶化,使钢板炉口寿命短,清理     

深基坑施工在南水北调穿越工程中的应用

通过对南水北调穿越工程中深基坑施工的处理方法应用,介绍了施工管理措施、基坑开挖方案、安全监测、防护措施等内容,成功完成了深基坑工程,为类似工程提供宝贵经验。     

SiC/Al2O3界面结构的同步辐射X射线掠入射衍射研究

采用固源分子束外延技术,以Al2O3为衬底,在1100℃下制备SiC薄膜。利用同步辐射X射线掠入射(GID)实验技术对生长的样品的界面结构进行了研究。结果表明,薄膜面内存在压应变,同时发现薄膜晶体质量在远离薄膜和衬底界面区会逐渐变好。GID和X射线衍射的摇摆曲线结果表明薄膜中镶嵌块的扭转大于倾斜,说明SiC薄膜在垂直方向的晶格排列要比面内更加有序。     

硅碳比对Si(111)表面SSMBE异质外延SiC薄膜的影响

利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在不同的硅碳蒸发速率比(Si/C)条件下, 在Si(111)衬底上生长SiC单晶薄膜. 利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术, 对生长的样品形貌和结构进行了研究. 结果表明, 在Si/C比(1.1:1.0)下生长的薄膜样品, XRDω扫描得到半高宽为2.1°; RHEED结果表明薄膜具有微弱的衍射环, 有孪晶斑点. 在Si/C比(2.3:1.0)下生长的薄膜, XRDω扫描得到的半高宽为1.5°, RHEED显示具有Si的斑点和SiC的孪晶斑点. AFM显示在这两个Si/C比下生长的样品表面都有孔洞或者凹坑, 表面比较粗糙. 从红外光谱得出 薄膜存在着比较大的应力. 但在Si/C比(1.5:1.0)下生长的薄膜样品, XRDω 扫描得到的半高宽仅为1.1°; RHEED显示出清晰的SiC的衍射条纹, 并可看到SiC的3×3表面重构, 无孪晶斑点; AFM图像表明, 没有明显的空洞, 表面比较平整. FTIR谱的位置显示, 在此Si/C比下生长的薄膜内应力比较小. 因此可以认为, 存在着一个优化的Si/C比(1.5:1.0), 在这个Si/C比下, 生长的薄膜质量较好.     

锅式法生产固体氢氧化钠的质量影响因素

简述了锦化化工(集团)有限责任公司锅式法生产离子膜固碱的原理及工艺流程。着重分析了影响固碱质量的各种因素,并提出了提高固碱质量的措施。     

数字阀PCC智能调速器在水电站设备改造中的应用

介绍了一种全新的水轮机调速器,电气部分以PCC可编程计算机控制器为核心,软件采用高级语言;电气液压转换部件采用电磁球阀,机械液压放大元件采用二通插装阀,采用无杠杆,无明管路结构。实际应用结果表明,该型调速器调试简单,维护方便,具有先进的技术性能和高可靠性。