光缆线路外包维护的决策与管理

光缆传输网是我国信息化建设的基础网络,其运行和维护水平直接影响服务质量.但相对于其它主通信设备而言,光缆线路是非核心设备,其维护技术含量较低、劳动密集程度高,企业易控制,适宜外包维护.分析了光缆线路维护的问题、外包决策动因,讨论了外包维护的内容与方式,并对外包维护的过程管理和改进措施进行了探讨.     

单基三电极石英晶体谐振器频率-温度特性研究

设计了一种新型的单基三电极石英晶体谐振器,并在大气环境条件下测试分析了这种谐振器的频率-度特性,验证了其频率-度特性与已有的单基单电极谐振器的频率-温度特性基本一致,曲线为三次曲线.在相同激励及环境条件下,在同一基片上设置多对电极时,各对电极构成的谐振器的频率-温度特性基本相同.根据这种相似特点,将同一基片上不同电极对应的谐振器的振动频率进行差频补偿,可有效地抑制温度对谐振器振动频率的影响.这种谐振器所采用的差频补偿方法可为石英谐振器相关特性的进一步开发利用提供依据.研究了这种结构的石英晶体谐振器的晶片表面处理(是否抛光)及边沿形状(是否倒边)对其频率-温度特性的影响.实验结果表明,对单基多电极石英晶体谐振器的晶片表面进行抛光并对边沿进行倒边处理后,谐振器的稳定性得到了有效的改善,性能得到了优化.     

基于Boost电路的光伏发电MPPT控制系统仿真研究

基于光伏电池输出特性及MPPT控制原理的分析,研究了基于Boost电路的光伏发电MPPT控制系统的模型,并分析了该模型中各子模块的工作原理,并应用Simulink软件搭建了整个系统的仿真模型。以光伏阵列STP0950S-36为例,仿真验证了所研究的MPPT控制系统能很好地实现最大功率跟踪,并能快速响应外界环境的变化,有效提高光伏发电的效率。     

直播卫星户户通接收设备安装开通优化与实现

随着直播卫星户户通工作的推广,安装、开通过程中的操作复杂、提示信息不全面、用户体验较差等问题也逐渐显现,本文从实际工作角度出发,分析了目前户户通开通方式以及存在的问题,并给出了解决方案。     

无线通信技术在海上风电工程中的应用

针对海上风电基建期和运维期对通信的差异化需求,分析了卫星、4G/5G、微波通信的技术特点,提出了一种微波与4G技术融合组网的无线通信方案.在基建期利用微波通信技术传输监控信息,利用船载4G和微波技术传输话务信息,在运维期利用4G和微波技术传输监控、话务信息.最后分别对基建期和运维期方案所需的设备及服务进行了系统配置,不...     

新型机器人视觉系统准直相干光束的获取

论述了一种新型的机器人视觉系统所用激光准直光束的获取方法，分析了半导体激光束的像散椭圆高斯光束特性，设计了光束准直系统的光学结构，利用光斑法对准直度进行了检验。实验证明利用这种方法获取的直光束符合该视觉系统的要求。     

微波站防雷技术问题的探讨

葫芦岛微波总站针对当前电子设备防雷工作存在的问题,结合目前广泛使用的浪涌保护器、压敏电阻器等防雷元器件的技术参数、选择方法进行探讨、实践,认为浪涌保护器多级保护中保护电压值应逐级递减、最后一级的保护电压值应不超过交流250伏;浪涌保护器接保护地线端应改接到零线;提出了浪涌保护器等防雷器件自身过度保护的问题;提出了利用压敏电阻器进一步限制电源过电压的原则和方法 ;在信号传输天馈系统使用压敏电阻器进行防雷保护。配合其它的综合防雷措施,取得了很好的效果,提高了电子设备的抗雷击性能。     

微型投影系统光路设计

为了改善传统的数字光处理投影系统（DLP）体积较大、结构复杂、成本较高、对光源的利用效率较低的问题,采用一种基于单颗三色发光二极管作为照明光源,单颗透镜形成平行光的新型DLP投影光路结构的方法,对传统光路进行了改进与优化。无需传统光路中的色轮,透镜直接实现了传统投影光路中聚光和匀光的复杂结构,并利用TRACEPRO软件进行建模,通过光线追迹对该投影光路进行了光学分析。结果表明,整个光学系统的体积控制在76.8mm×32.2mm×25mm,光能利用率达到了60.1%,光斑均匀性达到了96.6%,屏幕表面的光通量为21.7lm。该研究减小了投影光路体积,简化了光学结构,提高了光能利用率。     

纳米硅/晶体硅异质结电池的暗I-V特性和输运机制

采用HWCVD技术在P型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅／晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗I-V特性和相应的电池性能参数．室温下的正向暗I-V特性采用双二极管模型来拟合,可将0～1V的电压范围区分为4个区域：旁路电阻（0～0．15V）、非理想二极管2（0．15～0．3V）、理想二极管1（0．3～0．5V）和串联电阻（〉0．5V）．拟合结果表明,适当的氖处理时间（～30s）可有效降低非理想二极管的理想因子n2,即降低界面复合电流,表明具有好的界面特性．对于282～335K的暗I—V温度特性的研究表明,在0．15～0．3V的低电压范围,暗电流主要由耗尽区的复合电流提供,0．3～0．5V电压范围,对输运起主要作用的是隧穿过程,该过程可用通过界面陷阱能级的隧穿模型来解释．