基于Android平台的HART组态软件设计

目前由于带有HART通信协议工业现场仪表多是通过PC机串口加HART调制解调器进行组态,另一种是用手操器组态,这对于一些复杂现场环境人员操作不是很方便。针对这种情况,提出采用Android智能手机组态的方法。该方法使用Android系统自带的蓝牙和HC-05蓝牙通信模块建立一种蓝牙通信,然后通过MSP430G2553模拟HART现场仪表,最终实现对HART现场仪表组态。     

铝基复合材料超声波钎焊陶瓷颗粒增强接头强度机理(英文)

对含有55%SiC高体积分数的铝基复合材料以Zn基合金作为钎料层进行超声波辅助钎焊。在420℃和475℃钎焊温度下,形成分别含有7%和35%SiC体积分数的连接接头。两种接头的微观拉伸原位分析结果显示,它们不但具有不同的微观结构,而且具有不同的裂纹生长传播机制,从而具有不同的力学性能。含有35%SiC的接头剪切强度达到244MPa,比含有7%SiC的高出84.7%。其原因是接头中SiC颗粒可以抑制裂纹的产生及传播,Al基固溶体也可抑制裂纹生长。因此,在合适的超声波钎焊温度下,SiC颗粒和Al元素更多地扩散至接头区,使得接头剪切强度增高。     

基于自适应差分的多目标检测和跟踪

运动目标检测与跟踪在诸多领域里都有广泛的应用,是当前计算机视觉的一个热门领域。利用自适应阈值差分的方法对运动目标进行检测,并使用轨迹关联的方法对多目标进行跟踪。实验结果表明,该种算法很好地实现了视频图像中多目标检测和跟踪,更符合实际应用的需求。     

基于C语言的3G网络加密程序设计

针对移动通信3G网络在现阶段存在的安全问题,设计了安全体制的总体结构及加密程序;基于面向对象型的设计思路,对记事本‘key.txt’进行数据编辑,围绕记事本进行查找、插入、修改、删除以及增加等操作来调取数据,灵活性强,并且对存储的数据进行加密;最后通过运行加密程序及结果分析,证明了该3G网络加密程序的正确性和可行性。     

Fe/TiO_2纳米复合物的制备、表征及其性能

采用溶胶-凝胶结合氢气还原方法,制备了Fe与TiO2两相共存的纳米复合物。透射电子显微镜(TEM)图片显示,纳米复合物的颗粒大小为100~300nm,且具有明显的核/壳结构。X射线衍射结果表明,纳米复合物中存在a-Fe与金红石型TiO2结构,未发现其他杂相。振动样品磁强计(VSM)的测量结果表明,样品具有较高的比饱和磁化强度。研究表明,通过控制前驱物的用量,能有效改变样品的磁性。热重分析(TGA)结果表明,样品具备很好的抗氧化性。复合介电谱和磁谱表明,在测量的微波频率范围内,样品的介电损耗大于磁损耗。     

螺旋碳纳米管的制备、表征及性能

采用溶胶-凝胶结合氢气还原方法制备了Ni纳米颗粒,并用这种Ni纳米颗粒作为催化剂,通过催化裂解乙炔的方法在425℃制备了螺旋度较高且呈对称生长的螺旋碳纳米管。结果表明,本方法简单、成本低、环境友好,可大量制备高纯度螺旋碳纳米管。场发射扫描电镜(FE-SEM)及高分辨透射电镜(HR-TEM)图片表明,通常情况下两根旋向相反的螺旋碳纳米管生长在一个催化剂颗粒上,且这种纳米螺旋呈空心管状。X射线衍射及拉曼光谱分析表明,所得样品成分为有缺陷的石墨结构和镍多晶,未发现其他杂相。此外,对样品的磁性及微波吸收性能进行了研究。     

基于ANSYS的铣床工作台动态特性分析

基于ANSYS软件建立了数控铣床工作台的三维有限元模型,对工作台进行了无预紧力和有预紧力情况下的模态分析,分别得出了工作台前4阶的固有频率和振型。分析结果为评定数控铣床工作台的动态特性提供了依据,也为对铣床进行进一步动力学分析打下了理论基础。     

鄂尔多斯博物馆双曲异型金属屋面施工技术

异型建筑施工中,适宜的测量及安装方法和技巧,决定着异型建筑的效果和质量。鄂尔多斯博物馆金属屋面及幕墙工程的施工过程中,根据工程体形及功能要求,找出其特征要素或控制要点,从而对主体支撑结构变形量进行控制和监测,保证了工程的施工质量。     

基于光子晶体波导的折射率传感器的灵敏度优化设计

通过研究波导两侧缺陷处的折射率对二维光子晶体波导透射光谱的影响,提出一种提高折射率传感器灵敏度的方案。计算结果表明光子透射带上边沿的偏移量与传感区折射率的大小存在一定关系,在相同的折射率变化量下通过改变波导两侧缺陷处圆孔的相关几何参数可极大提高光子透射带上边沿的偏移量,即提高折射率传感器的灵敏度。通过优化设计,传感器的灵敏度由折射率变化区间0.0~1.0的55 nm/RIU(RIU表示折射率单元)与1.1~2.0的36 nm/RIU分别提高到对应的405 nm/RIU以及222 nm/RIU。     

流延法制备纳米SiO_2压电陶瓷的结构及性能

采用流延法使用无定型纳米SiO2原料粉制备SiO2压电陶瓷,XRD和SEM结果表明,烧结温度为850℃和950℃时未发生晶化反应,当烧结温度为1 050℃时生成α-方石英,晶粒尺寸随烧结温度的升高而长大,不同烧结温度下压电常数分别为1.1pC/N,1.2pC/N和1.4pC/N,烧结温度越高介电常数越大,机械品质因数越大,而介电损耗与烧结温度无关。