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141.
142.
天津公安消防总队在推进“四个能力建设”和筑牢“防火墙”工程中,紧紧围绕3月1日刚刚实施的天津市《单位消防安全管理标准》,用“1、2、3、4”四个数字对其进行简明扼要和清晰准确的阐释,名为“1234工程”,目前正在全市7000余家消防安全重点单位全面实施。 相似文献
143.
作为装配式建筑的一个分支,装配式住宅的施工质量不仅影响着建筑行业整体发展水平,而且关系着居住者的生活品质.基于工程项目实践,从监理角度出发,通过对目前装配式住宅建筑这一新型结构形式的施工质量控制难点的研究和分析,试图找出解决质量问题的方法和途径,供广大工程建设者借鉴,回应住房消费者对质量的关注. 相似文献
144.
获取准确的电性特征参数是进行储层含油气饱和度评价的基础。选取不同物性范围内的9块法国巴黎盆地枫丹白露砂岩样品,开展岩石电性参数室内测试,并基于逾渗理论分析,提出了能表征储层岩石电性特征的新模型,并采用阿尔奇(Archie)公式和新模型对实验数据进行拟合分析。研究表明:高孔渗岩样的电性关系与经典Archie线性关系匹配较好,呈线性关系;中、低孔渗岩样在低含水饱和度条件的电性关系与Archie线性关系均出现一定程度偏离,表现为明显的非Archie特征,分析认为复杂的微观孔隙结构是诱发储层的电性关系与Archie线性关系为非线性关系的主要因素;基于Archie公式得到的饱和度指数n为0.948~1.820,与渗透率的平方相关性较好,与孔隙度的平方相关性较差;胶结指数m为1.6~1.9,岩性系数b为1.003~1.036,二者与孔隙度、渗透率的相关性均较差。研究认为新模型能更准确地表征复杂岩石电性的非线性特征,进一步丰富了储层含油气饱和度的评价方法。 相似文献
145.
明确可动流体含量、分布及影响因素是有效评价致密储层开发潜能的基础。选取准噶尔盆地芦草沟组21块致密砂岩样品,采用核磁共振T2谱分析和离心实验相结合的方法,测量岩样在不同含水饱和度下的核磁共振T2谱,并辅以铸体薄片和扫描电镜技术分析储层可动流体含量差异的影响因素。结果表明:储层岩样核磁共振T2谱主要呈现为5种形态,复杂的储层微观特征和孔喉结构均是导致核磁共振T2谱形态多样的主要原因;储层建立束缚水饱和度的最佳离心力是400~450 psi,计算得到可动流体饱和度为29.44%~68.92%,平均值为46.69%,不同岩样可动流体含量和分布均有明显差异,可动流体分布的有效孔喉半径下限约为50 nm,储层主流喉道半径为70~200 nm;可动流体含量和物性参数之间的关系表明,对于物性较差的储层,渗透率是决定可动流体含量的主要因素,但对于物性较好的储层,渗透率对可动流体含量的影响较小;孔隙类型、形状及表面粗糙程度均会影响储层束缚水含量和分布;储层次生孔隙的发育程度及分布、孔喉半径大小及连通性、黏土矿物的充填程度及产状和裂缝的发育情况都会对可动流体含量产生影响。该研究成果可为致密储层开发潜力评价提供依据。 相似文献
146.
147.
采用碳热还原法合成了橄榄石型LiFe1-xCrxPO4/C(x=0,0.02,0.04,0.08)锂离子电池正极材料。通过X射线衍射对材料的晶体结构进行了分析,通过恒电流充放电、循环伏安和电化学阻抗测试技术对材料的电化学性能进行了测试。实验结果表明,所制备的材料LiFe1-xCrxPO4/C(x=0,0.02,0.04,0.08)均具有单一的橄榄石结构,其中材料LiFe0.96Cr0.04PO4/C的电化学性能最佳,以0.2C的倍率循环充放电,首次放电比容量可达142.41mAh/g,30次循环后放电比容量仍保持在137.05mAh/g以上.保持率为96.24%。 相似文献
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铬元素掺杂对Li4Ti5O(12)电化学性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了采用高温固相法合成掺铬Li4Ti5O12作为锂离子电池负极材料,并对材料进行了X射线衍射分析、SEM、电化学阻抗测试、循环伏安测试及恒电流充放电测试。铬的掺杂并未改变材料的晶体结构,但降低了材料的规整度。实验结果表明:铬的掺杂在一定程度上改善了锂钛氧化合物的电化学性能,降低了电极极化,在电极表面未形成钝化膜。其中以掺杂比为Cr∶Ti=1∶10(原子比)的材料性能最好,首次放电比容量可达到175mAh/g,经过50次循环后,放电容量仍保持在166.5mAh/g。 相似文献
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150.
在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术--注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度lμm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用原子力显微镜(AFM)和剖面透射电镜(XTEM)对其表面形貌和结构进行了表征.研究结果表明,SIMOX材料顶层硅通过键合技术转移后仍能够保持其厚度均匀性,且埋氧层和顶层硅之间具有原子级陡峭的分界面,因此注氧键合技术将会是一项有广阔应用前景的SOI制备技术. 相似文献