首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1615185篇
  免费   29227篇
  国内免费   7905篇
电工技术   36014篇
技术理论   5篇
综合类   7513篇
化学工业   274319篇
金属工艺   66522篇
机械仪表   46458篇
建筑科学   48960篇
矿业工程   12078篇
能源动力   50681篇
轻工业   126943篇
水利工程   16412篇
石油天然气   38780篇
武器工业   389篇
无线电   200796篇
一般工业技术   301376篇
冶金工业   215285篇
原子能技术   34453篇
自动化技术   175333篇
  2021年   16070篇
  2020年   12336篇
  2019年   15028篇
  2018年   18257篇
  2017年   17668篇
  2016年   22871篇
  2015年   18259篇
  2014年   29469篇
  2013年   89195篇
  2012年   39578篇
  2011年   54255篇
  2010年   46224篇
  2009年   53655篇
  2008年   49964篇
  2007年   47834篇
  2006年   48295篇
  2005年   43115篇
  2004年   44155篇
  2003年   43682篇
  2002年   42476篇
  2001年   39701篇
  2000年   37840篇
  1999年   37735篇
  1998年   61312篇
  1997年   49222篇
  1996年   41664篇
  1995年   34373篇
  1994年   31757篇
  1993年   31690篇
  1992年   27152篇
  1991年   24294篇
  1990年   24558篇
  1989年   23659篇
  1988年   22204篇
  1987年   20357篇
  1986年   19740篇
  1985年   23014篇
  1984年   22825篇
  1983年   20743篇
  1982年   19646篇
  1981年   19571篇
  1980年   18158篇
  1979年   18577篇
  1978年   17865篇
  1977年   18280篇
  1976年   20608篇
  1975年   16013篇
  1974年   15516篇
  1973年   15621篇
  1972年   13161篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 328 毫秒
21.
Refractories and Industrial Ceramics - The paper introduces a promising technology for utilizing a traditional scheme for implementing a flow-through micro-arc oxidation method to restore localized...  相似文献   
22.
Theoretical Foundations of Chemical Engineering - On the basis of the classic concepts of the theory of solid-phase combustion, for the first time, a model with a detailed scheme of chemical...  相似文献   
23.
24.
Multimedia Tools and Applications - Recently, many concepts in technology has been changed. According to the digital transformation trends, Internet of Things (IoT) represents an interested...  相似文献   
25.
In this study, dilute chemical bath deposition technique has been used to deposit CdZnS thin films on soda-lime glass substrates. The structural, morphological, optoelectronic properties of as-grown films have been investigated as a function of different Zn2+ precursor concentrations. The X-ray diffractogram of CdS thin-film reveals a peak corresponding to (002) plane with wurtzite structure, and the peak shift has been observed with the increase of the Zn2+ concentration upon formation of CdZnS thin film. From morphological studies, it has been revealed that the diluted chemical bath deposition technique provides homogeneous distribution of film on the substrate even at a lower concentration of Zn2+. Optical characterization has shown that the transparency of the film is influenced by Zn2+ concentration and when the Zn2+ concentration is varied from 0 M to 0.0256 M, bandgap values of resulting films range from 2.42 eV to 3.90 eV while. Furthermore, electrical properties have shown that with increasing zinc concentration the resistivity of the film increases. Finally, numerical simulation validates and suggests that CdZnS buffer layer with composition of 0.0032 M Zn2+ concentration would be a promising candidate in CIGS solar cell.  相似文献   
26.
Combustion, Explosion, and Shock Waves - Results of a numerical study of mixing, ignition, and combustion of a cold hydrogen jet propagating along the lower wall of a channel parallel to a...  相似文献   
27.
Multimedia Tools and Applications - In this work, a new fuzzy logic-based algorithm is proposed for the enhancement of low light color images. A generalization of a fuzzy set known as an...  相似文献   
28.
Multimedia Tools and Applications - The three-dimensional models of brain tumors serve as diagnostic assistance for physicians, surgeons, and radiologists. The proposed system establishes an...  相似文献   
29.
Forschung im Ingenieurwesen - Das Arbeitsmittel in Wärmepumpen unterliegt einer Vielzahl von Anforderungen, welche für einen effizienten und sicheren Betrieb eingehalten werden...  相似文献   
30.

We discuss the temperature dependence of a common low temperature local thermometer, a tunnel junction between a superconductor and a normal metal (NIS junction). Towards the lowest temperatures its characteristics tend to saturate, which is usually attributed to selfheating effects. In this technical note, we reanalyze this saturation and show that the temperature independent subgap current of the junction alone explains in some cases the low temperature behavior quantitatively.

  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号