全文获取类型
收费全文 | 235篇 |
免费 | 27篇 |
国内免费 | 23篇 |
专业分类
电工技术 | 7篇 |
综合类 | 20篇 |
化学工业 | 9篇 |
金属工艺 | 17篇 |
机械仪表 | 28篇 |
建筑科学 | 19篇 |
矿业工程 | 17篇 |
能源动力 | 1篇 |
轻工业 | 17篇 |
水利工程 | 6篇 |
石油天然气 | 3篇 |
武器工业 | 3篇 |
无线电 | 37篇 |
一般工业技术 | 63篇 |
冶金工业 | 8篇 |
自动化技术 | 30篇 |
出版年
2023年 | 5篇 |
2022年 | 7篇 |
2021年 | 12篇 |
2020年 | 9篇 |
2019年 | 13篇 |
2018年 | 13篇 |
2017年 | 12篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 10篇 |
2014年 | 16篇 |
2013年 | 11篇 |
2012年 | 22篇 |
2011年 | 16篇 |
2010年 | 16篇 |
2009年 | 16篇 |
2008年 | 28篇 |
2007年 | 12篇 |
2006年 | 11篇 |
2005年 | 6篇 |
2004年 | 9篇 |
2003年 | 6篇 |
2002年 | 8篇 |
2001年 | 8篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 3篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有285条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
为减轻高强度开采对我国西北地区地表及生态环境的破坏,结合条带开采与充填开采的优势,提出了一种“条采留巷充填法”部分充填的协调开采方法。采用理论分析与相似模拟相结合的研究方法,给出了条带开采的采留宽、沿空留巷的巷旁充填宽度和充填率的确定原则,分析了巷旁充填体提升条带煤柱稳定性的作用原理及置换煤柱开采的覆岩稳定性。以哈拉沟煤矿22407工作面地质条件为工程背景,确定了合理的工艺参数并进行了数值模拟研究。结果表明:在开采尺寸达到充分采动后,覆岩中的亚关键层4最大下沉量为12 mm,可推知地表基本不出现下沉,取得了良好的地表沉陷控制效果。该技术为降低充填成本,保护地表生态环境提供借鉴。 相似文献
102.
103.
以工业硅为原料,利用介质熔炼、定向凝固和电子束熔炼三种熔体处理技术对工业硅中的B、P和金属杂质进行了去除,制备出了99.9999%级多晶硅材料,其中,杂质B和P的含量分别低于0.20 ppmw(parts per million (weight),百万分之一质量),金属杂质总含量(TM)低于0.23 ppmw。研究发现,介质熔炼去除杂质B的过程中,熔体中发生氧化还原反应可以有效去除大部分的杂质Al和Ca;电子束熔炼过程中,利用饱和蒸气压原理可以有效去除挥发性杂质P、Al、Ca,同时降束诱导多晶硅定向凝固,可将其他金属杂质进一步去除。本研究通过各技术间的耦合除杂,减少了冶金法提纯多晶硅的工序,为连续化、规模化生产提供了技术支撑。 相似文献
105.
106.
107.
为实现激光传输内通道密封,会在末端加装带倾斜角的窗口,但窗口的回射杂散光辐照管壁会引起结构温升,加热通道内气体引起热效应。针对密封窗口的回射杂散光辐照加热直管道问题,建立了直管道部分结构场-气体密度场-光场的耦合仿真模型,分析了不同管道材料、管壁厚度、管道结构形式对光束波前畸变的影响。分析结果表明:等质量的铝、铜、钢三种材料中,铝管道引起的光束波前畸变最小,仅为钢、铜的约50%;通过管道外侧增加散热翅片以及高导热碳膜的方式来降低壁温、改善波前畸变的效果并不理想,波前RMS值下降不超过3%;增加受辐照段管道壁厚、提升管道热沉是降低光束波前畸变最有效的方案,铝管壁厚由8 mm增加至16 mm可使管道出口处的波像差RMS值从36.1 nm下降到21.4 nm,各阶像差均得到改善。研究结果能够为内通道部分管道设计和热效应评估提供一定的参考。 相似文献
108.
109.
110.
从废弃的太阳能电池片中回收多晶硅原材料对于环境保护和材料的循环再利用具有重要意义。本文研究了用化学溶解和超声清洗回收电池片的最佳条件。分别对实验样品进行EDS、SEM、XPS分析, 得出结论: 电池片与质量分数为10%的氢氧化钠溶液反应18 min完全去除铝电极, 且硅晶片的损失率较小; 将完全去除铝电极的电池片在40 kHz超声清洗20 min后银电极完全剥落; 电池片与40%氢氟酸溶液反应10 min可以去除氮化硅膜。本研究对质量为8.9068 g的单片电池片进行了定量分析, 除去的铝电极质量为1.1102 g, 回收得到了0.0766 g的银电极和7.7169 g的硅晶片。 相似文献