传感器管理及其在相控阵雷达中的应用

传感器管理是数据融合的一部分。介绍了传感器管理的概念和框架 ,概述了国内外传感器管理算法的研究现状。主要工作是针对相控阵雷达这一传感器 ,通过对其不同工作模式以及不同参数的管理 ,来说明传感器管理的原理。提出了一种新的自适应采样周期算法 ,仿真结果表明该算法的优越性     

我国IC产业发展状况分析

本文分析了集成电路及其相关技术的现状和发展趋势。分析了国内集成电路产业状况和面临的课题。     

电力系统谐波检测的现状与发展

准确、实时地对电力系统谐波进行检测有着重要的意义。本文根据电力系统谐波测量的基本方法，对近年来电力系统谐波检测的新方法进行了分析和评述。最后对电力系统的谐波测量进行了总结并提出了看法。     

Effect of Stoichiometry on Properties of Rare-Earth-Based Hydrogen Storage Alloy for Nickel-Metal Hydride Secondary Battery

Effect of stoichiometry on microstructures, electrochemical properties and PCT characteristics of the alloys MI(Ni0.71Co0.15-Al0.06Mn0.08)x (MI=Lanthanum-rich Michmetal, x=4.6~5.2) have been investigated. The lattice constants a, c, and cellvolumes of non-stoichiometric alloys are bigger than those of the stoichiometric alloy. With the increasing stoichiometry x,the value of a decreases, and the value of c and cell volume increases except for those of the stoichiometric alloy; the plateaupressure of PCT curve, discharge capacity and cycling stability all increase. The alloy with x=5.2 shows the highest dischargecapacity and the best cycling stability among the studied alloys.     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

Magnetotransport Calculations for Two-Dimensional Electrons with Spin-Orbit Interaction

We present calculations of the magnetoconductivity in a two-dimensional electron system including the Rashba spin-orbit interaction. Essential for these calculations is an extension of the self-consistent Born approximation which takes into account the electron spin degree of freedom. The calculated magnetoconductivity exhibits, besides the beating in the Shubnikov-de Haas oscillations, a modulation related to the spin-orbit induced crossings of Landau levels, as a consequence of spin-conserving scattering between spin-orbit coupled states.     

材料钎焊对杜瓦固有频率的影响

采用拉伸实验法,对金属杜瓦所用材料在钎焊前后的杨氏模量进行了深入的分析,并通过实验数据的计算分析,得出了钎焊对杜瓦结构固有频率没有大的影响的结果.     

高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

小波变换分离太阳射电频谱图中的纤维结构

太阳射电爆发纤维精细结构是太阳射电爆发活动中一类重要的观测现象,利用二维小波变换对纤维精细结构动态频谱图进行处理,分离频谱图中的纤维结构。首先对原始频谱图实行多层小波变换,由低频分量重构原始图像,就可得到爆发的背景信息,令原始频谱图减去背景并经过阈值处理后,便可将原始频谱图中的纤维结构很好地分离出来。     

6σ设计水平的评价

在介绍6σ设计概念和目标的基础上，给出设计水平与百万机会缺陷数(DPMO)关系的计算表达式和关系曲线，并开发了计算机模块，能自动计算与不同设计水平对应的DPMO值，也可以根据实际的DPMO值，自动评价达到的设计水平。