Sn-3.5Ag/Cu界面金属间化合物的生长行为研究

研究了Sn-3.5Ag无铅钎料和Cu基体在钎焊和时效过程中界面金属间化合物的形成和生长行为.结果表明,在钎焊过程中,由于钎料中存在着Cu的溶解度,界面处生成的金属间化合物存在着分解现象.因此Sn-3.5Ag/Cu界面金属间化合物层厚度与化合物层的分解有着密切关系.由于吸附作用,金属间化合物表面形成了纳米级的Ag3Sn颗粒.当钎焊接头在70,125,170℃时效时,钎焊时形成的扇贝状金属间化合物转变为层状.金属间化合物的生长厚度与时效时间的平方根呈线性关系,其生长受扩散机制控制.整个金属间化合物层和Cu6Sn5层的生长激活能分别为75.16 kJ/mol,58.59kJ/mol.     

Sn-6Bi-2Ag(Cu, Sb)无铅钎料合金微观组织分析

利用差示扫描量热计 (DSC)测定了Sn 6Bi 2Ag ,Sn 6Bi 2Ag 0 .5Cu ,Sn 6Bi 2Ag 2 .5Sb三种新无铅钎料合金的熔化温度。结果表明 ,少量Cu的加入能降低Sn Bi Ag系无铅钎料合金的熔化温度 ,而Sb的加入使合金的熔化温度升高。利用光学显微镜 (OM )、扫描电子显微镜 (SEM )、能谱分析 (EDX)对合金的微观组织进行了分析与比较 ,钎料合金的微观组织与冷却条件和合金元素的含量有关 ,Sb的加入使析出相的尺寸细化。硬度测定表明Sn Bi Ag(Cu ,Sb)无铅钎料合金的硬度远大于纯Sn的硬度 ,加入少量的Cu(0 .5 % ) ,Sb(2 .5 % )对Sn Bi Ag系钎料合金的硬度影响较小     

玻璃通孔三维互连技术中的应力问题

玻璃通孔(Through glass via,TGV)三维互连技术由于具有优异的电学、光学特性,良好的力学稳定性和低成本等优势,在三维封装、集成无源器件和光电器件集成方面具有广泛应用前景.然而,玻璃通孔三维互连结构复杂,由多种材料间热膨胀系数不匹配引起的热应力将影响器件和封装的性能和可靠性,针对玻璃通孔三维互连技术的应...     

芯片三维互连技术及异质集成研究进展

集成电路的纳米制程工艺逐渐逼近物理极限,通过异质集成来延续和拓展摩尔定律的重要性日趋凸显。异质集成以需求为导向,将分立的处理器、存储器和传感器等不同尺寸、功能和类型的芯片,在三维方向上实现灵活的模块化整合与系统集成。异质集成芯片在垂直方向上的信号互连依赖硅通孔（TSV）或玻璃通孔（TGV）等技术实现,而在水平方向上可通过再布线层（RDL）技术实现高密度互连。异质集成技术开发与整合的关键在于融合实现多尺度、多维度的芯片互连,通过三维互连技术配合,将不同功能的芯粒异质集成到一个封装体中,从而提高带宽和电源效率并减小延迟,为高性能计算、人工智能和智慧终端等提供小尺寸、高性能的芯片。通过综述TSV、TGV、RDL技术及相应的2.5D、3D异质集成方案,阐述了当前研究现状,并探讨存在的技术难点及未来发展趋势。     

“先进三维封装与异质集成”专题前言

<正>芯片是推动信息社会蓬勃发展的基石,掌握高端芯片制造技术才能在智能移动终端、人工智能、物联网、自动驾驶和虚拟现实等关键领域保证全球竞争力。当前,摩尔定律发展趋缓,借助极紫外光刻等先进技术,晶体管工艺节点正在向3 nm甚至更小的节点演进,每前进一步都需要付出巨大的努力。单纯靠提升工艺节点来提升芯片性能的方法已经无法满足新时代集成电路产业发展的需求。     

高深宽比硅通孔的SAPS兆声波清洗技术

硅通孔(TSV)是三维系统集成的关键技术和发展趋势,目前已经可以实现深宽比为10∶1的TSV结构,且向着更高深宽比方向发展。在TSV制造工艺中,硅通孔刻蚀后的清洗是目前的关键技术难点之一。针对TSV刻蚀的工艺特点和TSV结构的特点,基于气体交替技术的硅刻蚀反应副产物种类以及清洗过程清洗液在TSV孔内的流体特性进行分析,探讨了一种基于现有清洗液,利用空间交变相位移(SAPS)兆声波技术进行TSV刻蚀后的清洗方法,并阐述了该清洗工艺的特点及前后工艺间的相互影响。研究结果表明,SAPS兆声波清洗能高效去除深孔内刻蚀残余产物,在TSV工艺集成中有较好的应用前景。     

20MnVB钢碳氮化物析出相的研究

利用透射电镜和能谱分析仪对２０ＭｎＶＢ钢中的碳氮化物析出相进行了研究。结果表明，该钢中的碳氮化物析出相为面心立方结构的Ｖ－Ｔｉ复合碳氮化物（ＴｉｘＶ１－ｘ）ＣＮ，其中Ｖ和Ｔｉ的浓度比值随析出温度升高而降低。析出相的形貌为珠形或方形，随析出温度的升高，析出相的尺寸增大，数量减少。     

预先热处理对20MnVB钢奥氏体晶粒度及冲击韧性的影响

研究了预先热处理对２０ＭｎＶＢ钢奥氏体晶粒度及冲击韧性的影响。结果表明，该钢经１２５０℃×１ｈ固溶处理＋８６０℃×１ｈ水淬预先热处理后钢的奥氏体本质晶粒度可达９＿１０级，８６０℃油淬＋２００℃回火后钢的冲击韧性可达１６２Ｊ／ｃｍ２。     

玻璃通孔技术研究进展

近年来,随着5G、可穿戴设备、智能手机、汽车电子、人工智能等新兴领域蓬勃兴起,集成电路应用正向着多元化应用方向发展,先进三维封装技术也逐渐成为实现电子产品小型化、轻质化、多功能化的重要手段。玻璃通孔(TGV)互连技术具有高频电学特性优异、成本低、工艺流程简单、机械稳定性强等应用优势,在射频器件、微机电系统(MEMS)封装、光电系统集成等领域具有广泛的应用前景。综述了国内外高密度玻璃通孔制作、金属填充、表面高密度布线的研究进展,对玻璃通孔技术特点及其应用进行了总结。     

高功耗2.5D封装的热性能优化设计分析

Based on ANSYS and Icepak softwares, the numerical analysis method is used to build up the thermal analysis model of the 2.5D package, which contains a high power CPU chip. The focus of the research is on the determination of the contributing factors and their effects on the thermal resistance and heat distribution of the package. The parametric analysis illustrates that the substrate conductivity, TIM conductivity and fin height are more crucial for heat conduction in the package. Furthermore, these major parameters are compared and analyzed by orthogonal tests, and the optimal solution for 2.5D integration is proposed. The factors' influence patterns on thermal resistance, obtained in this article, could be utilized as a thermal design reference.