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91.
在65℃的条件下利用嗜热菌消解城市污水处理厂的剩余污泥,并与传统高温好氧消化的效果进行了对比。结果表明:在有嗜热菌存在的条件下污泥的消化效果更好,对TSS、VSS的去除率分别可达55%和65%,而传统高温好氧消化的仅为40%和50%。嗜热菌好氧消化技术为城市污水处理厂提供了一种新的污泥减量化方法,使得剩余污泥“零排放”成为可能。  相似文献   
92.
利用好氧颗粒污泥实现同时除磷脱氮   总被引:16,自引:0,他引:16  
为实现同时除磷脱氮,以单级SBR中的好氧颗粒污泥为研究对象,在温度为 25℃、pH值为 7~8、厌氧反应 80~90min、好氧反应 240min、曝气阶段的DO为 1~2mg/L、SRT为 20d的运行条件下进行了研究。结果表明,大量反硝化聚磷菌能够与硝化菌在颗粒污泥中共存并富集,反硝化聚磷菌占全部聚磷菌的 73. 1%;系统处于稳态时对氮、磷和有机碳具有非常稳定的去除效果。当进水氨氮、磷和乙酸碳浓度分别为 25~50、8~15、100~180mg/L,MLSS为 7. 0g/L,MLVSS为 6. 4g/L时,对氨氮、总无机氮、磷、乙酸碳的平均去除率分别为 97. 8%、89. 7%、96. 8%和98. 8%。  相似文献   
93.
李小明 《硅谷》2008,(10):41-41
近随着Internet的飞速发展和CERNET的日益完善,建设校园网对于提高学校的管理水平和教学质量都具有十分重要的意义.……  相似文献   
94.
通过对湖南桃江锰矿多年统计资料的分析,结合凿岩爆破特点,从计划管理角度提出采矿消耗年度定额计算方法,经验证,与实际吻合较好,对该矿采矿降耗具有一定的指导意义。  相似文献   
95.
流体物性对冷中子源冷包截面含气率的影响模化研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用差压法测出了冷中子源模拟冷包中环形通道内不同层面的平均含气率,发现液相的表面张力与密度的比值是决定截面含气率的主要物性因素;此比值越大,含气率越低。氟利昂113的表面张力与密度的比值比液氢的相应值低。故可以选用氟利昂113作为模拟工质对中国先进研究堆冷中子源中气液两相氢循环的含气率进行模拟研究,且试验结果将偏于保守。  相似文献   
96.
X射线荧光光谱法测定稳定氧化锆中主、次量元素   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用熔融片荧光光谱分析法对高锆质耐火材料进行全角定性分析,确定了其中含有ZrCa、Si、Al、Fe等元素,用光谱纯氧化锆(99.99%)配制了适合于分析高锆质耐火原材料的系列标洋,并用铑靶的RhK。康普顿散射线作内标测定锆元素。该方法具有快速、准确的优点,Zr的最大误差为0.22%,标准差为0.114%。  相似文献   
97.
淮安盐盆蕴藏大量钙芒硝矿,文章利用大量钻井、测井、岩芯化验分析等资料,结合前人研究成果,提出淮安盐盆钙芒硝矿少有单独成层,而以赋存于白垩系浦口组二段含盐系地层,与石盐共生或与石膏及粘土矿物伴生为特征的认识。通过对矿山采矿工艺及矿产市场行情的调查研究,认为淮安盐盆钙芒硝矿综合利用途径有:通过盐硝分离、简易提纯等手段用以生产元明粉、水泥缓凝剂;将钙芒硝矿渣用作回填料进行溶腔回填。如此对钙芒硝矿进行综合利用,不仅能够产生可观的经济效益,而且能够保护矿山环境,有效避免矿产资源的浪费。  相似文献   
98.
搭建了生物质化学链气化串行流化床冷态模型,考察了木粉与石英砂二元物系在不同工况下的流化特性,结果表明,木粉单独实现流化较为困难,稳定流态化操作范围也较小;石英砂木粉二元物系,随着石英砂含量的增加,流化状态持续改善,稳态流化操作范围增大,当石英砂含量超过70% 时,该二元体系流化状态接近石英砂;石英砂木粉二元混合体系物料循环量及颗粒平均速度随着表观气速的增加而持续增大。  相似文献   
99.
亚硝化-厌氧氨氧化作用机理的研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
与传统的生物硝化-反硝化工艺相比,亚硝化-厌氧氨氧化联合工艺在处理低(超低)碳氮比高浓度含氮废水方面有着不可替代的优越性,是上个世纪末生物脱氮领域里的一个突出的创新。在温度为30~40℃和水力停留时间约为1d条件下,ρ(DO)在0.5~2.5mg/L,pH值为7.4~8.3时,能够较好的实现匹配厌氧氨氧化的亚硝化;探讨了亚硝化和厌氧氨氧化在污泥颗粒化技术中的实现可能机理。  相似文献   
100.
关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则:基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法。同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响。给出了仿真结果。  相似文献   
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