烟气回流率对蓄热室式炉单周期加热的影响

为了研究烟气再循环对蓄热室式炉内燃烧现象以及钢坯在炉内加热过程的影响,以国内某蓄热室式炉为研究对象,采用数值模拟的方法,研究了不同烟气回流率下单周期炉内温度、钢坯表面温度以及烟气中NO_x体积分数和质量浓度的变化规律;并对炉温以及烟气中NO_x体积分数进行了测试,模拟值和实测值吻合度较好.研究结果表明：随着烟气回流率的增大,火焰边界出现发散现象,炉内峰值温度降低,平均温度呈线性下降趋势,烟气中NO_x体积分数呈指数下降趋势,但降低的幅度逐渐减小;当烟气回流率处于10%～20%时,钢坯表面温度呈现单峰分布,而当烟气回流率过低或过高时,钢坯表面温度则呈现多峰分布.综合考虑加热炉的经济性和环保性,最佳的烟气回流率应控制在10%～20%.     

弯曲波导损耗的一种分析方法

用射线分析法,分析了折射率渐变弯曲波导损耗的实质。根据有效折射率的变型形式分析了影响弯曲波导损耗的主要因素,并计算了最小弯曲半径及其相对应的损耗。     

乙型副伤寒沙门氏菌在鲜切黄瓜中的生长行为及预测模型建立

为建立不同温度条件下鲜切黄瓜中乙型副伤寒沙门氏菌的生长预测模型,将新鲜黄瓜切丁,添加乙型副伤寒沙门氏菌,分别在10、15、20、25、30和35℃下的恒温条件下贮藏,以观察细菌的生长。使用USDA综合病原体建模程序(USDA-IPMP)拟合每个温度下每种细菌的生长曲线,以找出描述该细菌生长的最适初级生长模型,并拟合得到最大比生长速率。通过温度对初级模型中最大比生长速率的生长动力学拟合,分别建立Ratkowsky、Huang rate、Cardinal、Arrhenius-type二级生长模型,并进行数学评估和实测样品验证。结果表明,实验数据和生长曲线显示乙型副伤寒沙门氏菌的生长表现出三个阶段,包括延滞期,指数期和稳定期。乙型副伤寒沙门氏菌的延滞期时间随着孵育时间的增加而降低。相反,乙型副伤寒沙门氏菌的生长速率随着孵育温度而增加,由此表明风险随温度的升高而增加。使用Baranyi和Huang初级模型分析两种病原体的生长曲线,使用Ratkowsky、Huang平方根模型、Cardinal和Arrhenius模型描述温度对贮藏时间细菌生长的影响,同时应用实验数据和样品实测验证评估所建立的预测模型。从该研究中获得的结果和预测模型可用于预测鲜切黄瓜产品中乙型副伤寒沙门氏菌的生长。     

大型地下厂房洞室群施工期围岩变形分析

瀑布沟水电站地下厂房洞室群规模大,地质条件复杂,水平构造应力高,施工期围岩的变形及稳定问题突出。结合弹塑性有限元方法和围岩变形监测资料综合分析了地下厂房洞室群施工期围岩的变形特征及稳定性。结果表明:主厂房围岩变形最大,尾水闸门室变形次之,主变室变形最小,厂房上下游边墙位移随着厂房下挖逐级增大,在厂房中部下游边墙岩锚梁高程部位处实测最大位移为107 mm;厂房边墙位移在墙顶和墙底较小,墙中部较大,上游边墙位移总体大于下游边墙;厂房拱顶径向位移总体上很小,上、下游边墙在两端的副厂房和安装间变形较小,中部变形较大;数值计算结果和变形监测资料有较好的一致性,围岩变形受施工程序和地质条件的影响较大。     

光开关的技术现状和展望

光开关是光通信的关键部件,是近年来通信领域的研究热点.文章从光开关的实现方式等方面介绍了光开关的研究与生产现状,重点介绍了MEMS光开关的研究与应用,对光开关发展趋势作了分析.     

基于恒频注入信号的消弧线圈自动跟踪补偿技术研究

目前大多数消弧线圈补偿方案都是基于测量故障发生后的分布电容电流大小而展开的,属于故障后补偿,该类方案难以满足分布电容电流较大系统的补偿要求。提出基于恒频注入信号的消弧线圈自动跟踪补偿方案,在系统正常运行时即可准确测得分布电容,并根据设定的脱谐度自动调节消弧线圈,在单相接地故障发生前就可做好补偿准备。对于运行方式灵活、分布电容经常变化的配电网,能够快速、准确跟踪分布电容的变化,达到理想的补偿效果。该方法能够准确计算出系统的分布电容和绝缘电阻,用来监视系统的绝缘情况。实验室模拟实验和现场运行实验结果表明,基于     

抽油杆常见事故分析与防治措施

对抽油杆常见的断、脱、偏磨、腐蚀、偏磨加腐蚀等事故原因进行了详细分析,并切合实际提出了防断、防脱、防偏磨、防腐蚀的防治对策。其防治措施通过在东辛油区多口井上的成功应用,经济效益显著,其防治措施对实际生产有一定的借鉴作用。     

基于压缩感知的频率编码脉冲雷达高分辨距离成像方法

针对频率编码脉冲雷达(Frequency-Coded Pulse Radar, FCPR),该文提出一种基于压缩感知(Compressive Sensing, CS)的目标高分辨距离成像方法。利用目标场景的空间稀疏性,建立FCPR目标回波稀疏信号模型,提出基于CS的FCPR脉冲相参合成处理方法。该方法采用少量FCPR信号子脉冲对目标频域响应进行采样,即可提取目标高分辨距离像信息。为了降低CS重构算法的运算复杂度,提出一种基于FFT目标速度预估计的动态构造降维感知矩阵的方法,提高了采用CS进行FCPR脉冲相参合成处理的速度。仿真结果表明该方法较传统IFFT脉冲相干合成算法具有更小的目标强散射中心幅度估计误差,对速度估计误差及噪声的鲁棒性更好。     

基于磁控溅射技术的CrCN镀层中碳元素的存在状态

采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术在单晶硅(111)衬底上沉积了CrCN镀层,研究了不同C靶电流CrCN镀层的摩擦系数、碳含量和物相组成,并分析了镀层中碳元素的化学态.结果表明:当C靶电流从.增大到1.5 A时,镀层摩擦系数从0.75降至0.3,随着C靶电流的增大,镀层中碳含量呈非线性增大,增速呈从大到小再到大的变化规律.X射线衍射分析表明,随着C靶电流增大,镀层由晶态向非晶态转变;X射线光电子能谱分析表明,碳元素主要以C-C,C-Cr,C-O键形式存在,且随着C靶电流增大,碳键中C-C键的比例也随之增大.     

占空比对磁控溅射纯Cr镀层微观组织结构的影响

利用磁控溅射离子镀技术于不同占空比下在单晶Si基体上制备出纯Cr镀层,采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析了纯Cr镀层表面和截面微观形貌、沉积速率和择优生长取向的变化规律。结果表明:占空比的改变显著影响着纯Cr镀层的微观形貌、择优生长取向和致密度。随着占空比的增大,纯Cr镀层的微观组织结构由柱状晶向均匀、细小纳米晶转变,纯Cr镀层的厚度和沉积速率相应增大,同时纯Cr镀层沿(110)晶面的择优生长取向程度减弱。