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101.
基于恒流/恒压方式的锂电池充电保护芯片设计 总被引:3,自引:0,他引:3
针对锂电池的充电保护问题,提出了一种基于恒流/恒压充电方式的充电器芯片的设计方法.电路采用电流镜结构为主体,以多控制参数竞争方法对输出PMOS管的栅极进行控制,实现了恒定电流充电、恒定电压充电和高温调节控制模式,以及各模式之间的平稳过渡.芯片采用CSMC公司的0.6 μm双层多晶硅双层金属CMOS混合信号模型设计和流片.仿真及测试结果表明,该电路可实现各充电模式及模式之间的平稳过渡,充电完成后电池电压为4.14~4.22 V,满足±1%的精度要求. 相似文献
102.
用化学浸泡法对奥氏体不锈钢316L和双相不锈钢SAF2205在含溴醋酸溶液中的腐蚀行为进行了研究,并观察了腐蚀形貌。结果发现:随着温度和Br^-浓度的增加,腐蚀速率增大,点蚀程度加剧;随着浸泡时间的增加,不锈钢AISI316L的腐蚀速率迅速降低,而不锈钢SAF2205的腐蚀速率缓慢增大,72h后,两者腐蚀速率的变化都很小;醋酸环境下,Cr比Br^-对两种不锈钢的点蚀危害性更大。在含Cl^-醋酸溶液中加入少量Br^-,对腐蚀有一定的抑止作用,而在含Br^-醋酸溶液中加入少量Cr^-,并没有严重的有害影响。 相似文献
103.
以固体有机胺三聚氰胺(MN)为脱硫剂,对MN与SO_2反应及再生行为进行研究。结果表明,烟气组成0.35%SO_2+5%O_2+N_2,40℃、4%MN(质量分数)条件下,MN可维持140 min脱硫率99%,穿透硫容(出口SO_2浓度200 mg/m~3)0.33 g SO_2/(g MN)。MN脱硫及再生产物XRD、FTIR、SEM及TG-MS等表征分析表明,MN与SO_2反应首先生成三聚氰胺亚硫酸盐,随后被烟气中的氧气氧化为三聚氰胺硫酸盐,加入0.1%对苯二胺可有效抑制三聚氰胺亚硫酸盐氧化;三聚氰胺亚硫酸盐在75~150℃可加热再生,三聚氰胺硫酸盐不能加热再生。烟气含5%O_2条件下,加入0.1%对苯二胺,三聚氰胺亚硫酸盐氧化率由36%降低至13%,150℃下再生2 h,再生率由58%提高至94%,MN抗氧二次脱硫性能优良。 相似文献
104.
105.
为了实现基于点云的空间目标相对位姿快速估计,提出一种旋转投影二进制描述符(BRoPH)。该描述符首先建立特征点处的局部参考坐标系,然后通过旋转投影局部点云生成不同视角下的密度图像块和深度图像块,最后根据图像块生成特征点的多尺度二进制字符串。针对位姿估计对实时性的要求,在分析BRoPH Hamming距离分布的基础上,提出了基于Hamming距离阈值的特征匹配策略,用于剔除潜在的错误配对,加快位姿估计收敛速度。最后,在基于局部特征描述符位姿估计框架下分别与SHOT描述符和FPFH描述符进行了比较。结果表明:BRoPH描述符在仅需要SHOT和FPFH平均内存1/80的基础上,得到了远高于SHOT和FPFH的平均位姿估计精度,其平均姿态误差小于0.1°,平均位置误差小于1/180 R。此外,基于Hamming距离阈值的特征匹配策略使得BRoPH的位姿粗估计速度加快了7倍,总体位姿估计频率超过7Hz,比SHOT和FPFH分别快3~6.8倍。该方法具有占用内存小、计算速度快、位姿估计精度高和抗干扰能力强等优点,满足基于点云的空间目标位姿估计实时性要求。 相似文献
106.
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