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采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)方法以C4F8和CH4为源气体制备了氟化非晶碳(a-C:F)膜并在氮气气氛中对a-C:F膜进行了退火处理研究.X光电子能谱(XPS)化学结构分析表明,退火后a-C:F膜中CF3,CF2和CF含量减少,而C-CFx(x=1~3)交联结构增多.电学性能研究指出,退火后a-C:F薄膜的介电常数由于电子极化和薄膜密度的增大而上升,Al/a-C:F/Si结构的阻滞效应由于界面态密度下降而减弱,同时a-C:F膜的π-π*带隙和电荷陷阱能量减小并导致薄膜漏电流增大. 相似文献
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利用微弱信号检测技术,根据光信息传感器的特点,在分析了一般弱信号检测仪器在光信息传感器中的应用所存在的问题的基础上,本文提出了一种适应于光信息传感器中的信号检测与处理技术。特点是用电子调制器取代了机械调制器,在光纤高温传感器的应用中,实验结果证明是可靠、稳定、准确的。 相似文献
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在一台自行研制的电子回旋共振 (ECR)刻蚀系统中用CF4、O2 气体实现了Si3 N4材料的微细图形刻蚀。获得了气体流量、气体混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响。结果表明刻蚀速率在O2 含量为 0 %时最慢 ,然后随着气体混合比的增加而增大 ,当气体中O2 含量为 2 0 %时达到最大 ,然后随着气体混合比的增加而缓慢降低。保持气体混合比为 2 0 % ,刻蚀速率随气体流量增加而增大 ;同时 ,微波功率越大 ,刻蚀速率也越高。 相似文献
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以SF6/O2为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀(ECR-RIE)方法进行了氟化非晶碳(a-C∶F)低介电常数薄膜的等离子体刻蚀技术研究,结果表明,a-C∶F薄膜的刻蚀速率取决于薄膜中C—CFx与CFx两类基团刻蚀过程,富C—CFx结构的a-C∶F薄膜刻蚀速率在O2含量约20%时达到最大,而富CFx结构的a-C∶F薄膜刻蚀速率随O2的增大而减小。AFM分析表明,SF6气体刻蚀a-C∶F薄膜可以有效消除薄膜表面的团聚结构。XPS能谱分析表明,SF6气体刻蚀a-C∶F薄膜样品化学组分未发生变化,而O2气体刻蚀后在样品表面形成富C的a-C∶F层。该研究结果为a-C∶F应用于超大规模集成电路层间介质工艺奠定了必要的实验基础。 相似文献
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在室温下以C4F8和CH4为前驱气体,用电子回旋共振化学气相沉积(ECR-CVD)的方法生长了氟化非晶碳(α-C:F)薄膜。通过傅立叶变化红外光谱分析(FTIR)和X射线光电子能谱分析(XPS)对薄膜的化学结构和成键情况进行了研究。CFx(x=2~3)以及位于DC交联结构末端用于构成CxFy大分子结构的C-C键的热稳定性较差,在N2气氛下退火后,会以气态形式进行分解,导致α-C:F薄膜膜厚的减小。随着源气体流量比R=[C4F8]/([C4F8]+[CH4])的减小.α-C:F薄膜中C-CFx交联结构逐渐增多,CFx(x=2~3)基团及构成CxFy大分子结构的C-C键逐渐减少,薄膜的热稳定性得到著提高。α-C:F薄膜在退火后,由于取向极化的增大和电子极化的减小,以及薄膜密度的增加使得α-C:F薄膜的介电常数有所增加。 相似文献
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采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体流量比R(R=[CH4]/([CH4]+[C4F8]))条件下沉积氟化非晶碳(a-C:F)薄膜.用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的表面形貌.用柯西(Cauchy)模型和Levenberg-Marquardt非线性迭代算法分析了薄膜的椭圆光谱.用X光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)技术分析了薄膜的化学成分.随着气体流量比R的增大a-C:F薄膜C-C键结构增多,薄膜C/F比增大.a-C:F薄膜的介电常数取决于电子极化并随R的增大而上升.a-C:F薄膜导电行为在低场强区域呈现欧姆特性,在高场强区域符合Poole-Frankel机制.随着C-C含量的增大,π价带态和π*导带态之间的带隙减小,电荷陷阱深度减小,陷阱中的电子在场增强热激发作用下更容易进入导带,导致薄膜漏电流增加. 相似文献
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分析了唐庄煤矿屯头系Ⅶ层煤顶板岩性组成,在一定条件下可形成复合型顶板。用单体液压支柱铰接顶梁支护工作面,有效地控制了复合型顶板,杜绝了冒顶事故。 相似文献
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