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新世纪的第一年,全国人民隆重庆祝建党80周年、APEC会议在我国成功举行、北京申办奥运成功、中国足球终于打入世界杯、我国正式加入世贸组织等,件件喜事接踵而至,令人振奋并将载入史册。 这一年,中国建筑金属结构协会成立20周年,这是一个标志,标志着协会的发展、壮大和成熟,更标定着一个独立的、完整的建筑金属结构行业的形成, 相似文献
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针对单机无穷大系统,建立了包含静止同步补偿器(STATCOM)的状态空间模型,应用给定信息结构约束下的最优控制理论和算法,设计了4组STATCOM与发电机励磁的协调控制器。它们的控制规律分别是:状态反馈的完全分散协调控制、输出状态反馈的完全分散协调控制、STATCOM处可以反馈机组角频率偏差的特定信息结构下的LQ协调控制、全状态反馈的集中型最优控制。仿真结果表明,与独立设计的AVR/PSS励磁控制器和电压偏差PI调节型STATCOM控制器相比,上述4组协调控制器能更加有效地提高系统暂态稳定性能。同时,完全分散信息结构的状态和输出反馈控制的控制性能稍次于其他两种协调控制规律,但由于它们实现代价低、可靠性高,更易于实际应用。 相似文献
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1000.
高介电常数的栅极电介质LaAlO3薄膜的性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min 650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压士1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能.C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料. 相似文献