一种专用高速ECL移位寄存器电路的设计和测量

介绍了由先进的多晶硅发射极NPN晶体管和高速ECL100E141电路单元构成的一块专用高速移位寄存器阵列的设计和主要参数的测量.提出一种移位寄存器最高工作频率的测量方法.该方法有效地消除由外部连线和外接器件及测试夹具所造成的寄生延迟对测试结果的影响,准确地测试出电路的最高工作频率.本电路并行输入输出和移位的最高工作频率为410MHz.该电路是为提高某些测试系统高频测量性能而设计的全功能移位寄存器阵列.其布局和结构合理灵活,可以方便地构成多种数据移位寄存方式,有利于使用和测量,具有一定的通用性.     

一种带宽可调的低通开关电容滤波器的设计

介绍了一种带宽可调的二阶低通开关电容滤波器，带宽调节范围为100～500Hz，调节精度约为100Hz。该滤波器用双层金属、双层多晶硅1．2μm的N阱MOS工艺实现，用于一个加速度传感器电路中。设计着重考虑了由时钟信号引起的、严重制约开关电路性能的各种因素，通过优化开关的时序，消除了电荷注入引起的非线性效应，并采用高电源电压抑制比的折叠结构运算放大器，以减轻电源噪声的影响，从而有效地改善了电路的精度。     

适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器

针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS晶体管实现;编程/擦写时间为10ms/16bit.芯片实现块编程和擦写功能,通过提出一种新型的敏感放大器而实现了读功耗的优化.在电源电压为1.2V,数据率为640kHz时,读操作平均消耗电流约为0.8μA.     

MEMS电容传感器小电容的测量

本文首先介绍了一种MEMS电容式微硅加速度计的结构和等效电路,阐述了开关电容放大器的工作原理和输出电压与电容的关系,重点讨论了用开关电容技术测量微硅加速度计小电容的方法.     

超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路

报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究 .这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进 ,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的 L型侧墙形成技术方面 ,它有效地减小了器件的基区面积 .测试结果表明 ,晶体管有良好的交直流特性 .在发射区面积为 3μm× 8μm时 ,晶体管的截止频率为 6 .1GHz.19级环振平均门延迟小于 40 ps,硅微波静态二分频器的工作频率为 3.2 GHz     

超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路

报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究．这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的L型侧墙形成技术方面,它有效地减小了器件的基区面积．测试结果表明,晶体管有良好的交直流特性．在发射区面积为3μm×8μm时,晶体管的截止频率为6.1GHz．19级环振平均门延迟小于40ps,硅微波静态二分频器的工作频率为3.2GHz．     

3GHz硅双极型微波静态分频器的设计

本文报道了一种超高速ＥＣＬ静态二分频器；介绍了该分频器的核心器件─—ＮＰＮ晶体管的结构和实现该结构的有关先进工艺，包括深槽隔离、多晶硅发射极、钻硅化物和浅结薄基区等；使用这种多晶硅发射极晶体管，３ｐｍ特征尺寸设计的１９级环形振荡器的平均门延迟小于５０ｐｓ．讨论了提高分频器工作频率的一些有效方法并给出了３．２ＧＨｚ硅静态分频器的电路设计和版图设计．     

一种带宽可调的连续时间滤波器的设计

讨论了一种连续时间低通滤波器的电路结构和基本原理，介绍了调整连续时间滤波器通带频率的方法. 对电路进行了计算机模拟，模拟结果和理论计算基本一致. 电路采用1.2μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺流片，取得了满意的结果.     

超临界流体萃取法加工米糠

本文对乙烷和超临界二氧化碳流体两种溶剂提取米糠油以及油中甾醇化合物的方法进行了对比，说明后者能生产出无有毒残渣，更趋天然的高质量产品，同时避免了使用昂贵的、危险的，造成环境污染的溶剂。     

KJ54型矿井安全监测系统及其应用

介绍了ＫＪ５４型矿井安全监测系统的功能、应用方式和特点。该系统在保留原系统大部分硬件的基础上，通过系统软件和部分硬件的改造，实现了老系统（Ａ１、ＴＦ－２００、ＫＪ４等环境监测系统）的更新换代。也可自成体系，建立一套全新的矿井安全监测系统。