激光退火在背照式CCD图像传感器中的应用研究

激光退火是消除背照式电荷耦合器件(CCD)图像传感器背面势阱的重要工艺。文章研究了激光退火工艺中不同的激光波长、能量密度、光斑交叠率对掺杂杂质激活效率、器件表面形貌、成像质量及紫外量子效率的影响。研究结果表明，在浅结注入的情况下，355 nm波长激光激活效率要优于532 nm激光，但是355 nm激光比532 nm激光更易在较低能量密度时使硅片出现龟裂现象。采用2 J/cm²能量密度、50%～65%交叠率，355 nm激光能有效激活离子注入的硼离子，背照式CCD图像传感器成像均匀性好，紫外量子效率明显提升。