一种基于动态存储和模拟运算的神经突触电路

提出了一种基于动态存储和模拟运算的神经突触电路。其中，动态存储单元的保持时间可以达到10^2ms量级。模拟运算单元的电路简单、精度高、速度快。由动态存储单元和模拟运算单元组成的突触电路能够满足实现大规模神经网络的需要。HSPICE仿真结果和理论分析相符。     

基于CMOS亚阈值特性的低功耗温度传感器

针对片上系统测温及其过温保护问题,提出了一种基于CMOS亚阈值特性制造的低功耗温度传感器.CSMC 0.6μm数模混合工艺仿真表明,其在-50～150℃的温度范围内,都能良好工作,且因为运放负反馈结构对电源电压具有较高的抑制,在2～6V的范围内都能得到正确的输出结果.芯片实测,温度灵敏度为0.77V/℃.因为基于CMOS亚阈值特性产生了电路的偏置电流,所以工作电流仅16μA.芯片面积300μm×250μm.该传感器的特性表明它非常适用于高容量的集成微系统中,在计算机、汽车电子、生物医学等领域有着广阔的应用前景.     

半导体温度传感器研究进展综述

半导体温度传感器体积小、功耗低,且能与其他外围控制电路集成在同一芯片上,其应用领域广阔。评述了各种半导体温度传感器的基本实现方式、发展现状,总结了现有各种设计方法中的关键技术及其存在的问题和改进方向。     

一种采用共栅频率补偿的轨到轨输入/输出放大器

提出了一种采用共栅频率补偿的轨到轨输入/输出放大器,与传统的Miller补偿相比,该放大器不仅可以消除相平面右边的低频零点,减少频率补偿所需要的电容,还可获得较高的单位增益带宽.所提出的放大器通过CSMC 0.6μm CMOS数模混合工艺进行了仿真设计和流片测试:当供电电压为5V,偏置电流为20μA,负载电容为10pF时,其功耗为1.34mW,单位增益带宽为25MHz;当该放大器作为缓冲器,供电电压为3V,负载电容为150pF,输入2.66 Vpp10kHz正弦信号时,总谐波失真THD为-51.6dB.     

氮化后退火——一种提高超薄热氮化SiO_2 膜性能的有效方法

本文对超薄热氮化SiO_2膜(～100A)进行了研究,提出一种氮化后退火的新工艺,所得薄膜有很好的抗氧化特性,和SiO_2薄膜相比,其固定电荷及界面态密度相当,在高电场应力下膜中产生的正电荷及电子陷阱较少,较好的电击穿特性,抗辐射性能有很大的改善,因而,是一种性能优良的超薄介质膜.     

模糊控制和模糊控制芯片

本文对模糊逻辑及模糊控制的基本概念、发展过程、应用领域进行了论述，探讨了模糊算法各个部分（模糊化、规则的选取与调整、各种算子、去模糊等）的功能和作用，介绍了目前受到广泛关注的模糊逻辑与人工神经元网络及专家系统相结合的一些方法，最后讨论了各种模糊控制的实现方法以及各种模糊控制芯片，特别是电流型多值模糊控制芯片的发展．     

一种用于发动机怠速控制的模糊控制器

针对发动机的怠速控制问题，按照基于零阶T-S模型的模糊控制算法，研制了一种怠速模糊控制器。在Xilinx Spartan Ⅱ型FPGA上实现了该模糊控制器电路，验证了该算法的有效性；用SMIC0．18肛m工艺研制了模糊控制器芯片，芯片面积为1.99mm^2，功耗为8．7mW，工作频率达30MHz。以模糊控制器为核心的控制系统经在发动机上实车试验，功能正确，控制效果良好。     

基于模糊神经网络的智能巨磁电阻传感器设计

在清华大学微纳器件和系统实验室制备了一种高性能的巨磁电阻(GMR)自旋阀.因为该GMR磁传感器的输出呈高度非线性,不利于后端客户的应用,所以设计了一种用于线性校正用途的模糊神经网络(FNN),并以此构建了智能GMR磁传感器系统,通过Matlab仿真试验验证了该方法的有效性.最后,讨论了单芯片系统(SOC)实现该智能GMR磁传感器的可行性,为进一步的系统集成提供了理论基础.     

可编程模糊逻辑控制器芯片的设技

本文提出了一种由模拟电路实现的通用可编程模糊逻辑控制器（ＰＦＬＣ）,针对两输入变量、一输出变量的控制对象,允许有８１条控制规则,该控制器是由电流型ＣＭＯＳ多值器件构成,采用２μｍ标准ＣＭＯＳ工艺制造ＰＦＬＣ有方便的输入／输出接口和修改规则,其模糊推进过程是并行的,每时钟周期完成一次,最高时钟频率可达１ＭＨｚ。