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11.
本文报导了 MeWO_4(Me∶Mn 或 Zn)系陶瓷湿敏材料的若干配方、烧结制度及相应阻—湿特性。给出了一种获得强度好、孔结构理想、电极附着好、敏感特性线性度好和灵敏度适当的 MeWO_4系湿敏瓷的最佳组成及工艺。  相似文献   
12.
田瑶珠  程利萍  秦军  伍玉娇  黄安荣  游邦升 《塑料》2012,41(5):10-12,102
文章以淀粉为重要原料制备了1种抗静电剂。将其添加在HDPE材料中,研究其在HDPE材料中的抗静电作用。结果表明:当抗静电剂质量分数超过1%,该HDPE复合材料的抗静电性能在1个月后优良;该复合材料的抗静电耐擦拭性能优良;该抗静电剂对HDPE材料的力学性能影响不大。  相似文献   
13.
采用微纳叠层共挤制备了高密度聚乙烯(HDPE)/聚酰胺6(PA6)原位成纤增强复合材料,通过扫描电子显微镜(SEM)分析了普通共混挤出和微纳叠层挤出共混物中分散相PA6的形态及分布;利用差示扫描量热仪(DSC)分析研究了复合体系中PA6对HDPE基体熔点和结晶性能的影响;讨论了两种加工方式条件下PA6添加量对复合材料静态力学性能的影响以及加工方式对复合体系力学性能的作用。结果表明:在微纳叠层挤出共混物HDPE/PA6(质量比85/15)中存在直径约为3μm的纤维;随着PA6含量的增加,复合体系的结晶度增大。  相似文献   
14.
综述了近年原位成纤技术在热致性液晶聚合物(TLCP)/热塑性聚合物(TP)、TP/TP体系中的应用研究进展,提出目前研究过程中存在的问题及解决方法构想,展望原位成纤技术在新的复合体系中的的应用.  相似文献   
15.
受功能梯度材料设计理念的启发,采用聚合物微纳层叠共挤装置,提出了交替多层介电复合材料的假设,设计了(聚偏氟乙烯/钛酸钡)(PVDF/BaTiO3)/PVDF交替多层介电复合材料,研究了复合材料的结构和性能。结果表明,复合材料中PVDF以α、β两种晶型共存;随着BaTiO3含量的增加,体系的结晶度逐渐降低;介电常数先增大后减小,在BaTiO3质量分数为7.5%时,介电常数达到最大61.43 F/m(25℃,1 MHz);介电损耗因数先减小后增大,但介电损耗因数都小于0.1。因此,利用微纳多层共挤技术,设计的交替多层介电复合材料满足要求。  相似文献   
16.
采用熔融挤出——热拉伸——牵引拉伸制备了HDPE/PA6原位成纤增强复合材料,通过SEM分析了分散相PA6含量对其在基体中的形态及分布的影响;讨论了两种加工方式条件下分散相PA6含量对复合材料拉伸性能和冲击韧性的影响以及加工方式对复合体系力学性能的影响。结果表明:在原位成纤增强复合材料中存在直径为2~5 μm的纤维,当HDPE/PA6质量比为85/15时,微纤直径约为3 μm,此时,与普通共混复合材料相比,原位成纤增强复合材料的拉伸强度提高了6.9%,拉伸模量提高了14.8%,冲击强度提高10.03%。  相似文献   
17.
为了对聚己二酸-对苯二甲酸丁二酯(PBAT)进行增强改性,选择尼龙6 (PA6)作为分散相,采用自制的多级挤出拉伸装置制备了PBAT/PA6原位微纤复合材料。通过扫描电子显微镜、万能试验机、差示扫描量热仪与旋转流变仪对PBAT/PA6原位微纤复合材料的微观结构、力学性能、结晶性能及流变性能进行研究。结果表明,分散相PA6在PBAT基体中形成了微纤,当PA6质量分数为4%时,在PBAT-4试样的断面中PA6分散相呈短棒状形状,随着PA6含量的增大,PA6微纤平均直径逐渐增大,其直径分布范围也增大;当PA6质量分数为12%时,PBAT-12试样中的PA6微纤长度较长,大部分PA6微纤的长度大于30μm。PA6的加入提高了PBAT的结晶温度及屈服强度,PA6微纤对PBAT的结晶起到明显异相成核作用,使PBAT的结晶温度提高了14℃左右,PBAT/PA6原位微纤复合材料的玻璃化转变温度随PA6含量增加而逐渐向高温方向移动;随着PA6含量的增加,PBAT/PA6原位微纤复合材料的屈服强度及拉伸弹性模量先增大后减小,PBAT-12试样的屈服强度及拉伸弹性模量最大,分别为10.3 MPa和233.5...  相似文献   
18.
19.
本文研究了 MeCr_2O_4-Bi_2O_3(Me:Mg,Zn)系半导体陶瓷材料的晶相、微组织结构与湿敏特性。指出:掺入适量低共熔氧化物 Bi_2O_3,能在900℃合成温度下得到 MeCr_2O_4尖晶石结构。该材料经1300℃高温预处理后,按标准陶瓷工艺技术制得的烧结样品(φ10×1.0mm)固有阻值为106Ω数量级。微结构显示多孔网络特征,材料灵敏度适中,是制作湿度传感器的一种有实用价值的多孔质敏感材料。  相似文献   
20.
Heywang假定施主掺杂BaTiO_3陶瓷(BFT)的晶粒边界(GB)存在着二维受主型表面态,这些受主中心能从晶粒表层俘获电子,形成一定数量的表面电荷,建立表面电势垒.在耗尽层假设前提下,由解Poisson方程得表面电子势垒(?)_0=N_s~2/ε_0ε_r (1)式中:N_s为表面态密度,ε_0ε_r为材料介电常数.在居里点以上,有效介电常数按Curic-Wciss定律急剧减小,表面势垒急剧增加,电阻率(ρ(?)exp((?)_0/kT))也急剧增  相似文献   
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