液晶显示器用偏光片

从偏光片的工作原理和基本结构入手,介绍了组成偏光片的各种膜层的功能与研究现状,以及偏光片的研究发展动向.对偏光片的研究与产业发展提出了几点建议.     

MD16:基于特定RISC规则的16位DSP处理器

为达到最佳的应用性价比,一个重要思想就是把RISC和DSP的优点融合在一个平台上,但是目前这方面工作侧重以RISC结构为基础构建RISC-DSP混合型处理器。与此对比,本文提出了一种以DSP为基础并辅以若干RISC特性的处理器构造思想。这种思想表现在体系结构设计上为采用局部类RISC同质寄存器结构来优化指令编码、采用基于二维扩展LAOD/STORE寻址机制来增强寻址能力;表现在微结构设计上为采用类RISC四级流水线来降低控制、数据相关性,同时由于基于寄存器的运算操作和扩展的LOAD/STORE寻址操作功能正交,因此又可采用指令内并行机制来提高运行效率。芯片采用SMIC 0.18μm6层CMOS工艺加工,在核心电压1.8V情况下,其可工作在0～162MHz,此时功耗为1.1mW/MHz。     

基于UV-LIGA技术的电磁型射频MEMS开关的集成制作

电磁型MEMS开关比静电式的结构复杂,一体化集成加工困难.对于新型电磁驱动双稳态RF MEMS开关进行了材料的选择,并对一些主要材料的电镀和悬空结构的制备与释放进行了工艺优化研究.经过工艺整合,实现了电磁型RF MEMS开关的多种非硅材料和多元结构形式的一体化集成加工.     

基于嵌入式Linux可扩展路由器的设计

基于嵌入式Linux可扩展路由器硬件结构由X86平台、控制台、双启动U盘、以太网口、串行口组成.对硬件平台、接口和外设驱动程序以及路由新特性的支持,采用Linux kernel 2.4或更高版本.路由功能利用源代码开放软件Zebra实现.控制台主控界面用CISH实现,前台为用户提供模拟路由器操作系统界面,后台通过参数传递与Linux系统内相关命令相连.     

影响直流高压MLCC表面放电的因素

通过悬浮内电极排布、加大端头间距、使用自制专用表面整理剂对高压MLCC表面彻底清洁等工艺措施,对高压MLCC表面放电现象有很大改善,并显著提高了其耐电压性能。采用单悬浮电极排布、3.2mm端头间距,并用自制专用表面整理剂处理,制作1808规格、容量100pF、工作电压3000V的NP0特性MLCC产品,在6000V下没有表面放电现象,击穿电压在10000V以上。     

磁控溅射台电控系统的改造

针对当前磁控溅射台存在真空自动准备和手动自动切换不完善等缺点,以DV602磁控溅射台为例,对其电控系统进行了改造。设计了以PLC为控制系统核心、以触摸屏为人机接口的电控系统,控制系统的可靠性和稳定性得到提高,且界面友好,操作方便。     

用于无线局域网的双频段低噪声放大器

采用0.18μmCMOS工艺设计并制造了一款新型的应用于无线局域网的双频段低噪声放大器。设计中,通过切换输入电感和负载电感,来使电路分别工作在2.4GHz和5.2GHz频段。在1.8V的电源电压下,在2.4GHz和5.2GHz两个频段上,其增益分别达到了11.5dB和10.2dB,噪声系数分别是3dB和5.1dB。芯片总面积是0.9mm×0.65mm。     

低压高温退火对Ag掺杂ZnO薄膜性质的影响

采用电子束蒸发在n-Si(100)衬底上沉积Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜,随后在200 Pa的O<,2>气氛下分别在500、600、700和800℃退火4 h.用X射线衍射(XRD)仪、荧光光谱仪以及Van der Pauw方法测量ZnO:Ag薄膜的结构和光电学性质.结果表明,ZnO:Ag薄膜为多晶结构,且随着退火...     

氧化钨pH电化学传感器的H+响应行为研究

采用WO3作为H＋响应敏感材料，制备了WO3pH电化学传感器，对传感器的H^＋响应行为，如响应范围、响应灵敏度、响应时间等影响因素进行了分析。制备WO3工作电极的热处理温度对传感器的H^＋响应灵敏度与速度有影响，H＋响应速度与溶液pH和温度有关，溶液中Na^＋，K^＋，F^-对H＋响应行为没有影响，但是受到I^-，NO3^-的干扰。     

HHT在水下目标信号特征提取中的应用

将希尔伯特-黄变换（HHT）用于水下目标特征分析,利用HHT对实录舰船辐射信号进行了特征提取,结果表明其适用于水声非平稳信号的分析,与传统时频分析方法相比具有很强的自适应特性和较好的时频聚集性。