全文获取类型
收费全文 | 102557篇 |
免费 | 11548篇 |
国内免费 | 8483篇 |
专业分类
电工技术 | 9138篇 |
综合类 | 11404篇 |
化学工业 | 13198篇 |
金属工艺 | 7102篇 |
机械仪表 | 7307篇 |
建筑科学 | 7723篇 |
矿业工程 | 3679篇 |
能源动力 | 2799篇 |
轻工业 | 11100篇 |
水利工程 | 3031篇 |
石油天然气 | 3433篇 |
武器工业 | 1414篇 |
无线电 | 10736篇 |
一般工业技术 | 8556篇 |
冶金工业 | 3934篇 |
原子能技术 | 2029篇 |
自动化技术 | 16005篇 |
出版年
2024年 | 426篇 |
2023年 | 1605篇 |
2022年 | 3877篇 |
2021年 | 4914篇 |
2020年 | 3582篇 |
2019年 | 2409篇 |
2018年 | 2679篇 |
2017年 | 2995篇 |
2016年 | 2694篇 |
2015年 | 4212篇 |
2014年 | 5492篇 |
2013年 | 6677篇 |
2012年 | 8042篇 |
2011年 | 8522篇 |
2010年 | 8251篇 |
2009年 | 7922篇 |
2008年 | 8557篇 |
2007年 | 8185篇 |
2006年 | 7250篇 |
2005年 | 6001篇 |
2004年 | 4267篇 |
2003年 | 2897篇 |
2002年 | 2772篇 |
2001年 | 2619篇 |
2000年 | 2184篇 |
1999年 | 1013篇 |
1998年 | 438篇 |
1997年 | 352篇 |
1996年 | 327篇 |
1995年 | 237篇 |
1994年 | 192篇 |
1993年 | 163篇 |
1992年 | 135篇 |
1991年 | 118篇 |
1990年 | 95篇 |
1989年 | 99篇 |
1988年 | 68篇 |
1987年 | 47篇 |
1986年 | 38篇 |
1985年 | 30篇 |
1984年 | 25篇 |
1983年 | 22篇 |
1982年 | 18篇 |
1981年 | 24篇 |
1980年 | 32篇 |
1979年 | 16篇 |
1978年 | 5篇 |
1976年 | 4篇 |
1959年 | 28篇 |
1951年 | 16篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
111.
高温酸化助排剂HC2-1的研究 总被引:12,自引:2,他引:10
为了满足高温油藏和深井酸化作业残酸返排的需要,通过表面活性剂的筛选和复配研究,得到了高温酸化助排剂HC2—1。其性能评价结果表明,HC2—1具有使用浓度低、表面活性高的特点,在20%的HCI溶液中,当其浓度为50mg/L时,表面张力为20.7mN/m;具有良好的耐温性能,在180℃下恒温48h,HC2—1仍保持较高的表面活性;具有良好的耐盐能力,加有HC2—1的20%HCl溶液和CaCO3反应至HCl完全消耗,整个反应过程体系无新相生成且表面张力基本不变;可增大酸液体系的润湿角,进一步降低毛细管阻力,使酸液返排率由46%提高到97%,在促进酸液返排的同时与原油不发生乳化反应。 相似文献
112.
113.
基于ARM微处理器的故障记录系统 总被引:1,自引:0,他引:1
给出了在普通数据采集基础上的故障记录系统的设计方案,利用ARM微处理器实现了模拟信号较完整的故障波形记录和开关信号的事件顺序记录(SOE)。对LPC2106ARM系列处理器、ADS7871模/数转换器以及数据通信接口等内容进行了讨论,阐述了系统的工作原理、软件处理方式、系统通信。该设计方案电路简单,特别适用于电力系统。 相似文献
114.
115.
本文介绍了大型牵伸卷绕机的计算机控制系统,以西门子MMV型变频器为驱动装置,西门子PLC300为控制核心,根据西门子USS协议和MPI协议,实现PLC与变频器、TP27触摸显示屏的通信,取得了较高的控制精度和稳定性,充分满足生产过程的需要,具有广阔的应用前景。 相似文献
117.
118.
119.
新产品研发是建陶企业可持续发展的核心 总被引:2,自引:0,他引:2
新世纪我国建陶企业在整个国民经济的带动下将进一步发展,入世后经济全球化的市场竞争格局,建陶企业只有走新产口研发之路,严格企业管理,才会在日趋激烈的市场竞争中得以生存和可持续发展。 相似文献
120.
Speed superiority of scaled double-gate CMOS 总被引:1,自引:0,他引:1
Unloaded ring-oscillator simulations, performed with a generic process/physics-based compact model for double-gate (DG) MOSFETs and supplemented with model-predicted on-state currents and gate capacitances for varying supply voltages (VDD), are used to show and explain the speed superiority of extremely scaled DG CMOS over the single-gate (e.g., bulk-Si) counterpart. The DG superiority for unloaded circuits is most substantive for low VDD < ~1 V 相似文献