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Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光,在50kV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm^2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍,分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT:一种用Ⅰ线光致抗蚀剂,对源、漏及栅全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT;另一种将源、漏及栅分割成两部分,其中精细部分由电子束曝光,其余部分由光学系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ 相似文献
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在基于POSC标准的基础上,分析了POSC EPICENTER数据模型,对油田中普遍使用的LS716测井大块数据在磁盘和远程自动磁带库之间实现了一体化的数据管理,开发了数据加载,数据删除,头信息浏览线回施行能模块。该系统特点是,管理信息加载到POSC数据仓中,而真正的数据体以外部数据文件的形式存放,使得大块数据的加载和提取速度大大提高,同时,在数据仓库和远程带库之间实现了一体化的数据管理。 相似文献
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通过对滨南油区注水现状的调查,发现存在的主要问题是水井套管损坏严重和部分水井欠注。文章全面地介绍了套管损坏井治理和攻欠增注工艺技术在现状的应用。 相似文献
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CAD/CAM在注射模设计中的应用 总被引:7,自引:0,他引:7
以Pro/E、Moldflow软件为例,对CAD/CAM技术在注射模设计中的应用进行了研究和探讨,总结了使用该软件的一些体会,阐述了注射模CAD/CAM技术的发展趋势。 相似文献
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Zhang Li Chun Jin Hai Yan Ye Hong Fei Gao Yu Zhi Ning Bao Jun Mo Bang Xian 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(6):1075-1076
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively 相似文献
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采用中星微VC0858在CDMA移动通信终端开发平台上实现了多媒体系统,详细介绍了硬件结构和软件系统的设计.测试结果证明该方案符合移动通信终端实际使用要求. 相似文献
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本文介绍了HSDPA的发展背景,针对HSDPA的主要技术特点,依据市场发展规划、用户需求等方面对HSDPA部署进行探讨,并对HSDPA的覆盖与容量方面进行规划分析. 相似文献