(Nb,Ti)C的制备方法对(Nb,Ti)C-35Ni金属陶瓷的微观结构及性能的影响

用自蔓燃高温合成（SHS）技术及电弧熔融法制备的（Nb，Ti）C固溶体作基体，制备（Nb，Ti）C－35Ni金属陶瓷。结果表明用电弧熔融法制备的（Nb，Ti）C为基的试样具较优的室温力学性能（σ＝1630MPa，KIC＝18．0MPa），其陶瓷颗粒均匀分行粘结相之中并是包裹结构；而用SHS法制备的（Nb，Ti）C为基的试样其力学性能相对较差，其陶瓷颗粒无包裹结构．     

熔融 NaCl-(Na,K)_2SO_4引起的 Fe-Cr 合金的热腐蚀

本文采用电化学方法研究了 Fe-Cr 合金在800℃、熔融 NaCl-(Na,K)_2SO_4中的腐蚀行为,并对腐蚀产物进行了观察和分析。结果表明,提高合金 Cr 含量可以改善合金耐蚀性能。氧化-硫化是Fe5Cr、Fe10Cr 合金腐蚀破坏的主要方式;氧化膜的熔融反应是 Fe20Cr、Fe25Cr 合金加速腐蚀的主要原因。同时,氧化膜的机械破裂也加速了合金的腐蚀。     

MIMO系统中的分组全分集全码率空时编码

针对未编码的多输入多输出（MIMO，Multi—Input Multi—Output）系统，提出一种复杂度适中的分组全分集全码率（GFDFR，Group—wise Full Diversity Full Rate）空时编码方案。该方案通过在发送端进行天线分组，各组独立编码，减小全分集全码率（FDFR，Full Diversity Full Rate）编码块的大小从而降低系统编解码复杂度；在频率选择性信道中，进一步对子载波分组进行独立编码，获得频率分集（或多径分集），以适中的复杂度在不降低系统分集度的情况下保证了信息的全码率传输，是一种在MIMO信道中极具实用价值的空时编码方案。     

高温稀土永磁Sm2(Co,Cu,Fe,Zr)17 的制备和性能

制备了高温稀土永磁材料Sm(Coba1Fe0．26Cu0．05Zr0．026)7．0，研究了磁性能与工艺条件的关系．结果表明：提高烧结温度可使材料的Br和(BH)max增大，但是使Hci降低；适当提高真空预烧温度，可使材料在较低烧结温度下致密化，具有较高的Hci和(BH)max和温度稳定性．真空预烧温度过高使性能的急剧降低，其主要原因是Sm的析出．在最佳工艺条件下材料的磁性能参数分别为：Br1．08T3Hci2286kA／m，Hcb932kA／m，(BH)max220．8kJ／m^3；β20-200℃为-0．19％／℃．     

自动控制原理考试系统的设计与实现

对基于Visual Basic 6．0开发的自动控制原理考试系统的系统结构做了阐述，并简要介绍了该系统的设计思想、主要功能及实现方法。     

mc-Si:H/c-Si solar cell prepared by PECVD

Hetero-junction solar cells with an mc-Si:H window layer were achieved. The open voltage is increased while short current is decreased with increasing the mc-Si:H layer's thickness of emitter layer. The highest of V oc of 597 mV has obtained. When fixed the thickness of 30 nm, changing the N type from amorphous silicon layer to micro-crystalline layer, the efficiency of the hetero-junction solar cells is increased. Although the hydrogen etching before deposition enables the c-Si substrates to become rough by AFM images, it enhances the formation of epitaxial-like micro-crystalline silicon and better parameters of solar cell can be obtained by implying this process. The best result of efficiency is 13.86% with the V oc of 549.8 mV, J sc of 32.19 mA·cm-2 and the cell's area of 1cm2.     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.     

大型90°弯头应力测试与爆破试验研究

通过对一大型90°弯头进行应力测试与爆破试验,得到了内压载荷下该厚壁弯头的外壁应力分布情况,确定了弯头的薄弱部位,并将试验结果与理论计算结果进行了比较。试验结果可为大型厚壁弯头的设计,制造及使用提供参考数据。     

氧化锌颗粒膜电阻响应-恢复特性研究

测试了氧化锌颗粒膜电阻响应-恢复特性，讨论了颗粒形态，加热电压、环境气氛、气氛浓度和注入方式等因素对电阻响应-恢复特性的影响。结果表明，随着加热电压的升高，电阻响应-恢复的速度和程度明显加大；断续注入时颗粒膜电阻值的响应随着浓度的增加逐步减弱．     

基于MAX6361的掉电保持电路的设计

三星公司推出的微处理器S3C44BOX在嵌入式系统中得到了广泛应用．本文提出了由S3C4480X．IS62WV25616BLL和MAX6361组成的掉电保持电路的设计原理．重点介绍了MAX6361微处理器监控电路的工作特性。此电路可实现电源监控．处理器复位、电源自动切换及掉电时的数据保持等功能。