生长方法对DKDP晶体生长习性及光学性能的影响

以KH2PO4作为原材料,从含85%(摩尔分数)氘的氘化溶液中分别由传统降温法和"点籽晶"快速生长法生长了磷酸二氘钾[(K(DxH1-x)2PO4,DKDP]晶体。对加工后的样品进行了光散射和透过性能测试,研究了不同生长方法对DKDP晶体的生长习性和光学性能的影响。结果表明:对于纯度较高原料(杂质金属离子浓度≤10-6),"点籽晶"快速生长法能有效避免晶体生长过程中杂晶的出现,且生长速率为传统降温法的10倍,但所得晶体存在严重的光散射,透过性能明显下降,另外,快速生长所得晶体柱面区域较锥面区域光学性能明显下降。     

硫酸盐掺杂对KDP晶体生长的影响

SO2-4是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长.实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生“楔化”.     

金属离子对KDP晶体生长的影响

回顾了过去几年人们对金属离子对KDP晶体生长影响的研究进展,并报道了我们对Fe3+和Sn4+在不同条件对KDP晶体生长影响的定量研究结果.在低过饱和度下,Fe3+掺杂浓度＜3.0×10-5可以提高溶液的稳定性,并且对KDP晶体的生长形态和光学质量基本没有影响.同时,研究发现即使少量Sn4+的加入都可以显著地提高溶液的稳定性,但Sn4+掺杂浓度为1.0×10-5时,晶体就已经严重楔化.     

单晶体材料内应力研究进展

随着科学技术的发展,晶体的力学性质,如弹性、脆性、硬度和解理性等引起了人们的重视。晶体材料应力分布取决于很多复杂因素(加热、退火、提拉、切割、搬运以及生长过程中的各种力学因素)。从应力表征、硬度及断裂韧性的测试方法入手,回顾并总结了晶体材料力学参数的表征手段,阐述了晶体开裂的分布规律及原因。其中光测方法(主要包括光弹法、X射线衍射法等)因其对晶体材料无任何机械损伤、检验灵敏度高而应用广泛:光弹性是光学晶体材料的重要特性,利用光弹仪测定光程差,根据平面光弹性的应力-光学定律确定主应力差;X射线衍射方法测定样品中宏观应力具有无污染、测量精度高等特点。压痕实验和划痕实验是表征晶体硬度的主要手段,结合化学腐蚀和光学观测方法可以有效探讨晶体开裂的微观机理。     

热退火条件对磷锗锌晶体性质的影响

以高纯度的Zn,Ge和P粉末作为原料,采用垂直Bridgman法生长了磷锗锌（ZnGeP2,ZGP）晶体;分别在真空、磷蒸汽和ZGP晶体粉末中对生长的ZGP晶体进行了退火。测量了不同的退火条件下ZGP晶体中各元素的含量、激光损伤阈值、透过光谱和Rarllarl光谱。研究表明：在ZGP晶体粉末中退火后的晶体激光损伤阈值为96．43MW／cm^2,比在真空、磷蒸汽中退火的高：在近红外区域的吸收有所减少。Raman光谱测量结果表明,晶体的Ranqan振动模的数量发生了变化,表明退火环境对ZGP晶体的结果有一定影响。在ZGP晶体粉末中退火的ZGP晶体的性能有明显改善。     

YCOB晶体的最佳三倍频方向研究

用皮秒Nd :YAG激光器对不同切向的YCOB晶体进行了 1 0 64+ 0 532→0 355μm的倍频研究。测量了 1 0 64μm三倍频的一类相位匹配点 ,以及各切向晶体三倍频转换效率随输入功率密度的变化曲线。当输入功率密度为 0 76GW/cm2 时 ,沿 ( 1 0 6°,77 2°)切割的YCOB晶体三倍频转换效率达到 2 6 2 %。     

焦磷酸盐对KDP晶体透过光谱的影响

研究了焦磷酸盐对KDP晶体光谱性质的影响。焦磷酸盐对KDP晶体锥面透过光谱有明显影响,其原因在于焦磷酸根在锥面上吸附,进入晶格,形成一个质子空位,导致紫外光谱的额外吸收。     

LD端面泵浦固体激光器理论在测量Nd:YVO_4晶体有效受激发射截面中的应用

对四种掺杂浓度的Ｎｄ：ＹＶＯ４晶体进行了激光性质的研究和对比．从ＬＤ端面泵浦固体激光器的理论出发,结合实验数据计算了相应晶体的有效受激发射截面σｅ．结果表明,随Ｎｄ３＋ 浓度的提高．Ｎｄ：ＹＶＯ４晶体的有效受激发射截面σｅ逐渐增大,上能级寿命τｅ不断减小,两者的乘积在２ａｔ．％附近达到最大值．     

实时控制过饱和度降温法生长KDP晶体

用变压器型电导仪实现了ＫＤＰ晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制,测量精度±０．０３ｇ ＫＤＰ／１００ｇ Ｈ_２Ｏ（±０．１０％相对过饱和度）,控制精度与测量精度相当．过饱和度实时控制系统提供了一种方法,可以研究在不同工艺条件生长ＫＤＰ晶体时,过饱和度与晶体生长和性能的关系．用分析纯原料生长ＫＤＰ晶体,发现随着过饱和度的增大,晶体的生长速度加快,晶体的均匀性降低．过饱和度实时控制系统可以使ＫＤＰ晶体在相对恒定的过饱和度下生长,提高了晶体生长的均匀性,抑制了生长层和散射颗粒的产生,有利于提高晶体的光学透过率和光伤阈值．     

非线性光学聚合物α弛豫的标度

非线性光学聚合物的介电弛豫行为不再遵从Deby弛豫行为.为描述α弛豫标度,认为除了弛豫时间和介电弛豫强度,两个分别描述低频和高频介电特性的参量m和n是必要的.给出了用HN函数表示的复介电的表达式,并用HN模型函数模拟确定出了几种非线性聚合物的标度参量m和n.