首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   455篇
  免费   20篇
  国内免费   11篇
电工技术   8篇
综合类   33篇
化学工业   59篇
金属工艺   9篇
机械仪表   28篇
建筑科学   20篇
矿业工程   35篇
能源动力   2篇
轻工业   95篇
水利工程   5篇
石油天然气   31篇
武器工业   7篇
无线电   21篇
一般工业技术   37篇
冶金工业   12篇
自动化技术   84篇
  2024年   2篇
  2023年   6篇
  2022年   7篇
  2021年   11篇
  2020年   3篇
  2019年   16篇
  2018年   16篇
  2017年   6篇
  2016年   9篇
  2015年   9篇
  2014年   29篇
  2013年   20篇
  2012年   18篇
  2011年   20篇
  2010年   34篇
  2009年   19篇
  2008年   27篇
  2007年   30篇
  2006年   41篇
  2005年   22篇
  2004年   28篇
  2003年   38篇
  2002年   18篇
  2001年   8篇
  2000年   7篇
  1998年   3篇
  1997年   4篇
  1996年   3篇
  1995年   4篇
  1994年   10篇
  1993年   7篇
  1992年   4篇
  1991年   3篇
  1990年   2篇
  1989年   1篇
  1988年   1篇
排序方式: 共有486条查询结果,搜索用时 453 毫秒
61.
62.
63.
综述了当前国际上抗抑郁药物研究中SSRI‘plus’方法的最新进展。研究热点主要集中在设计具有SSRI/5-HT1A、SSRI/NRI双重作用机制的抗抑郁剂,其能够缩短滞后期,达到快速起效的目的。  相似文献   
64.
气相色谱串联质谱法测定粮谷中16种有机磷农药残留量   总被引:2,自引:0,他引:2  
玉米、大米、糙米、小麦、养麦试样用乙酸乙酯提取,经凝胶色谱和固相萃取柱净化,用气相色谱-串联质谱仪检测和确证,外标法定量.添加水平在0.002~0.50 mg/kg时,回收率范围为78.4%~97.8%,相对标准偏差为9.7%~18.9%,测定低限为0.002 mg/kg.  相似文献   
65.
本文基于石化产业规划和区域发展的红利政策,介绍了石化新材料发展的有利背景,分析了产业面临的诸如同质化发展、资源环境约束等现实问题。以惠州市产业发展和布局为例,介绍了石化新材料的总体发展思路。最后给出了石化产业差异化发展,划定红线明确招商图谱,坚持政府配套市场为主的政策建议。  相似文献   
66.
67.
为了解决当前图像水印技术难以抵御几何失真,使其鲁棒性较低与误检率较高的问题,提出了几何校正与非下采样Shearlet变换的图像水印算法.首先,引入Cat映射,对水印信息图像进行置乱;随后,借助非下采样Shearlet变换机制,对载体图像进行处理,获取低通子带和高通子带,并将低通子带分割为尺寸相同的小块;通过修改低通子带的Shearlet系数,建立水印嵌入机制,将水印信息植入到载体图像中,获取水印密文;构建几何失真图像训练样本,基于极谐变换,计算水印图像的极谐变换系数模,充分描述其鲁棒特征;基于模糊支持向量机,预测几何失真参数,对水印图像进行几何校正;最后,再次利用非下采样Shearlet变换处理校正水印图像,获取低通子带小块,设计水印提取方法,复原其水印信息.实验结果显示:与当前图像水印算法相比,所提算法具有更高的不可感知能力与鲁棒性,对于各种几何攻击,所提取技术的复原水印与初始水印的相关系数均要高于0.95.  相似文献   
68.
朱界  张方舟  谢有菊  贾林涛  王梦千  李爱军 《材料导报》2021,35(23):23025-23032,23039
钛硅碳(Ti3 SiC2,TSC)是一种兼具金属材料和陶瓷材料优异性能的新型三元化合物MAX相.Ti3 SiC2作为高导电功能涂层具有很大的应用潜力,近年来受到越来越多的关注.Ti3 SiC2涂层的制备技术在不断改革优化,主要有五种常见制备工艺,分别是化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)、固相反应合成法(Solid-state reaction)、气溶胶沉积法(ADM)和热喷涂法(Thermal spraying).Ti3 SiC2涂层的性能在很大程度上与其纯度相关,通常制得的Ti3 SiC2涂层均含有一定程度的杂质,这是制约其广泛应用的一个重要因素.Ti3 SiC2涂层中经常出现的杂质主要是TiC、Ti5 Si3、SiC、TiSi2等,不同的制备方法产生的杂质种类也不一样.为了提高Ti3 SiC2涂层的纯度,需要对其制备工艺进行探索和优化.目前,反应化学气相沉积(RCVD)实现了通过消耗碳化硅(SiC)子层在石墨基底上生长纯Ti3 SiC2涂层.近年来利用ADM也实现了在室温下合成纯Ti3SiC2涂层,这一技术降低了常规Ti3SiC2涂层的合成温度.此外,PVD法不仅为低温制备Ti3SiC2涂层提供了可能性,还实现了Ti-Si-C复合涂层的工业化生产.本文综述了Ti3 SiC2涂层的研究现状,分析了Ti3 SiC2涂层独特的晶体结构及优异性能,介绍了近年来几种常见的Ti3 SiC2涂层制备技术,并指出了目前合成纯Ti3 SiC2涂层所面临的巨大挑战.  相似文献   
69.
以BCl3-NH3-H2-N2为前驱体系统, 在垂直放置的热壁反应器中利用化学气相沉积工艺制备氮化硼(BN)涂层, 分析了工艺参数对沉积速率的影响, 通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射技术(XRD)分析了碳化硅纤维表面BN涂层的形貌和微观结构, 提出了BN沉积过程中主要的气相和表面反应, 以及关键气相组分。研究结果显示:在600~850℃的范围内, 随着沉积温度的升高, BN沉积速率逐渐加快, 同一温度下, 沉积区域内BN沉积速率沿气流方向逐渐减缓, 表明气相组分在气流方向逐渐消耗; 随着系统压力的提高, BN沉积速率先加快后减缓, 表明沉积过程由表面反应控制转变为质量传输控制; 随滞留时间延长, 距气体入口1~3 cm处, BN的沉积速率逐渐增大, 而距气体入口4~5 cm处, 沉积速率先增大后逐渐变小。SEM照片显示碳化硅纤维表面BN涂层光滑致密, XPS结果表明主要成分为BN及氧化产物B2O3, XRD图谱表明热处理前BN为无定形态, 1200℃热处理后BN的结晶度提高, 并向六方形态转变。BN的沉积是由BCl3和NH3反应所生成的中间气相组分Cl2BNH2、ClB(NH2)2和B(NH2)3来实现的。  相似文献   
70.
随着教育部《教育信息化2.0行动计划》文件的出台,智能化与数字化、网络化、个性化、终身化将一起领跑学校教育现代化发展新征程。在这个过程中,信息化环境的建设固然重要,但只是基础,如何让新技术成为一种方式、手段,实现信息技术与教育教学的深度融合呢?我们必须在教师的信息素养提升上下功夫。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号