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采用原位法粉末装管工艺(in-situ PIT),以Nb/Cu复合管作为包套材料制备了MgB2超导线材并且在氩气保护气氛中,不同温度条件下保温2h进行成相热处理。分别采用电阻-温度测试、磁矩转变测试、临界传输电流测试以及Nb-MgB2界面磁光研究等分析手段进行研究。结果表明:当热处理温度高于750℃时,在MgB2超导芯丝和Nb阻隔层之间形成一个扩散层,该扩散层的存在阻碍了电流的传输,从而导致在磁测法测试中可以检测到超导相存在,而在传输法测试中无法看到超导传输现象。说明采用Nb作为MgB2超导线带材的扩散阻隔层时其热处理温度不能高于750℃。 相似文献
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采用DSC和传统的粉末烧结法研究了Al-B体系的相转化,并采用XRD分析了样品物相组成,采用SEM分析了样品微观形貌,分析结果表明:烧结温度对AlB2相的分解有决定性影响,同时,保温时间对AlB2相的分解也有影响。在真空烧结条件下,要使AlB2相完全分解,1050℃下烧结3 h是最佳热处理工艺。采用两种单质直接化合生成AlB12相的反应是完全反应;即使是改变Al粉与AlB12粉的比例,在900~1150℃范围内烧结样品3 h,都不能使Al与AlB12发生反应。 相似文献
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采用扩散偶法研究了原位烧结过程中AlB2的形成过程及成相控制环节。扩散实验表明:铝的扩散能力远大于硼的扩散能力,Al-B体系成相主要是通过Al向B扩散实现的;Al-B可以在固-固态和液-固态下发生反应生成AlB2相;固-固态下,相互接触的Al和B通过原子间相互扩散在接触处形成固溶活化区,AlB2相便在该活化区内形成。固-固态下控制Al-B反应发生的因素是Al原子穿越反应产物的扩散能力;液-固态下控制Al-B发生反应的因素是熔融态Al对固相产物的润湿性。 相似文献
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研究了Ti3SiC2掺杂对MgB2的晶格参数(a)、微观结构、超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)的影响。随着Ti3SiC2掺杂量的增加,晶格参数a逐渐变小,表明了C进入晶格代替B位的发生。随着掺杂量的增加,超导转变温度Tc从37.15K降低到36.55K。利用Bean模型通过M-H磁滞回线计算了样品的Jc值。结果表明,在低场区域,未掺杂样品的Jc值高于Ti3SiC2掺杂样品的Jc值。然而随着磁场的进一步增大,适量掺杂的样品Jc值得到提高。 相似文献
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采用原位粉末装管技术(in-situ PIT)制备了萘(C10H8)掺杂MgB2/Nb/Cu线材。前驱粉末按照MgB2+xwt% (x=0,2,5,8)的比例将Mg粉、B粉和C10H8粉末混合研磨,装入Cu/Nb复合管中,分别拉拔加工至Φ2.0 mm和Φ1.0 mm,然后Ar气氛中分别在650,700,750 ℃热处理,保温2.5 h。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)等测试手段分析了样品的相结构和微观结构等。结果发现,样品超导转变温度Tc不随萘掺杂量的变化而变化,但正常态电阻有所降低。在20和25 K无外磁场时,x=8样品的临界电流密度分别达到1.1×105和3.8×104 A/cm2,而x=5样品也达到3.1×104 和 1.2×104 A/cm2。 相似文献
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顶部籽晶生长工艺是一种非常有效地制备REBaCuO大单畴超导块材的方法。对于具有较高熔点的SmBaCuO体系,选择合适的籽晶成为制备单畴样品的关键因素之一。本实验以NdBaCuO为基体,通过添加不同含量(0.2%,0.5%,1%,2%,5%,10%,质量分数)的MgO粉末,制备6种自发形核生长的多畴Nd-Ba-Cu-Mg-O块材样品,然后分别选用MgO含量为1%和10%的NdBaCuO为籽晶成功引导生长了近单畴的SmBaCuO块材。利用DTA、XRD和OM技术分析不同MgO添加量对NdBaCuO前驱粉末熔化温度的影响、MgO粉末在NdBaCuO基体中的饱和添加量以及Nd-Ba-Cu-Mg-O籽晶的特性。结果表明：在NdBaCuO中添加MgO粉末可以显著提高基体的融化温度;MgO粉末在NdBaCuO中的饱和添加量约为1%;在1%至10%的MgO添加范围内不会改变Nd-123的晶格类型 相似文献
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