有机薄膜FET的研究进展

介绍了有机薄膜FET的结构、工作原理，综述了目前的研究进展，分析了存在的问题，并对有机薄膜FET的应用前景进行了展望。     

用于检测1/f电噪声的低噪声放大器设计与仿真

1/f低频电噪声是评估半导体器件质量和寿命的一个重要因素。由于1/f低频电噪声极其微弱,为了检测它,同时最大程度降低放大器的本底噪声,低噪声放大器的设计和实现是至关重要的一个环节。针对1/f低频电噪声信号的特性,在现有低噪声放大器基础上进行优化改进,设计出一款频率极低的低噪声放大器,在0.1 Hz~100 kHz频率下具有高增益和低噪声特性。仿真结果表明,在10Hz处噪声系数达到1.80 d B。     

间接测量函数的自适应建立方法

提出了一种用于间接测量系统的测量函数建立方法。它以n阶线性常系数微分方程的广义函数通解作为测量函数模型。根据系统的测量数据，从通解中自适应地确定与测量数据相吻合的测量函数表达式。并用一组数据建立的测量函数表达式证明，它是对测量数据更具有适应性的实用方法。     

物理汽相生长并五苯晶体薄膜

用物理汽相沉积法在水平系统中生长有机半导体并五苯晶体薄膜.用10～30毫克的源生长出20～30 mm2大小的适合特性测量和器件制备的晶体薄膜.利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)等仪器对并五苯晶体薄膜进行了测试分析.     

基于压缩感知的大功率半导体激光器1／f噪声参数估计

根据1／f噪声结构,基于压缩感知（cs）的正交匹配追踪去噪（OMPDN）算法,以小波树结构为分解条件,提取大功率半导体激光器（LDs）中的白噪声及1／f噪声。以小波基作为稀疏基,高斯随机矩阵作为测量矩阵对信号测量并进行CS的重建,滤除白噪声后准确提取1／f噪声信号进行器件参数估计。实验结果表明,本文方法对高斯白噪声混杂...     

非合作跳频信号参数的盲压缩感知估计

针对非合作跳频通信系统采样速率高,先验信息少等问题,论文提出基于盲压缩感知重构理论参数估计算法。利用稀疏编码与正交基变换交替迭代的思想实现信号精确重构,并根据重构结果直接对跳频信号进行参数估计。与传统的压缩感知理论相比,盲压缩感知理论避免了对信号先验信息的需求,有效解决了非合作通信系统中先验信息少的问题。首先,建立信号模型,然后利用正交块对角盲压缩感知算法（Orthonormal Block Diagonal Blind Compressed Sensing,OBD-BCS）实现信号的重构,并估算出跳变频率及跳变周期。通过实验分析,该方法可以在低信噪比环境下恢复信号原始结构及信息,完成参数估计。      

激光二极管1/f噪声峰及其产生机理的研究

对42只大功率InGaAsP/GaAs量子阱(QW)激光二极管(LD)低频1/f噪声幅值(Bv)在小注入下(10-6～10-3A)的变化规律进行了研究.实验结果表明,器件在足够小的注入电流下可观察到完整的1/f噪声峰(Bv峰).理论分析和实验结果均表明,Bv峰是LD非线性占优势的标志且其位置与并联线性泄漏程度密切相关,并联线性泄漏会导致Bv峰右移.理论分析还表明,Bv峰右侧的1/f噪声源于有源区,Bv峰左侧的1/f噪声源于有源区周边的线性并联结构,该研究为电流泄漏的噪声诊断提供了理论依据.     

压缩域图像一类规则几何变换算法研究

在压缩的多媒体数据上直接处理图像可以提高多媒体应用的整体性能和处理速度．给出7种压缩域规则几何变换，通过编程实现了其中三种，其图像几何变换的生成时间比在空域的生成时间短，且图像质量不会因再编码而下降．     

有机/聚合物LED弱电流自动测试装置

介绍一种用于有机/聚合物LED微弱电流的自动测量装置。装置将测量参数估计理论与T形负反馈电阻网络相接合以实现高准确度微弱电流自动测量。装置电流测量范围为1fA—100mA；测量准确度为0．1％-10％R；分辨率为1fA；极限灵敏度为0．5fA。测量数据通过标准接口传输，经自动数据处理后，可提供微弱电流各分量频率谱、幅值相位谱以及随机过程的统计参数分析。     

TFT-LCD周边驱动电路集成化设计

根据N沟道和P沟道多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)的特性,使用Orcad作为辅助工具,设计了应用于132(RGB)×176TFT LCD的栅驱动电路和数据驱动电路。依据132RGB×176TFT LCD的参数对电路进行了模拟,实现了小尺寸液晶屏的p SiTFT周边集成驱动电路的设计。