工业移动通讯在灌装压盖机上的应用

本文介绍了啤酒生产线的灌装压盖机中工业移动通讯代替滑环通讯的方案。     

档案资源建设与校史文化研究

本文探讨了档案资源建设和校史文化研究的关系,提出了利用档案资源进行校史文化研究的建议,对进一步做好高校的档案工作具有一定的借鉴意义.     

银泰百货(集团)有限公司副总裁俞光华 传递新的生活美学

牛年运程零时的钟声即将敲响,新年的列车准时出发。它驮去一个难忘的岁月,迎来了又一度火红的年华。银泰百货全体员工祝广大消费者新年快乐!岁末甫至,福气东来,鸿运通天。否极泰来时重申鲲鹏之志,惜时勤业中,展乐天银泰无限风采。     

时代的规划设计语汇与城市空间个性的营造——余姚市城区中心旧城改造概念性城市设计及其引发的思考

通过余姚市这一具有悠久历史文化传统的城市的城区中心旧城改造概念性城市设计构思及其所引发的思考，探讨如何根据城市建设项目的性质、规模、场地及周围环境的情况等基本条件，不刻板拘泥于对传统形式的借鉴，用时代的规划设计语汇营造城市空间的个性。     

创建理性地对蓄电池充电的社会环境——促进电动汽车的发展

由电网电源V-变换成直流电流源V1后从正方向对蓄电池V2充电是现有技术。本文是推荐一种由V1正向V2,V2又负向外接负载Rf的双向交替电流对蓄电池充电的技术路径,是在遵循马斯定律的理论计算又结合具体的控制电路可真实实施的一种技术路径。所达到的效果是现有技术基础上：Ⅰ段速充电速率提高16倍;蓄电池循环使用周期寿命延长一倍...     

变压器并联运行条件分析

变压器的并联运行提供了许多方便，并提高了经济效益．因为电力负荷是在一年甚至一昼夜内都在较大范围内变动。例如对照明来说，夏天的需求量大于冬天，晚上大于白天。而选择变压器容量时，必须满足最大负荷的要求来选择。为了满足这种需求．若不采取并联运行，只能安装l台容量足够大的变压器，虽然它的价格比2台小容量的变压器低，但它在运行上的经济效果较差，也不能保证供电的可靠性。     

具有多层结构的可拉伸可折叠自修复有机硅导电弹性体∗

自修复导电弹性体在可穿戴设备领域有着巨大的应用潜力,但其导电性能和稳定性难以兼顾。 在自修复弹性体基材表面依次构建粗糙微米结构和金属导电层,构建形成新型导电弹性体(Ag / SiO₂ / B-BZn-PDMS)。 制备获得基于硼酸酯/ 配位双交联的新型自修复有机硅弹性体(B-BZn-PDMS),其抗拉强度为 0. 52±0. 05 MPa,断裂伸长率 98±5%,6 h 室温修复率可达 98. 1%。 研究结果表明:双层导电层具有良好的导电性能(电阻 4 Ω),经过 11 次拉伸循环,导电性能仍然保持。 此外,Ag / SiO₂ / B-BZn-PDMS 导电性能可在室温 20 min 自修复,电阻修复率可达 93%以上。 提出利用自修复弹性体以及粗糙结构构建柔性耐用导电弹性体的思路,为低成本高性能导电涂层开发提供了新的途径。     

miR-34a通过调控雄激素受体基因抑制前列腺癌细胞系LNCaP增殖

目的：探究miR-34a对雄激素受体（AR）基因的调控作用及对前列腺癌（PCa）LNCaP细胞增殖、凋亡的影响。方法：收集2016年10月至2019年9月本院泌尿外科行前列腺穿刺活检确诊为PCa患者组织标本36例,另取同期行手术治疗切除的良性前列腺增生（BPH）组织标本41例。体外培养LNCaP细胞,分别转染miR-34a mimics（mimics组）,miR-34a mimic NC（NC组）,设正常生长细胞为空白对照组（BC组）,另在mimics组基础上转染AR过表达（AR过表达组）载体及其对照（AR对照组）,采用CCK-8试剂盒检测细胞活性,Annexin V-FITC/PI双染色流式细胞凋亡检测试剂盒检测细胞凋亡率,实时定量PCR（RT-qPCR）检测miR-34a及AR mRNA表达水平,免疫印迹法检测AR蛋白、细胞周期蛋白D1（cyclinD1）及原癌基因产物（c-Mcy）、细胞凋亡相关蛋白（Bcl-2、Bax、capase-3）的表达水平。结果：与BPH组织比较,PCa组织中miR-34a表达水平显著降低（P<0.05）,AR mRNA及蛋白表达水平均显著增加（P<0.05）;与BC、NC组比较,mimics组LNCap细胞miR-34a表达水平、细胞凋亡率、Bax蛋白表达水平显著增加（P<0.05）,AR、Cyclin D1、Bcl-2、Bax蛋白表达水平显著降低（P<0.05）,同一时间LNCap细胞活力均显著降低（P<0.05）;双荧光素酶实验结果显示,miR-34a与AR可能存在一定的调控关系,过表达AR基因可逆转miR-34a mimics对LNCaP细胞增殖抑制,促进凋亡作用。 结论：miR-34a可能通过调控AR抑制前列腺癌LNCaP细胞增殖,促进其凋亡。     

3300V 4H-SiC MOSFET 设计与加工

成功设计并制造了击穿电压超过3300V 的4H-SiC MOSFET。通过数字仿真优化了漂移层和DMOSFET有源区参数。漂移层N型外延厚度为33微米并且掺杂浓度为2.5E15cm-3。器件采用浮空场限制环作为终端。当栅极电压为20V,漏极电压为2.5V时,漏极电流为5A。     

基于行波模量速度差的配电网故障测距迭代算法

提出了基于零模检测波速度与故障距离关系曲线的配电网故障测距迭代算法。针对零模检测波速度随故障距离变化较大的问题,通过分析及仿真发现了零模检测波速度随故障距离的变化规律,利用该规律给出了零模检测波速度的距离表达式。将此表达式结合基于零模行波分量和线模行波分量速度差的测距公式,给出了故障测距的迭代算法,避免了零模波速度难以确定的问题。通过ATP及Matlab对该算法进行仿真,仿真结果证实了该方法的有效性和可靠性。