基于极限平衡理论定量评价井壁稳定性

井壁稳定性的准确评价对优化井身结构、优选完井方式、提高固井质量、提高测井解释精度等具有极其重要的指导意义。井壁稳定归根结底是井周应力状态与地层岩石强度的平衡关系问题。基于极限平衡理论从受力与材料强度两方面出发,应用统一处理平衡方程与破坏准则,分析了井周的应力分布,得出在与原水平最大主应力方向夹角为90°和270°处,井壁最易坍塌;夹角为0°和180°处,井壁最易破裂。进而提出了井壁的坍塌评价系数Sc和破裂评价系数Sf,当Sc=1或Sf=1时,井壁处于极限平衡状态;当Sc>1、Sf>1时,井壁稳定,且值越大,井壁越稳定。井壁坍塌评价系数和破裂评价系数为评价井壁稳定性提供了定量指标。     

一种新的混合相位反褶积方法

在地震资料处理中,常用预测反褶积方法提高地震资料的分辨率,它具有两个基本的假设条件:①地震子波是最小相位;②反射系数序列是随机过程。上述假设条件与实际地震子波的混合相位存在较大差别。为此,笔者在借鉴前人研究的基础上,提出了一种新的混合相位反褶积方法。其实现过程为:①根据地震记录的自相关和地震子波自相关之间的关系,由最小二乘法拟合出地震子波的振幅谱,进而计算出地震子波的自相关;②利用计算出来的地震子波自相关设计一个最小相位滤波器,然后加一个延迟量于自相关函数的主对角线上,将最小相位反滤波器分解为一个长度很短的滤波器,再与一个长度较长的滤波器进行褶积,可得到一系列的混合相位子波和混合相位滤波器;③将得到的混合相位滤波器和原始地震道进行褶积,选取一定的判别准则,以选出最佳的混合相位滤波器以及相应的混合相位子波。通过模型试算和实际资料处理可知,分时窗反褶积的效果要好于单时窗反褶积,混合相位反褶积效果好于最小相位反褶积。在分时窗求取地震子波时,为了得到更好的反褶积效果,要注意时窗宽度与算子长度之间的关系。     

复杂结构井的过套管测井技术应用

过套管测井是在已下套管井中完成的用以解决油气层识别、储层物性参数计算为目的的测井系列,在复杂井中用来代替常规的裸眼测井,以便减少在大斜度井中的测井事故,缩短测井周期。本文介绍了几种常用的过套管测井技术,并将其应用于大港油田的庄海401井。结果表明,过套管测井不仅解决了油气层判别的问题,也提供了较准确的物性参数,同时降低了施工作业的难度,缩短了占井周期,这一点对海上钻井尤为重要。     

自动检测系统原理应用和发展状况的研究

自动检测系统广泛应用于各类产品的设计、生产、使用、维护等各个阶段,对提高产品性能及生产率、降低生产成本及整个生产周期成本起着重要作用。首先介绍了检测、检验以及自动检测系统的概念,其次通过自动检测系统的各个组成部分,详述了系统的工作原理,介绍了自动检测系统组建的概念、结构以及在组建中所使用的关键技术。对早期的自动检测系统和新一代自动检测系统进行了介绍,并详述自动检测系统的3个发展阶段。     

AT91SAM7S64芯片I2C(TWI)接口应用开发

较为详细地介绍AT91SAM7S64芯片的I2C接口控制器中外围数据控制器(PDC)的使用方式,并将其与AT24C04之间的通信作为实例给出完整的应用开发流程和软硬件详细描述。该方法的可行性已经为工程实践和实际产品所证实。该操作也可推广到其他AT91SAM7S系列ARM处理器与其他I2C接口器件间的通信。并对其他拥有外围数据控制器的接口开发有一定的借鉴意义。     

棒状液晶分子相变问题的机械旋转模型研究

综述一种关于棒状液晶材料的分子结构与液晶相的相关关系的研究成果。介绍了有关液晶分子的机械旋转模型。该模型将液晶分子视作一种高速旋转的转子,通过分子参数计算,对液晶材料的相变温度和分子结构之间的关系给出了一种全新的解释。最新研究表明,含氟三苯液晶材料的分子结构中存在slim和fat现象,能够对液晶材料的相变进行合理解释。该模型能够通过简单的模型方法对新型液晶材料的分子设计与合成提供有用的信息。     

左江水利枢纽工程施工导流设计的优化

导流工程在施工条件改变时,应根据工程的实际情况进行相应的调整及优化,以达到节省导流工程投资、满足主体工程施工要求的目的;介绍了左江水利枢纽工程施工导流设计的优化情况。     

HART协议物理层设备的测试（II）

本文介绍HART协议物理层设备的测试要求、测试设备、测试方法及测试时的一些特别说明。     

电信服务营销渠道转型的必要性

分析了电信企业服务营销渠道的特点、旧有的服务营销渠道模式和存在的问题以及今后电信业和市场等方面发展的新需求，对电信服务营销渠道转型的必要性进行了探讨和研究,同时提供了一个可供参考的服务营销渠道价值评估体系架构,从量化服务营销渠道对电信企业贡献价值的角度论述了服务营销渠道转型的必要性。     

Properties of Quaternary Alloy Magnetic Semiconductor (InGaMn)As Grown on InP

We have studied properties of quaternary alloy magnetic semiconductor (InGaMn)As grown on InP substrates by low-temperature molecular-beam epitaxy (LT-MBE). A large MCD peak whose intensity is larger than 500 mdeg for (InGaMn)As was observed. This peak intensity was about three times larger than that of typical (GaMn)As films. Relatively high Curie temperature of 83 K of [(In_0.53Ga_0.47)_0.88Mn_0.12]As was observed by Hall measurements. The carrier concentration of [(In_0.53Ga_0.47)_0.88Mn_0.12]As was estimated to be more than 1.0 × 10²¹ cm^–3 by using the Curie–Weiss fitting of the Hall coefficient R _H, indicating that more than 40% of Mn atoms are activated. This means that (InGaMn)As has a higher activation ratio of Mn as acceptors than (GaMn)As.