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71.
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.  相似文献   
72.
73.
Martensite transformations proceeding in mechanically loaded TiNi-based alloys account for an “anomalous” character of the acoustic emission from the material, whereby cyclic transformations during the growth of mechanical stress in the course of the direct transition is accompanied by an increase, rather than by a decrease, in the acoustic emission energy. This behavior of the acoustic emission is evidence of a significant influence of the external stresses on the martensite transformations and the related energy dissipation process.  相似文献   
74.
75.
The paper considers local-area computer networks with a protocol that supports carrier-sense multiple access with instantaneous conflict detection and is a generalization of slotted ALOHA. An approach based on recurrent processes is applied to analyze the asymptotic behavior of the number of waiting calls under conditions of low retrial rate.Translated from Kibernetika i Sistemnyi Analiz, No. 4, pp. 54–61, July–August, 1991.  相似文献   
76.
77.
Translated from Khimiya i Tekhnologiya Topliv i Masel, No. 2, pp. 14–15, February, 1989.  相似文献   
78.
The behavior of two series of concrete slabs exposed to sulfate-bearing soils was investigated by a numerical model called STADIUM. In addition to the diffusion of ions and moisture, the model also accounts for the effects of dissolution/precipitation reactions on the transport mechanisms. The simulations yielded by the model were compared to the actual degradation of the slabs after 8 years of exposure. The microstructural alterations of concrete resulting from the penetration of magnesium, chloride and sulfate ions were studied by backscatter mode scanning electron microscope observations and energy-dispersive X-ray analyses. The comparison of both series of data indicates that the model can reliably predict the various features of the microstructural alterations of concrete.
Résumé Le comportement de deux séries de dalles sur sol en béton exposées à des sols chimiquement agressifs a été étudié à l'aide d'un code de calcul numérique appelé STADIUM. Ce modèle permet de décrire le transport couplé de l'eau et des ions dans des matériaux poreux non-saturés en prenant en considération l'influence des réactions chimiques. Les résultats des simultations de la dégradation du béton après huit ans d'exposition à des ions chlore, sulfate et magnésium. Les observations ont été réalisées par microscopie électronique à balayage. Des analyses par dispersion des rayons X ont également été effectuées. Les données démontrent clairement que le modèle perment de prédire avec précision le comportement du béton soumis à différents types d'agression chimique.


Editorial Note Laval University (Canada) is a RILEM Titular Member. Prof. J. Marchand was awarded the 2000 Robert L'Hermite Medal. He is Editor in Chief for Concrete Science and Engineering and Associate Editor for Materials and Structures. He participates in RILEM TC 186-ISA ‘Internal Sulfate attack’.  相似文献   
79.
80.
Translated from Atomnaya Énergiya, Vol. 67, No. 2, pp. 97–100, August, 1989.  相似文献   
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