高性能结杓陶瓷制备的新工艺、新技术及其应用

文中重点付论了高性能结枸陶瓷制备技术的迸展及主要应用市场。     

GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器及其Ⅰ-Ⅴ特性的研究

本文简单介绍了GaInAsSb/GaSb PIN探测器的结构及工作原理,重点分析了生长窗口层和硫钝化两种不同的改善探测器Ⅰ-Ⅴ反向偏软的特性的方法。     

箱式电炉产生还原气氛的方法

通过调节空气流量和碳源数量、细度及模拟抽屈窑气氛制度的方式探讨了在箱式电炉中产生还原气氛的方法。从热力学、动力学角度分析了碳源种类、细度对气氛的影响。     

有机/无机纳米复合材料的制备

有机／无机纳米复合材料是由有机高聚物和无机纳米材料复合而成的，综述了有机／无机纳米复合材料的制备技术，并介绍了各种方法的优点和缺点，最后展望了有机／无机纳米复合材料的发展前景。     

电瓷坯料组成与绝缘子材质发展的现状

<正> 一、前言当前世界各国输配电线路、电站及配电系统广泛使用的瓷绝缘子的历史可追溯到1850年。在那以前,最原始的绝缘子是用有机材料制成的,随后也使用过橡胶绝缘子。但是,人们很快发现它们并不适于制造绝缘子,因为当水分浸入绝缘体时,其电气性能将迅速地降低。其后,电力工程上开始使用瓷与玻璃质绝缘子,由此,便发展起来了现代的电瓷工业。瓷绝缘子最初应用在铁道通讯线路上,这一早期的实践导致它们在1880年架设的第一条高压输电线路上的应用。时至今天,瓷绝缘子     

CH3CSNH2/NH4OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器

引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.     

GaInAsSb/GaSb 红外探测器抗反膜的研究

简单介绍了单层抗反膜的增透原理，并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了Al2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜。膜层的反射率测试结果表明：生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30％；同时通过对GaInAsSb／GaSb PIN红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明：蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb／GaSb PIN红外探测器的黑体探测率平均提高了60．28％，远大于蒸镀Al2O3、SiO2后的48．91％和40．04％，说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜，使器件性能有所提高。     

超低温(<900℃)烧成的陶瓷配方研究

研制了一种以废玻璃和熟矾土为主要原料，烧结温度范围在８５０～９００℃的超低温陶瓷配方，并探讨了其成瓷机理、工艺关键及应用范围，阐述了开发低温陶瓷的意义。