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11.
高频电磁屏蔽用ITO膜结构与性能分析
李秀荣
刘静
李长珍
《武汉理工大学学报》
2000,22(6):21-24
采用阴极磁控溅射法制备用于电磁屏蔽的ITO透明导电膜,方块电阻在5~40Ω/□范围内。测试不同方块电阻膜层的电阻率、膜厚、可见光透光度、雾度、对8~18GHZ频率范围内电磁波的反射率等性能,通过X射线衍射图谱和X射线回摆曲线研究膜层的结晶程度和晶粒大小对膜层性能的影响,引入特性优化因子来综合评价膜层的性能。
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