全文获取类型
收费全文 | 232201篇 |
免费 | 21761篇 |
国内免费 | 12107篇 |
专业分类
电工技术 | 16381篇 |
技术理论 | 17篇 |
综合类 | 16241篇 |
化学工业 | 35501篇 |
金属工艺 | 13285篇 |
机械仪表 | 15536篇 |
建筑科学 | 18030篇 |
矿业工程 | 7156篇 |
能源动力 | 6973篇 |
轻工业 | 16431篇 |
水利工程 | 5000篇 |
石油天然气 | 13256篇 |
武器工业 | 2209篇 |
无线电 | 28217篇 |
一般工业技术 | 26216篇 |
冶金工业 | 10420篇 |
原子能技术 | 2717篇 |
自动化技术 | 32483篇 |
出版年
2024年 | 754篇 |
2023年 | 4024篇 |
2022年 | 7182篇 |
2021年 | 10569篇 |
2020年 | 8084篇 |
2019年 | 6288篇 |
2018年 | 7242篇 |
2017年 | 8089篇 |
2016年 | 7268篇 |
2015年 | 10115篇 |
2014年 | 12588篇 |
2013年 | 15016篇 |
2012年 | 16793篇 |
2011年 | 17922篇 |
2010年 | 15512篇 |
2009年 | 14582篇 |
2008年 | 14316篇 |
2007年 | 13336篇 |
2006年 | 12907篇 |
2005年 | 10831篇 |
2004年 | 7310篇 |
2003年 | 5867篇 |
2002年 | 5295篇 |
2001年 | 4692篇 |
2000年 | 4448篇 |
1999年 | 4764篇 |
1998年 | 3807篇 |
1997年 | 3199篇 |
1996年 | 2956篇 |
1995年 | 2411篇 |
1994年 | 1925篇 |
1993年 | 1386篇 |
1992年 | 1118篇 |
1991年 | 821篇 |
1990年 | 594篇 |
1989年 | 481篇 |
1988年 | 383篇 |
1987年 | 254篇 |
1986年 | 203篇 |
1985年 | 129篇 |
1984年 | 110篇 |
1983年 | 79篇 |
1982年 | 84篇 |
1981年 | 72篇 |
1980年 | 77篇 |
1979年 | 39篇 |
1978年 | 25篇 |
1977年 | 25篇 |
1976年 | 26篇 |
1951年 | 17篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 278 毫秒
991.
通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间. 相似文献
992.
993.
以乙醇为溶剂,正硅酸乙酯(TEOS,tetraethoxysilane)在氢氧化铵催化下水解缩聚为纳米尺度的无定型SiO2溶胶颗粒,二甲基二乙氧基硅烷(DDS,dimethyldiethoxysilane)在盐酸催化下水解缩聚为线状聚二甲基硅氧链.用混合溶胶在玻璃基片上旋转镀膜,然后于80℃空气气氛下热处理.实验证明通过DDS将疏水的双甲基链引入镀膜胶体,使膜兼具疏水性和减反射性能.利用激光散射粒度分析仪和电子显微镜研究了溶胶颗粒的粒度变化和聚集情况等溶胶微结构,用物理吸附仪研究了膜的孔结构,考察了热处理前后膜的疏水性和透射谱,得到了溶胶微结构与膜性能之间的关联. 相似文献
994.
Koudymov A. Xuhong Hu Simin K. Simin G. Ali M. Yang J. Asif Khan M. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(8):449-451
We demonstrate a novel RF switch based on a multifinger AlGaN/GaN MOSHFET. Record high saturation current and breakdown voltage, extremely low gate leakage current and low gate capacitance of the III-N MOSHFETs make them excellent active elements for RF switching. Using a single element test circuit with 1-mm wide multifinger MOSHFET we achieved 0.27 dB insertion loss and more than 40 dB isolation. These parameters can be further improved by impedance matching and by using submicron gate devices. The maximum switching power extrapolated from the results for 1A/mm 100 /spl mu/m wide device exceeds 40 W for a 1-mm wide 2-A/mm MOSHFET. 相似文献
995.
131I-epidepride的制备与SD大鼠体内分布特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用双氧水标记法和氯胺 -T法进行13 1I -epidepride标记 ,考察标记物的纯度及稳定性 ,并进行SD大鼠体内分布特性研究。实验结果表明 ,双氧水法和氯胺 -T法标记率分别为 97.4 %和 5 2 .9%。标记物的生理盐水溶液室温放置 4h ,放化纯大于 90 %。大鼠静脉注射13 1I -epide pride的生理盐水溶液后 ,纹状体与小脑比值在注射后 32 0min时高达 2 37:1。13 1I -epidepride进入血液后很快被组织摄取 ,其中以肺的早期摄取最高 (2 .11± 1.0 5 ) %ID·g- 1,各脏器的清除均较快 (T1/2 <4h) ,甲状腺的摄取率随时间的延长而增加。 相似文献
996.
997.
998.
运用监控系统增强矿井防灾能力 总被引:1,自引:0,他引:1
瓦斯监测系统是煤矿瓦斯管理的重要手段。同时也可用于防治矿井胶带运输系统外因火灾,从而大大提高矿井的防灾抗灾水平。 相似文献
999.
浓缩大豆磷脂制取工艺及设备的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对水化油脚采用新工艺和新设备制取浓缩大豆磷脂,并对制取浓缩大豆磷脂的影响因素进行分析和优化,得到了制取浓缩大豆磷脂新工艺和最佳工艺参数。 相似文献
1000.