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俯仰向数字波束形成技术对SAR系统性能的影响分析 总被引:1,自引:0,他引:1
俯仰向数字波束形成(DBF)是实现高分辨率宽测绘带星载SAR系统的关键技术。该技术可以生成能够灵活控制的高增益窄波束用于回波信号的接收,从而提升SAR系统性能。该文在研究俯仰向DBF技术应用于宽测绘带SAR系统的基础上,重点分析了俯仰向DBF技术对系统性能指标的影响,推导了基于俯仰向DBF技术的系统等效后向散射系数(NESZ)和距离模糊比(RASR)的表达式,并且将阵列信号处理中的零点指向技术应用于SAR,使得系统在接收目标信号的同时抑制模糊区方向的回波,显著地提高了系统的距离模糊指标。仿真结果表明,俯仰向DBF-SAR系统的性能相对于传统单通道系统具有明显的优势。 相似文献
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侯丽丽 《中国新技术新产品》2010,(19):130-130
电能计量方案的小型化、集成化、低成本化,使电能计量技术在目前对成本要求近乎于苛刻的家用产品中应用成为可能。本文以目前在电能表中应用最为广泛的美国ADI公司推出的电量计量专用芯片ADE7755为例,简单探讨一下电能计量在家用产品中的实际应用方案及其制约性。 相似文献
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采用粉末冶金的方法制备了4种不同增强体组分的Al基复合材料,分别为:10%Al2O3/Al复合材料、1%MWCNT+9%Al2O3/Al复合材料、5%MWCNT+5%Al2O3/Al复合材料、10%MWCNT/Al复合材料。在载荷为100g,滑动速度为0.5m/s条件下,对上述4种组分的Al基复合材料的耐磨性进行了测量,结果表明:5%MWCNT+5%Al2O3/Al复合材料磨损量最小,磨损形式为磨粒磨损。 相似文献
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以TC4钛合金纤维为增强体,5A06铝合金为基体,采用压力浸渗法制备二维连续纤维网增强铝基复合材料(TC4网/Al)。利用万能材料试验机和分离式霍普金森压杆对TC4网/Al复合材料分别进行准静态压缩和动态压缩,研究复合材料在室温和高温下的压缩性能。结果表明:该复合材料不论在室温还是高温均表现为正向应变率效应。对复合材料进行准静态压缩(应变率≤1 s-1),当试验温度≤100℃时,试样均沿与轴向约呈45°方向的斜面发生破坏;试验温度≥250℃时,试样没有破坏而发生鼓肚变形。动态压缩(应变率为1500 s-1)时,无论在室温还是高温下,该复合材料均未发生破坏。 相似文献
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当今,国内半导体芯片领域的竞争很大程度上取决于半导体装备以及核心零部件的竞争。设备的抗干扰能力以及稳定性等特性是衡量设备优劣的重要标准。对于射频电源而言,控制回路的精准、稳定以及快速响应是决定射频电源这款产品性能好坏的重要指标。因此,本文基于电容分压采样、电流互感器采样以及运放电路等相关原理,设计了一款纯硬件电路的功率信号检测回路,并用仿真软件Multisim进行模拟仿真实验,得到输出电压在数值上等于输出功率的实验结果。同时,通过改变母线信号的输入功率,得到输出电压和输入功率具有极高的线性相关性,因此该检测回路具有很好的稳定性,能够适用于大量程下的射频电源功率检测。 相似文献
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本文对水热耦合模型的研究现状进行分析,并通过该模型在一些领域中的应用成果的研究,提出了应进一步进行水热耦合模型中水热参数的机理性研究,探求更实用准确的试验方法,得到更有针对性的耦合模型,以便更好地应用到研究和生产领域中。 相似文献
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本文在分析汽车电子技术现状和发展趋势的基础上,针对国内汽车系统复杂、智能化水平低、可拓展性差的特点,提出了基于高层协议的分布式模块化的can总线技术的汽车局域网结构,并对can通讯的网络、接口电路和软件程序进行设计。can总线技术的应用将系统配线简单、节省空间和成本,提高了汽车的智能化水平,是汽车通讯技术的首选。 相似文献
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主要研究常温超高压提取技术在一枝黄花总皂苷提取中的应用。以总皂苷的提取率为主要指标,采用单因素试验和L9(34)正交试验考察了各因素对于总皂苷提取率的影响。确定一枝黄花中总皂苷的最优提取工艺为:提取溶剂为体积分数60%乙醇溶液;提取压力300MPa;固液比1∶40(w/v,g·m L-1);提取时间0.5min。在最优工艺下,通过测定总皂苷提取率为12.07mg·g-1。并与回流提取工艺进行对比(回流提取率为14.90mg·g-1),结果表明,超高压提取的总皂苷提取率略低于回流提取,但是与回流提取相比超高压提取具有提取时间短、提取次数少、不需要加热、提取液澄清透明等优点。超高压提取技术作为一种新的提取方法,在加拿大一枝黄花提取中应用,稳定可行,前景广阔。 相似文献
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采用集散控制系统对制氧机氮水预冷系统进行过程检测与控制,保证安全、高效生产。由于集散控制系统的组态及调试方便,实现了控制回路的可靠调节。 相似文献
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InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)阵列的性能与阵列片内均匀性密切相关.阵列面元的主要结构参数有倍增区厚度、电荷层厚度和掺杂浓度、吸收区的厚度以及器件工作的过偏压.它们的不一致性不仅会造成器件本身性能的差异,还为后续的读出电路带来了巨大的挑战.通过研究APD结构参数变化对其击穿电压(Vbreak)、暗计数率(DCR)和单光子探测效率(PDE)的影响,将APD阵列面元间击穿电压波动控制在±1V以内,使暗计数率和光探测效率的波动小于10%,从而得到不同温度下各个结构参数的最大允许波动值,确定了每个温度下制约器件性能的主要因素,为大规模、高性能盖革模式雪崩光电二极管阵列的材料生长和工艺制备提供了理论依据. 相似文献