Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展

简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。     

CSS法制备CdZnTe薄膜时衬底温度的影响规律

采用近空间升华法(close-spaced sublimation,CSS),以CdZnTe化合物粉料为原料制备了CdZnTe薄膜,采用XRD、SEM、紫外光谱仪等对其进行了性能表征,并研究了不同生长温度对薄膜生长速率、结构、Zn含量和光学特性的影响规律.研究结果表明,薄膜的生长速率随着生长温度的升高而增大,且温度>5...     

4.8×72m回转窑筒体与轮带吊装技术

回转窑广泛应用于水泥、有色冶金、钢铁、炭素、氧化铝、氟化盐等工业生产系统中,用于完成来料的煅烧、烘干、冷却、化学反应等作业。在回转窑安装过程中,筒体与轮带吊装是施工难点,本文以水泥厂?4.8×72m回转窑为例,叙述筒体及轮带的吊装方法。     

伪叠加Zadoff-Chu序列的符号同步算法

提出了伪叠加Zadoff-Chu序列符号同步算法,由于在频域上等间隔插入Zadoff-Chu序列,经傅里叶逆变换到时域后的序列仍具有良好的自相关和互相关特性,该算法充分利用这一特性来进行符号同步,且不需要对长期演进（LTE,Long Term Evolution）帧结构进行任何修改和叠加任何正交频分复用技术（OFDM,Orthogonal Frequency Division Multiplex）符号序列。仿真结果表明,伪叠加Zadoff-Chu序列符号同步算法在各种信道环境下呈现良好的同步性能,明显优于基于循环前缀的算法。联合该算法与基于循环前缀的算法,能够进一步提高同步性能、减少算法复杂度。     

集成电路可测性设计IO复用方法

超大规模集成电路特征尺寸逐步缩小的发展过程中,芯片面积是制约芯片成本的最重要因素之一,也是直接影响半导体产品市场竞争力的最重要因素之一。本文介绍了将所有可测性设计(DFT)的输入输出端口(IO)与各种类型的正常功能工作模式的IO复用的方法,从而达到减少IO并最终减小芯片面积的目的。介绍了输入信号和输出信号分别在单向端口IO和双向端口IO中复用的方法。然后,以一款经过0.18μm逻辑工艺流片验证的flash存储器控制芯片为例,对比了采用IO复用方法前后芯片的利用率和面积,证明了方案的可行性和有效性。     

雷达威力计算数学模型的研究

雷达威力覆盖的计算应用于总体方案设计、天线设计到联调校飞的全过程。根据仰角上的威力覆盖,合理分配不同距离上的脉冲数、脉冲宽度、驻留时间、波位数目、波束指向,波束宽度以及信噪比等雷达资源。在总结了雷达威力计算所涉及的各方面数学理论和数学模型。对雷达的使用具有重大的意义。     

10Gbit／sX4小型可插拔并行光收发模块的研制

研制了一款基于系统级封装技术的低成本、收发一体和可带电热插拔的4通道小型可插拔（QSFP）光模块,采用850nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列及其驱动器作为发射端,光电探测器（PD）阵列及其跨阻放大器（TIA）作为接收端,通过光路无源对准,实现了低成本光互连。高速度、高密度封装下的瞬态同步开关噪声、芯片间电磁干扰...     

苏联国家标准——汽车和摩托车发动机用活塞环技术要求

本标准适用于汽车和摩托车发动机用的标准尺寸和修理尺寸的铸铁活塞环。 1、技术要求 1.1.活塞环必须按照本标准的要求制造。 1.2.活塞环必须用合金灰铸铁或者高强度灰铸铁制造。 1.3 对于外径与径向厚度之比大于和等于24的活塞环,其材料的当量弹性模数与抗弯强度之比不得超过2200;对于外径与径向厚度之比小于24的活塞环,则不得超过     

基于0.18μm CMOS工艺的3.1~10.6GHz超宽带LNA设计

本文基于特许0.18μm CMOS工艺,提出了一种新型的低复杂3.1~10.6GHz超宽带LNA电路,它由两级简单的放大器通过级间电感连接构成。第一级放大器使用电阻电流复用结构和双电感退化技术来达到宽带输入匹配和低噪声性能,第二级放大器使用带电感峰值技术的共源级放大器来同时达到高平坦增益和好的宽带性能。测试结果表明,在3.1~10.6GHz频段内,提出的超宽带LNA的最大功率增益为15.6dB,S12为-45dB,输入输出隔离度小于-10dB,噪声系数NF为2.8~4.7dB,在6GHz时的输入三阶交调点IIP3为-7.1dBm。芯片在1.5V电源电压下,消耗的功率为14.1mW,芯片总面积为0.8mm0.9mm。     

浅析钻孔灌注桩施工质量问题

介绍了钻孔灌注桩常见的施工质量问题,结合生产实践,分析了问题产生的原因,提出了相应的防治措施和处理方法,以避免质量事故的发生,确保整个工程的质量和进度。