As通过SiO_2在硅中反冲氧的计算及其对剩余缺陷的影响

通过SiO_2而将As、P和B注入到硅中去的方法通常是制备MOS电路和双极电路的重要掺杂手段。这种方法的优点在于可防止离子对硅单晶表面的溅射、污染和减少辐射损伤。 关于反冲理论和离子通过薄膜的反冲的研究已发表了一些文章。但是针对集成电路离子掺杂的要求,来确定氧反冲量最大和最小的条件,特别是反冲氧对剩余损伤的影响等问题还需要深入的研究。