哈尔滨民生尚都居住区(二期)

哈尔滨市群力新区是哈尔滨市最具开发潜力的区域,也是哈尔滨市城市发展的主要方向。民生尚都居住区位于群力新区西侧,地理位置十分优越。邻近松花江,西部与长岭湖风景旅游区相邻,自然资源     

激光与视觉融合的透视平面检测与深度预测研究

针对单一的激光传感器或视觉传感器无法检测到透视三维平面的问题,提出一种基于激光传感器与视觉传感器融合的透视平面检测与深度预测算法;首先采用透视平面检测网络,在二维彩色图像中对透视平面进行图像分割;其次应用单一图像反射去除算法,在分割得到的透视平面区域分离背景信息,并使用MegaDepth算法进行深度预测,得到相对深度图;最后结合激光传感器的深度数据,采用抽样一致性算法,计算深度标尺,并使用对透视平面进行深度赋值,将相对深度图转化为绝对深度图,进而完成对透视平面的深度预测;实验结果表明该算法能成功检测并分割透视平面,且能得到正确的透视平面绝对深度信息.     

基于k(0,1)-TPN的三防控制系统软件安全性分析模型研究

针对现有方法难以对含多个子系统的并发武器装备软件进行安全性分析的难题,提出了基于多维的时间Petri网软件安全性建模分析方法(k(0,1)-TPN).该方法在时间Petri网的基础上,基于动态运行规则,采用同步合成和共享合成技术建立起软件安全分析模型,通过对运行时序、状态转移等的分析,可得出软件系统潜在的危险状态.利用该方法建立的模型对三防系统软件进行了安全性分析,结果表明:相比其它分析方法,应用该模型可发现多处潜在的软件致命错误,是一种简单实用的有效方法.     

QuEChERS-表面增强拉曼光谱法测定花生中黄曲霉毒素B1

目的 建立基于QuEChERS净化和表面增强拉曼光谱法(surface-enhanced Raman spectroscopy,SERS)测定花生中黄曲霉毒素B1(aflatoxin B1,AFB1)的分析方法.方法 以纳米银(nano silver,AgNPs)作为SERS活性基底,结合QuEChERS样品预处理技术...     

智能机器人的研究

随着MEMS技术的发展 ,侦察传感系统的微型化、智能化成为可能 ,微型机器人成为MEMS技术军事应用的一个重要发展方向。本文根据国内外发展现状开展了基于MEMS技术的智能机器人研究。首先论述了智能机器人关键技术 ,并逐一提出了解决办法 ,在此基础上设计了一种以磁、声和红外传感器为基础的 ,采用DSP技术的智能机器人。该智能机器人可用于军事目标侦察和识别     

Flash电子盘在存储测试中的应用

本文讨论了存储测试系统的存储单元电路.指出随着半导体技术和微电子科学的发展,传统的存储单元电路已不能适应当今条件下存储测试的要求.基于此,我们提出了在电路中使用了大容量存贮器--Flash电子盘.实践证明采用Flash电子盘的电路比以往的电路具有更多的优点.     

基于数字高频检相式的激光测距光学系统设计

为了改善相位差法激光测距测量精度低的现状,采用高频检相法代替模拟测相法,即数字高频检相式的激光测距光学系统来提高测距精度。实现了10MHz的激光调制频率,设计了准直透镜,给出了设计指标,利用ZEMAX软件对光束准直前后进行了对比分析,并通过实验验证了光学系统设计的可行性。结果表明,标准差最大为0.12°,重复距离精度可约达1mm,误差最大为0.09°,最小为0.011°,说明测量的重复性比较好、稳定度高,满足了精度要求,达到了提高精度的目的。     

基于机器视觉的汽车零部件平面度检测系统设计

针对目前国内汽车零部件平面度检测存在的检测精度不高、检测速度较慢、部分检测过程仍采用人工检测等问题,本文设计了基于机器视觉的汽车零部件平面度在线检测系统。硬件部分以激光轮廓仪为基本组成部分;软件部分基于PCL点云库,采用C++算法编写可视化软件。采取先粗配准再精配准的点云配准方式。实验结果表明,本系统测量精度可达0.01mm,测量的总时间可控制在24.5s内,因此本系统适用于需要大批量检测汽车零部件平面度的场合。     

多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析

基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能。经过10⁴次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性。通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150℃条件下样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能。