便携式离子注入型半导体核辐射仪的研制

采用离子注入技术研制的便携式半导体核辐射仪,其各项技术指标均有很大的改进和提高,达到了国内先进水平,可广泛用于空间和环境中X射线和γ射线的探测领域.     

一种简单校正PET图像部分容积效应的方法

部分容积效应使PET图像中的病灶失真,影响临床定量诊断.本文建立一种临床实用的校正病灶失真的方法.方法:根据部分容积效应形成的原理,并基于柱形病灶的模拟实验结果,分析病灶断层图像特征剖线数据和一维病灶图像的关系.由此将二维病灶图像部分容积效应校正问题转化为一维问题,称之为一维校正法.并通过柱型病灶模型的PET、实验,对所建校正法进行实验检验.结果:①一维校正法:校正方法的三步骤及数学公式.②实验验证:直径大于分辨率(FWHM)的病灶,得到了很好的直径校正值,偏差在±6%内.直径小于分辨率的病灶,直径校正偏差较大.病灶放射性浓度均值受部分容积效应的影响随病灶变小而加重,对应病灶直径29-3 mm,相对偏差从～-17%增加到-80%以上.经校正后,偏差大幅减少,尤其对直径大于分辨率的病灶,放射性浓度基本得到了完全校正恢复,偏差都在±7%内.对直径小于分辨率的病灶(4.7mm、3mm),虽然没有完全校正恢复,但使偏差平均减小了近一半.结论:提出了一种二维病灶PET图像部分容积效应校正的方法--一维校正法,此方法简单快速,其校正效果令人鼓舞.     

推导法评估编码器细分误差

为实现高精度编码器细分误差的快速评估,提出了一种Lissajou图形推导法.通过理论分析和计算机仿真,得出:在一定条件下,lissajou图形的向径偏差与细分误差之间存在确定关系,可以由向径偏差各次谐波直接推导出细分误差的各次谐波,绘出细分误差曲线.与传统方法测量得到的静态细分误差曲线进行对比,实验结果表明,运用该方法,数据分析处理时间短,可以用于编码器工作现场的快速检测.     

基于FM接收机的可变带宽频率综合器设计

本文介绍了应用在单芯片FM接收系统中可变带宽频率综合器的设计.通过同时改变电荷泵电流和滤波器的结构使锁相环的带宽发生变化,这样在不影响噪声性能(phase jitter)的前提下,锁定时间显著减小.在大电流状态下,环路带宽比锁定状态下提高了4.6倍.电路设计是采用0.6μm BICMOS工艺,仿真结果显示,在3V的电源电压下,锁定时VCO纹波电压小于0.2mV,功耗大约12mW.     

业务疏导技术在WDM网络及OPS网络中的应用

在波分复用(WDM)光网络中,可使用业务疏导(Traffic Grooming)技术来提高网络性能,降低网络成本.详细阐述了WDM光网络中业务疏导的基本概念及主要目标,并对国内外研究现状进行了总结.最后介绍了OPS光交换网络中使用的业务疏导技术.     

一种提高红外地平仪确定卫星姿态精度的方法

红外地平仪提供了卫星星体相对于地球的姿态测量信息.受它在星体上安装精度限制、测量系统噪声和在轨期间星体质量分布变化的影响,直接使用红外测量值进行姿态计算会引入上述误差.如果只采用红外测量的差分值进行姿态计算,再通过滤波,就可以消除上述误差后得到高精度卫星姿态,这种方法充分利用了地球同步在轨卫星位置定点和姿态指向特性,对在轨运行卫星进行长时间姿态确定和实际控制结果表明该方法得到的姿态精度高于0.01°,显著提高了红外定姿精度.     

搅拌工艺参数对半固态AZ91镁合金晶粒密度的影响

在等温稳态条件下，对半固态AZ91合金浆料的晶粒密度进行了研究：在相同的剪切速率下搅拌，温度越低，固态镁合金晶粒密度越大；在相同温度条件下搅拌，随着剪切速率的增加，晶粒密度逐渐增加，当增加到一定值时，晶粒密度达到最大值，随后随着剪切速率的增加，晶粒密度减小，即随着剪切速率的变化，存在一个最佳剪切速率，使得晶粒密度最大。分析了搅拌时间对晶粒密度的影响，说明半固态浆料的搅拌时间不宜过长。同时还进行了在金属型中成形与水淬的半固态镁合金试样晶粒密度的比较，并得到了相似的规律。该结果为半固态AZ91合金压铸过程的数值模拟及进一步的试验研究提供了有用的数据。     

海绵钛生产工艺中氯化物废渣的处置研究

通过分析海绵钛生产过程中产生的固体废物的性质,选择合理的固化技术,制定出处理方案,该方案可以为环境影响评价工作提供一定的科学依据。     

Solution-Phase Synthesis and Characterization of Perovskite LaCoO3 Nanocrystals via A Co-Precipitation Route

A facile co-precipitation route for the synthesis of well-dispersed LaCoO3 nanocrystals was developed. The asprepared products were characterized by X-ray diffraction （XRD）, transmission electron microscopy （TEM）, energy dispersive X-ray spectrometer （EDX）, and laser Raman spectroscopy （LRS）. The resuks showed that modulating the growth parameters, such as the addition of surfactants as well as the adding manner of the precipitator had a significant effect on the overall shape and size of the obtained nanocrystals. The nanorods with the diameter of 20 nm and spherical LaCoO3 nanocrystals with the size of about 25 nm could be obtained at a relatively low calcining temperature of 600℃. Furthermore, the Raman properties of LaCoO3 products obtained at different calcining temperatures were investigated.     

合成工艺对ZnVSb基压敏陶瓷性能的影响

研究了三种合成工艺对ZnVSb系压敏电阻烧结、显微结构和性能的影响。通过对陶瓷密度、显微结构及电学特性的检测、分析发现：化学计量比相同情况下，与V2O5＋Sb2O3预热处理工艺相比，以SbVO4取代Sb2O3合成工艺及传统氧化物合成工艺逐步加剧了尖晶石相在材料中的形成和掺杂元素在晶界的偏聚；导致材料内部晶界势垒逐渐升高，材料的非线性系数及压敏电压逐渐上升。研究结果为ZVSb系压敏电阻材料的设计、制备提供了新的思路。