全文获取类型
收费全文 | 39篇 |
免费 | 3篇 |
国内免费 | 4篇 |
专业分类
综合类 | 7篇 |
化学工业 | 1篇 |
金属工艺 | 6篇 |
机械仪表 | 9篇 |
建筑科学 | 6篇 |
轻工业 | 2篇 |
水利工程 | 1篇 |
无线电 | 7篇 |
一般工业技术 | 2篇 |
冶金工业 | 2篇 |
自动化技术 | 3篇 |
出版年
2023年 | 1篇 |
2022年 | 5篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 5篇 |
2019年 | 4篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 3篇 |
2013年 | 1篇 |
2011年 | 1篇 |
2009年 | 3篇 |
2007年 | 1篇 |
2005年 | 3篇 |
2004年 | 5篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 1篇 |
1994年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有46条查询结果,搜索用时 93 毫秒
11.
提出一种基于特殊形貌铜铟二级微纳米层的液固扩散互连方法.将两块具有针状阵列结构的铜铟二级微纳米层的基板表面相互接触,对接触区域进行加热以进行固液互连.这种铜铟微纳米层具有二级结构,第一级为细小均匀的圆锥形阵列铜针层,第二级为镀覆铜针层上的铟微米层,其能有效防止铜层氧化.在互连温度260℃下,铟变成液态,互连时液态铟浸润铜针层,形成金属间化合物Cu2In.通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜及焊接强度测试仪分别分析了互连界面的显微组织,金属间化合物和剪切强度变化趋势.发现随着互连时间的延长,互连界面组织均匀,剪切强度增加,互连质量良好.这归因于铜针层结构与铟层形成物理互锁界面,铟在界面处与铜形成金属间化合物Cu2In.Cu2In是一种优质相,具有良好的塑性,提高了互连质量.热处理实验表明这种铜铟微纳米层互连技术短时热处理即可获得较好的互连强度. 相似文献
13.
电子封装技术的发展决定了半导体技术的发展水平。微互连技术是电子封装技术的重要组成部分。论文阐述了近几十年来微互连技术的发展路径以及成就,着重研究了低温低压固态互连技术的发展现状。 相似文献
14.
15.
采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了硼原子和氮原子掺杂对八氢萘纳米带能带结构的调控作用。研究结果显示硼原子和氮原子掺杂可以有效地调控八氢萘纳米带的能带结构:单双硼氮原子掺杂可以实现对八氢萘纳米带能带的半导体化;掺杂原子的浓度对八氢萘纳米带能带结构也有影响,提高掺杂原子浓度可以获得与单原子掺杂完全不同的能带结构。 相似文献
16.
17.
本文分析了房屋裂缝的危害性以及设置变形缝的优缺点,为了既能保证工程质量,又能保证工程期望的功能和造型,用后浇带代替永久变形缝。浅谈后浇带在工程上的应用,通过介绍后浇带的功能、做法、适用范围、位置、接缝形式、及后浇带砼灌注时间的要求,以做到不设变形缝,从而达到保证工程质量的真正目的。 相似文献
18.
19.
20.
优质的热电材料要求具有“声子玻璃、电子晶体”特性,因此,基于第一性原理计算,提出在
二元 MXn 半导体层状材料中筛选具有上述特性材料的方法。因层间为范德华作用力,层状材料中面外方向
的晶格热导率都非常低,是良好的“声子玻璃”材料。而面外方向的电子输运能力与 M 元素和原子距离相
关。M 为主族元素时(例如 SnSe),因非局域的 pz 轨道和较小的原子层间距离(小于 4 ?)使电子具有良
好的层间输运性能。当 M 为过渡金属元素时(例如 MoS2),局域的 d 轨道和较大的阳离子层间距(大于 6
?)使得电子无法在层间传输。通过阳离子 M 的层间距离大小和类型(主族元素还是过渡金属)可以对层状
材料面外方向的热电性质进行判断,为筛选出有潜力的高 ZT 热电材料提供理论指导。 相似文献