混弟土材料与结构试验技术发展展望

在简要回顾混凝土材料与结构常规试验技术的基础上，综述了目前高科技技术在试验上的应用现状，包括光纤传感技术，智能技术及两者结合的技术等，展望了混凝土材料与结构试验技术的发展趋势，认为高科技的引入真挚势必为未来材料试验和结构试验的必然方向。     

高喷灌浆技术在围海抛填大块石地基中的应用

污水处理厂载降水工程在近海抛填块石地基中进行，原采用的粘土截水槽与强排水方案，通过在消化池基坑的实施，因受一天两潮的双向水头作用的影响，难以满足施工要求。经多方论证，最终采用了高喷灌浆构筑截水墙配合降水方案，降水效果良好，达到了预期目的，保证了基坑的顺利开挖。     

综合驱动电子器件卡

不要被这古怪的名称所骗,这种卡你的电脑里也插着,其实就是我们常说的IDE(Intergrated Drvie Electronic)卡的中文直译。     

MC68302芯片在通信中的应用

本文介绍了一种高集成、高性能的多规程通信接口芯片──ＭＣ６８３０２，详细说明了其内部硬、软件结构，并据亲身应用所得经验和体会，从多方面介绍利用该芯片设计各种通信电路。     

数值模型在地下采掘设计中的应用(二)

离散元法在通常描述为块状构造的岩层状态下(在块状构造中节理的间距与开挖尺寸为同一数量级),相交的节理使岩体分成块状和楔形岩块,这些岩块可认为是刚性。这就是说,     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

N管开启电压调整主入对P—结击穿电压的影响

为了讨论了问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｒ－Ｎ结”击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度，通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。